LED 驱动控制专用电路 TM1629B
一、 概述
TM1629B是带键盘扫描接口的LED（发光二极管显示器）驱动控制专用电路，内部集成有
MCU 数字接口、数据锁存器、LED 高压驱动、键盘扫描等电路。主要应用于冰箱、空调 、
家庭影院等产品的高段位显示屏驱动。
二、 特性说明
采用功率CMOS 工艺
显示模式 14 段×8 位
键扫描（8×2bit）
辉度调节电路（占空比8 级可调）
串行接口（CLK，STB，DIO）
振荡方式：RC 振荡（450KHz+
内置上电复位电路
采用SOP32封装
三、管脚定义：
5%）
GRID4
GRID3
VSS
GRID2
GRID1
GND
DIO
CLK
STB
VDD
SEG1/KS1
SEG2/KS2
SEG3/KS3
SEG4/KS4
1
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1
2
3
4
5
6
7
TM1629B
8
K0
K1
10
11
9
TOP VIE
W
12
13
14
15
16
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V1.1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
GRID5
GRID6
VSS
GRID7
GRID8
VDD
SEG14
SEG13
SEG12
SEG11
SEG10
SEG9
SEG8/KS8
SEG7/KS7
SEG6/KS6
SEG5/KS5
四、管脚功能说明：
VCC
符号 管脚名称 说明
DIO 数据输入/输出 在时钟上升沿输入/输出串行数据，从低位开始
STB 片选
CLK 时钟输入 时钟上升沿输入/输出串行数据。
LED 驱动控制专用电路 TM1629B
在上升或下降沿初始化串行接口，随后等待接收指令。STB
为低后的第一个字节作为指令，当处理指令时，当前其它
处理被终止。当STB 为高时，CLK 被忽略
K0～K1 键扫数据输入
SEG1/KS1～
SEG8/KS8
SEG9~SEG14 输出（段） 段输出，P管开漏输出。
GRID1～GRID8 输出（位） 位输出，N管开漏输出。
VDD 逻辑电源 5V±10%
VSS 逻辑地 接系统地
输出（段） 段输出（也用作键扫描）,p管开漏输出。
输入该脚的数据在显示周期结束后被
锁存
▲ 注意：DIO口输出数据时为N管开漏输出，在读键的时候需要外接1K-10K的上拉电阻。本公
司推荐10K的上拉电阻。DIO在时钟的下降沿控制N管的动作，此时读数时不稳定，你可以
参考图（6），在时钟的上升沿读数才时稳定。
芯片内部电路
10K
DIO
CT
GND
图（1）
2
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LED 驱动控制专用电路 TM1629B
五、 显示寄存器地址和显示模式：
该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到TM1629B 的数据，地址从00H-0FH共16字节
单元，分别与芯片SGE和GRID管脚所接的LED灯对应，分配如下图：
写LED显示数据的时候，按照从显示地址从低位到高位，从数据字节的低位到高位操作。
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
E
E
E
E
E
E
E
E
E
E
E
G
G
G
G
G
G
G
1
2
3
4
5
6
G
7
8
G
G
1
9
0
E
G
G
1
1
1
2
xxHL（低四位） xxHU(高四位) xxHL(低四位) xxHU（高四位）
B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7
00HL 00HU 01HL 01HU GRID1
02HL 02HU 03HL 03HU GRID2
04HL 04HU 05HL 05HU GRID3
06HL 06HU 07HL 07HU GRID4
08HL 08HU 09HL 09HU GRID5
0AHL 0AHU 0BHL 0BHU GRID6
0CHL 0CHU 0DHL 0DHU GRID7
0EHL 0EHU 0FHL 0FHU GRID8
图（2）
没有使用到的SEG输出口，在对应的BIT地址位写0。
写LED显示数据的时候，按照从低位地址到高位地址，从字节的低位到高位操作；在运用中
六、 键扫描和键扫数据寄存器：
键扫矩阵为8×2bit，如下所示：
KS4KS3 KS5KS2KS1 KS8
KS6 KS7
S
E
E
G
G
1
3
X X
1
4
键扫数据储存地址如下所示，先发读键命令后，开始读取按键数据BYTE1—BYTE4字节，读
数据从低位开始输出。芯片K和KS引脚对应的按键按下时，相对应的字节内的 BIT位为1。
3
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K0
K1
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B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7
X X K1 K0 X X K1 K0
KS1 KS2 BYTE1
KS3 KS4 BYTE2
KS5 KS6 BYTE3
KS7 KS8 BYTE4
图（4）
▲注意：1、TM1629B最多可以读4个字节，不允许多读。
2、读数据字节只能按顺序从BYTE1-BYTE4读取，不可跨字节读。例如：硬件上的K1
与KS8对应按键按下时，此时想要读到此按键数据，必须需要读到第4个字节的第6BIT位，才可
读出数据。
3、组合键只能是同一个KS，不同的K引脚才能做组合键；同一个K与不同的KS引脚不
可以做成组合键使用。
七、指令说明：
指令用来设置显示模式和LED 驱动器的状态。
在STB下降沿后由DIO输入的第一个字节作为一条指令。经过译码，取最高B7、B6两位比特
位以区别不同的指令。
B7 B6 指令
0 1 数据命令设置
1 0 显示控制命令设置
1 1 地址命令设置
如果在指令或数据传输时STB被置为高电平，串行通讯被初始化，并且正在传送的指令或数
据无效（之前传送的指令或数据保持有效）。
7.1 数据命令设置：
该指令用来设置数据写和读，B1和B0位不允许设置01或11。
MSB LSB
B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 功能 说明
0 1
0 1 1 0 读键扫数据
0 1 0
0 1 1 固定地址
0 1 0
0 1 1 测试模式
无关项，
填0
0 0
数据读写模式
设置
地址增加模式
设置
测试模式设置
（内部使用）
写数据到显示寄存器
自动地址增加
普通模式
4
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7.2 地址命令设设置：
MSB LSB
B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 显示地址
LED 驱动控制专用电路 TM1629B
1 1
1 1 0 0 0 1 01H
1 1 0 0 1 0 02H
1 1 0 0 1 1 03H
1 1 0 1 0 0 04H
1 1 0 1 0 1 05H
1 1 0 1 1 0 06H
1 1 0 1 1 1 07H
1 1 1 0 0 0 08H
1 1 1 0 0 1 09H
1 1 1 0 1 0 0AH
1 1 1 0 1 1 0BH
1 1 1 1 0 0 0CH
1 1 1 1 0 1 0DH
1 1 1 1 1 0 0EH
1 1 1 1 1 1 0FH
无关项，填
0
0 0 0 0 00H
该指令用来设置显示寄存器的地址。如果地址设为10H 或更高，数据被忽略，直到有
效地址被设定。上电时，地址默认设为00H。
7.3 显示控制：
MSB LSB
B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 功能 说明
1 0
1 0 0 0 1 设置脉冲宽度为 2/16
1 0 0 1 0 设置脉冲宽度为 4/16
1 0 0 1 1 设置脉冲宽度为 10/16
1 0 1 0 0 设置脉冲宽度为 11/16
1 0 1 0 1 设置脉冲宽度为 12/16
1 0 1 1 0 设置脉冲宽度为 13/16
1 0 1 1 1 设置脉冲宽度为 14/16
1 0 0
1 0 1 显示开
无关项，填
0
0 0 0
消光数量设置
显示开关设置
设置脉冲宽度为 1/16
显示关
5
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八、串行数据传输格式：
读取和接收1个BIT都在时钟的上升沿操作。
8.1数据接收（写数据）
LED 驱动控制专用电路 TM1629B
CLK
DIO
STB
8.2数据读取（读数据）
CLK
DIO
12345678
B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7
图（5）
``````12 8
B0 B1 B7`````` B0 B1 B2 B3
STB
送读按键命令 读取按键数据
▲注意：读取数据时，从串行时钟CLK 的第8 个上升沿开始设置指令到CLK 下降沿读数据之
间需要一个等待时间Twait(最小1μS)。
九、 显示和键扫：
9.1 显示
1、驱动共阴数码管：
SEG1
1
Twai t
图（6）
SEG2
1
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
1
1
GRID1
SEG3
SEG4
SEG5
SEG5
SEG6
SEG7
图7给出共阴数码管的连接示意图，如果让该数码管显示“0”，那你需要在GRID1为低
电平的时候让SEG1，SEG2，SEG3，SEG4，SEG5，SEG6为高电平，SEG7为低电平，
查看图（2）显示地址表格，只需在00H地址单元里面写数据3FH就可以让数码管显示“0”。
6
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1
1
1
图（7）
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SEG6
SEG7
A
B
C
D
E
F
G
DPY
e
[LEDgn]
a
bf
g
d
GRID1
c
LED 驱动控制专用电路 TM1629B
SEG8 SEG7 SEG6 SEG5 SEG4 SEG3 SEG2 SEG1
0 0 1 1 1 1 1 1 00H
B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0
2、驱动共阳数码管：
GRID1
1
GRID2
1
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
1
1
SEG1 SEG1
GRID3
GRID4
GRID5
GRID5
GRID6
GRID7
图8给出共阳数码管的连接示意图，如果让该数码管显示“0”，那你需要在GRID1，GRID2，
GRID3，GRID4，GRID5，GRID6为低电平的时候让SEG1为高电平，在GRID7为低电平的时候
让SEG1为低电平。要向地址单元00H，02H，04H，06H，08H，0AH里面分别写数据01H，其
余的地址单元全部写数据00H。
SEG8 SEG7 SEG6 SEG5 SEG4 SEG3 SEG2 SEG1
0 0 0 0 0 0 0 1 00H
0 0 0 0 0 0 0 1 02H
0 0 0 0 0 0 0 1 04H
0 0 0 0 0 0 0 1 06H
0 0 0 0 0 0 0 1 08H
0 0 0 0 0 0 0 1 0AH
0 0 0 0 0 0 0 0 0CH
B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0
▲注意：SEG1-14为P管开漏输出，GRID1-8为N管开漏输出，在使用时候，SEG1-14只能接LED
的阳极，GRID只能接LED的阴极，不可反接。
9.2 键盘扫描：
你可以按照图（9）用示波器观察观察SEG1/KS1和SEG2/KS2的输出波形，SEGN/KSN输出
的波形见图（10）。
1
1
1
GRID6
GRID7
图（8）
A
B
C
D
E
F
G
DPY
e
d
[LEDgn]
a
bf
g
c
7
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vcc
接示波器探头
接示波器探头
1
2
R11kR2
1k
IC在键盘扫描的时候SEGN/KSN的波形：
SEG1/KS1
SEG2/KS2
GRI D4
GRI D3
VSS
GRI D2
GRI D1
GND
DIO
CLK
STB
K0
K1
VDD
SEG1/ KS1
SEG2/ KS2
SEG3/ KS3
SEG4/ KS4 SEG5/ KS5
IC
TM1629 B
图（9）
GRI D5
GRI D6
VSS
GRI D7
GRI D8
VDD
SEG14
SEG13
SEG12
SEG11
SEG10
SEG9
SEG8/KS8
SEG7/KS7
SEG6/KS6
SEG3/KS3
SEGN/KSN
Tdisp=500us
图（10）
Tdisp和IC工作的振荡频率有关，我公司的TM1629B经过多次完善，振荡频率不完全一致。
500US仅仅提供参考，以实际测量为准。
一般情况下我们使用图（11），可以满足按键设计的要求。
图（11）
当S1被按下的时候，在第1个字节的B0读到“1”。如果多个按键被按下，将会读到多个“1”，
8
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当S2，S3被按下的时候，可以在第1个字节的B1，B3读到“1”。
十、 应用时串行数据的传输：
10.1 地址增加模式
使用地址自动加1模式，设置地址实际上是设置传送的数据流存放的起始地址。起始地址命
令字发送完毕，“STB”不需要置高紧跟着传数据，最多16BYTE，数据传送完毕才将“STB”置
高。
CLK
DIO
STB
Command1 Co mmand2 Co mmand 3 Command4Data1 Data2 Data n```````
Command1: 设置显示模式
Command2: 设置数据命令
Command3: 设置显示地址
Data1～ n: 传输显示数据至Command3地址和后面的地址内（最多16 bytes）
Command4: 显示控制命令
10.2 固定地址模式
使用固定地址模式，设置地址其实际上是设置需要传送的1BYTE数据存放的地址。地址发
送完毕，“STB”不需要置高，紧跟着传1BYTE数据，数据传送完毕才将“STB”置高。然后重
新设置第2个数据需要存放的地址，最多16BYTE数据传送完毕，“STB”置高。
CLK
DIO
STB
Comm and1 Command2 Comm and3 Comm and4Data1 Data2 Co mm and5```````
Command1: 设置显示模式
Command2: 设置数据命令
Command3: 设置显示地址1
Data1: 传输显示数据1至Command3地址内
Command4: 设置显示地址2
Data2: 传输显示数据2至Command4地址内
Command5: 显示控制命令
10.3 读按键时序
CLK
DIO
Command1 Data1 D a t a2 D ata3 Data4
STB
Command1: 设置显示模式
Data1～4:读取按键数据
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10.4 程序设计流程图
采用自动加一地址程序流程图：
LED 驱动控制专用电路 TM1629B
开始
初始化
设置写显存的数据命令，
0C0H
1Byte
1（40H
）
采用地址自动加
设置起始地
址（
N
o
传送
显示数据
）
设置读键数据
读
1BTYE
42H
内
命令（
N
o
容
将按键值存放在
MCU
的寄存器中
读完
4BYTE
吗？
Yes Yes
）
16BYTE
传送完毕了？
数据
有按键被按
下吗？
Yes
传显示控制命令设置
8FH
最高亮度（
）
按键处理程
序
结束
10
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N
o
采用固定地址的程序设计流程图：
开始
初始化
设置写显存的数据命令
采用固定地址（
44H
）
LED 驱动控制专用电路 TM1629B
传显示控制命令设置
最高亮度（
设置读键数据
命令（
N
o
读
42H
1BTYE
容
8FH
）
内
）
设置地址
（
0C0H
）
传送
1BYTE
数据
重新设置地
址（
0C1H
）
传送
1BY TE
数据
……
传完所
有的数据
将按键值存放在
MCU
的寄存器中
读完
4BY TE
吗？
Yes Yes
有按键被按
下吗？
按键处理程
序
N
o
结束
11
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十一．应用电路：
11.1 TM1629B驱动共阳数码屏硬件电路，如图（16）：
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
LED1
a
b
c
d
e
f
g
dp
LED7
a
b
c
d
e
f
g
dp
LED13
a
b
c
d
e
f
g
dp
LED2
SG1
SG2
SG3
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
a
b
c
d
e
f
g
dp
LED8
a
b
c
d
e
f
g
dp
LED14
a
b
c
d
e
f
g
dp
DPY
a
bf
g
SG4
c
e
d
dp
DPY
a
bf
g
SG5
c
e
d
dp
DPY
a
bf
g
SG6
c
e
d
dp
DPY
a
bf
g
c
e
d
dp
DPY
a
bf
g
c
e
d
dp
DPY
a
bf
g
c
e
d
dp
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
LED3
a
b
c
d
e
f
g
dp
LED9
a
b
c
d
e
f
g
dp
LED15
a
b
c
d
e
f
g
dp
DPY
a
bf
g
SG7
c
e
d
dp
DPY
a
bf
g
SG8
c
e
d
dp
DPY
a
bf
g
SG9
c
e
d
dp
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
LED4
a
b
c
d
e
f
g
dp
LED10
a
b
c
d
e
f
g
dp
LED16
a
b
c
d
e
f
g
dp
LED5
SG10
SG11
SG12
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
GR1
GR2
GR3
GR4
GR5
GR6
GR7
GR8
a
b
c
d
e
f
g
dp
LED11
a
b
c
d
e
f
g
dp
DPY
a
bf
g
SG13
c
e
d
dp
DPY
a
bf
g
SG14
c
e
d
dp
DPY
a
bf
g
c
e
d
dp
DPY
a
bf
g
c
e
d
dp
DPY
a
bf
g
c
e
d
dp
SG1
VCC
C1
100uF
注:滤波电容与芯片
之间回路尽量短
GND
SG2
C2
104
VDD,
.
SG3
S8 S11 S14 S17 S20 S23S5S2
S9 S12 S15 S18 S21 S24S6S3
SG4
DIO
CLK
STB
SG5
VCC
SG6
10K
R3
10K
R2
10K
R1
C3
C4
C5
101
101
101
VCC
SG7
GR4 GR5
GR3
GR2
GR1
K0
K1
SG1
SG2
SG3
SG4 SG5
SG8
IC3
GRID4
GRID3
VSS
GRID2
GRID1
GND
DIO
TM162 9B
CLK
STB
K0
K1
VDD
SEG1/ KS1
SEG2/ KS2
SEG3/ KS3
SEG4/ KS4 SEG5/ KS5
GRI D5
GRI D6
VSS
GRI D7
GRI D8
VDD
SEG14
SEG13
SEG12
SEG11
SEG10
SEG9
SEG8/ KS8
SEG7/ KS7
SEG6/ KS6
K0
K1
GR6
GR7
GR8
SG14
SG13
SG12
SG11
SG10
SG9
SG8
SG7
SG6
图（16）
12
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LED 驱动控制专用电路 TM1629B
11．2 TM1629B驱动共阴数码屏硬件电路，如图（17）：
led1
SG1
DPY
a
SG2
a
b
SG3
c
SG4
d
SG5
e
e
SG6
f
SG7
[LEDgn]
g
led2
SG1
a
SG2
b
SG3
c
SG4
d
SG5
e
e
SG6
f
SG7
[LEDgn]
g
led3
SG1
a
SG2
b
SG3
c
SG4
d
SG5
e
e
SG6
f
SG7
[LEDgn]
g
SG1
SG2
d
DPY
d
DPY
d
GR1
bf
g
c
a
GR2
bf
g
c
a
GR3
bf
g
c
SG3
S8 S11 S14 S17 S20 S23S5S2
S9 S12 S15 S18 S21 S24S6S3
led4
SG1
DPY
a
SG2
a
b
SG3
c
SG4
d
SG5
e
e
SG6
f
SG7
[LEDgn]
g
led5
SG1
a
SG2
b
SG3
c
SG4
d
SG5
e
e
SG6
f
SG7
[LEDgn]
g
led6
SG1
a
SG2
b
SG3
c
SG4
d
SG5
e
e
SG6
f
SG7
[LEDgn]
g
SG4
d
DPY
d
DPY
d
GR4
bf
g
c
a
GR5
bf
g
c
a
GR6
bf
g
c
led7
SG1
DPY
a
SG2
a
b
SG3
c
bf
g
SG4
d
SG5
e
c
e
SG6
d
f
SG7
[LEDgn]
g
led8
SG1
DPY
a
SG2
a
b
SG3
c
bf
g
SG4
d
SG5
e
e
c
d
SG6
f
SG7
[LEDgn]
g
led9
SG8
DPY
a
SG9
a
b
SG10
c
bf
g
SG11
d
SG12
e
c
e
SG13
d
f
SG14
[LEDgn]
g
SG5
SG6
GR7
GR8
GR1
SG8
SG9
SG10
SG11
SG12
SG13
SG14
SG8
SG9
SG10
SG11
SG12
SG13
SG14
SG8
SG9
SG10
SG11
SG12
SG13
SG14
SG7
led10
a
b
c
d
e
f
g
led11
a
b
c
d
e
f
g
led12
a
b
c
d
e
f
g
DPY
g
e
d
[LEDgn]
DPY
g
e
d
[LEDgn]
DPY
g
e
d
[LEDgn]
led13
SG8
DPY
a
a
bf
c
a
bf
c
a
bf
c
SG9
SG10
GR2
SG11
SG12
SG13
SG14
SG8
SG9
SG10
GR3
SG11
SG12
SG13
SG14
SG8
SG9
SG10
SG11
GR4
SG12
SG13
SG14
SG8
SG9
SG10
SG11
SG12
SG13
SG8
SG14
b
c
d
e
f
g
led14
a
b
c
d
e
f
g
led15
a
b
c
d
e
f
g
led16
a
b
c
d
e
f
g
e
[LEDgn]
e
[LEDgn]
e
[LEDgn]
e
[LEDgn]
K0
K1
d
DPY
d
DPY
d
DPY
d
a
GR5
bf
g
c
a
GR6
bf
g
c
a
GR7
bf
g
c
a
GR8
bf
g
c
VCC
C1
C2
100uF
104
注:滤波电容与芯片
之间回路尽量短
GND
VDD,
.
DIO
CLK
STB
VCC
10K
R3
10K
R2
10K
R1
C3
C4
C5
101
101
VCC
101
GR4 GR5
GRID4
GR3
GRID3
VSS
GR2
GRID2
GR1
GRID1
GND
DIO
CLK
TM162 9 B
STB
K0
K0
K1
K1
VDD
SG1
SEG1/KS1
SG2
SEG2/KS2
SG3
SEG3/KS3
SG4 SG5
SEG4/KS4 SEG5/ KS5
图（17）
▲注意： 1、VDD、GND之间滤波电容在PCB板布线应尽量靠近TM1629B芯片放置，加强
滤波效果。
2、连接在DIO、CLK、STB通讯口上三个100P电容可以降低对通讯口的干扰。
3、因蓝光数码管的导通压降压约为3V，因此TM1629B供电应选用5V。
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
VDD
SEG14
SEG13
SEG12
SEG11
SEG10
SEG9
SEG8 / KS8
SEG7 / KS7
SEG6 / KS6
GR6
VSS
GR7
GR8
SG14
SG13
SG12
SG11
SG10
SG9
SG8
SG7
SG6
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十二、 电气参数：
极限参数（Ta = 25℃, Vss = 0 V）
参数 符号 范围 单位
逻辑电源电压 VDD -0.5 ～+7.0 V
逻辑输入电压 VI1 -0.5 ～ VDD + 0.5 V
LED Seg 驱动输出电流 IO1 -50 mA
LED Grid 驱动输出电流 IO2 +200 mA
功率损耗 PD 400 mW
工作温度 Topt -40 ～ +80 ℃
储存温度 Tstg -65 ～+150 ℃
正常工作范围（Ta = -20 ～ +70℃，Vss = 0 V）
参数 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件
逻辑电源电压 VDD 5 V -
高电平输入电压 VIH 0.7 VDD - VDD V -
低电平输入电压 VIL 0 - 0.3 VDD V -
电气特性（Ta = -20 ～ +70℃，VDD = 4.5 ～ 5.5 V， Vss = 0 V
参数 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件
Ioh1 -20 -25 -40 mA
高电平输出电流
Ioh2 -20 -30 -50 mA
低电平输出电流 IOL1 80 140 - mA
低电平输出电流 Idout 4 - - mA VO = 0.4V，dout
Seg1~Seg11，
Vo = vdd-2V
Seg1~Seg11，
Vo = vdd-3V
Grid1~Grid6
Vo=0.3V
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高电平输出电流容许量 Itolsg - - 5 %
输出下拉电阻 RL 10 KΩ K1~K3
输入电流 II - - ±1 μA VI = VDD / VSS
高电平输入电压 VIH
低电平输入电压 VIL - -
滞后电压 VH - 0.35 - V CLK，DIN，STB
动态电流损耗 IDDdyn - - 5 mA 无负载，显示关
0.7
VDD
- V CLK，DIN，STB
0.3
VDD
V CLK，DIN，STB
VO = VDD – 3V，
Seg1～Seg11
开关特性（Ta = -20 ～ +70℃，VDD = 4.5 ～ 5.5 V）
参数 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件
振荡频率 fosc - 500 - KHz R = 16.5 KΩ
tPLZ - - 300 ns CLK → DOUT
传输延迟时间
tPZL - - 100 ns CL = 15pF, RL = 10K Ω
TTZH 1 - - 2 μs
上升时间
TTZH
2
下降时间 TTHZ - - 120 μs CL = 300pF，Segn， Gridn
最大时钟频率 Fmax 1 - - MHz 占空比50%
输入电容 CI - - 15 pF -
- - 0.5 μs
CL =
300p F
Seg1～Seg11
Grid1～Grid4
Seg12/Grid7～
Seg14/Grid5
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时序特性（Ta = -20 ～ +70℃，VDD = 4.5 ～ 5.5 V）
参数 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件
时钟脉冲宽度 PWCLK 400 - - ns -
选通脉冲宽度 PWSTB 1 - - μs -
数据建立时间 tSETUP 100 - - ns -
数据保持时间 tHOLD 100 - - ns -
CLK →STB 时间
等待时间 tWAIT 1 - - μs CLK↑→CLK↓
tCLK
STB
1 - - μs CLK↑→STB↑
时序波形图：
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十三、 封装尺寸
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All specs and applications shown above subject to change without prior notice.
(以上电路及规格仅供参考,如本公司进行修正，恕不另行通知。)
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修订历史
版本 发行日期 修订简介
V1.0 2008-08-04 修订版发行
V1.1 2012-07-16 修订版发行
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