TM 4953 Service Manual

双 P 沟道增强型 MOS 管 TM4953

特性描述

TM4953 内部包括两个独立的P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻，适合应用于LED 显

示屏、LED 显示器驱动，也可用来做负载开关或者PWM开关。

功能特点

-30V/5.0A，

R

DS（ON）

R

DS（ON）

专业设计，R
驱动要求简单；

=53mΩ（typ.），VGS=-10V，

=72mΩ（typ.），VGS=-4.5V；

极小；

DS(ON)

耐用性和可靠性极强；
封装形式：SOP8。

管脚定义

1

S1

2

G1

3

G2 D2

45

D1

8

D1

7

D2S2

6

@Titan Micro Electronics www.titanmec.com

V1.0

管脚功能

端口

名称 管脚

S1 1 I 源级（VCC）

S2 3 I 源级（VCC）
G1 2 I 栅极，控制脚
G2 4 I 栅极，控制脚
D1 8 O 漏极，输出
D1 7 O 漏极，输出
D2 6 O 漏极，输出
D2 5 O 漏极，输出

输入及输出等效电路

G1

S1

双 P 沟道增强型 MOS 管 TM4953

I/O 功能描述

S2

G2

D1 D1

绝对最大额定值范围

（1） （2）

（T

（1）（2）

=25℃ 除非另有说明）

A

D2 D2

符号 参数 范围 单位

V

DSS

V

GSS

ID*

IDM*

IS*

TJ

T

STG

PD*

R

θJA

连续漏极电流 -5.0 A

脉冲漏极电流

最大耗散功率

*

漏源电压 -30 V

栅源电压

V

=-10V

GS

二极管连续正向电流 -2 A

最高工作结温 150 ℃

存储温度范围 -55~150 ℃

TA=25℃

=100℃

T

A

结环热阻 62.5 ℃/W



25

-20 A

2 W

0.8 W

V

(1)以上表中这些等级，芯片在长时间使用条件下，可能造成期间永久性伤害，可降低器件的可靠性。天微电子不建议在

其他任何条件下，芯片超过这些极限参数工作。

(2)所有电压均相对于网络地测试。

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