本译文仅供参考，如有翻译错误，请以英文原稿为准
PM0042
编程手册
编程手册
编程手册编程手册
STM32F10x闪存编程
简介
简介
简介简介
本编程手册介绍了如何烧写STM32F10x微控制器的闪存存储器。
STM32F10x内嵌的闪存存储器可以用在线编程(ICP)或在程序中编程(IAP)烧写。
在线编程(In-Circuit Programming – ICP)方式用于更新闪存存储器的全部内容，它通过JTAG或
SWD协议下载用户应用程序到微控制器中。ICP是一种快速有效的流程，消除了封装和管座的
困扰。
与ICP方式对应，在程序中编程(In-Application Programming – IAP)可以使用微控制器支持的任一
种通信接口(如I/O端口、USB、CAN、UART等)下载程序或数据到存储器中。IAP允许你在程序
运行时重新烧写闪存存储器中的内容。然而，IAP要求至少有一部分程序已经用ICP烧到某个闪
存块中。
本文的内容适用于STM32F101和STM32F103系列。
闪存接口是在AHB协议上实现了对指令和数据的访问，通过对存储器的分区和预取缓存的实
现，加快了存储器的访问；闪存接口还实现了闪存编程和擦除所需的逻辑电路，这里还包括访
问和写入保护以及选择字节的控制。
闪存编程
闪存编程闪存编程
STM32F10x闪存编程
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目录
目录
目录目录
1 概述 ................................................................................................................................................................... 4
1.1 特性 ....................................................................................................................................................... 4
1.2 闪存模块组织 ....................................................................................................................................... 4
2 读/编写STM32F10x内置闪存.......................................................................................................................... 6
2.1 简介 ....................................................................................................................................................... 6
2.2 读操作 ................................................................................................................................................... 6
2.2.1 取指令 ....................................................................................................................................... 6
2.2.2 D-Code接口............................................................................................................................... 6
2.2.3 闪存访问控制器 ....................................................................................................................... 6
2.2.4 信息模块访问 ........................................................................................................................... 7
2.3 闪存编程和擦除控制器(FPEC)........................................................................................................... 7
2.3.1 键值 ........................................................................................................................................... 7
2.3.2 解除闪存锁 ............................................................................................................................... 7
2.3.3 闪存编程 ................................................................................................................................... 7
2.3.4 信息块的编程 ........................................................................................................................... 8
2.3.5 闪存擦除 ................................................................................................................................... 9
2.4 保护 ..................................................................................................................................................... 11
2.4.1 读保护 ..................................................................................................................................... 11
2.4.2 写保护 ..................................................................................................................................... 11
2.4.3 信息块保护 ............................................................................................................................. 12
2.5 选择字节加载 ..................................................................................................................................... 12
2.6 低功耗管理 ......................................................................................................................................... 13
3 寄存器说明 ..................................................................................................................................................... 14
3.1 闪存访问控制寄存器(FALSH_CR)................................................................................................... 14
3.2 FPEC键寄存器(FLASH_KEYR)........................................................................................................ 15
3.3 闪存OPTKEY寄存器(FLASH_OPTKEYR)...................................................................................... 15
3.4 闪存状态寄存器(FLASH_SR)........................................................................................................... 16
3.5 闪存控制寄存器(FLASH_CR)........................................................................................................... 17
3.6 闪存地址寄存器(FLASH_AR)...........................................................................................................18
3.7 选择字节寄存器(FLASH_OBR)........................................................................................................ 19
3.8 写保护寄存器(FLASH_WRPR)......................................................................................................... 20
3.9 闪存寄存器映像 ................................................................................................................................. 21
4 版本历史 ......................................................................................................................................................... 22
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术语
术语
术语术语
下面列出了本文档中所用到的术语和缩写的简要说明：
Cortex-M3内核集成了两个调试端口：
− JTAG调试接口(JTAG-DP)提供基于JTAG(Joint Test Action Group 联合测试行动小组)
协议的5线标准接口。
− SWD调试接口(SWD-DP)提供基于SWD(Serial Wire Debug 串行线调试)协议的2线标
准接口。
有关JTAG和SWD协议，请参考Cortex M3 Technical Reference Manual。
选择字节：存放在闪存中的产品配置位。
字(Word)：32位长的数据或指令
半字(Half Word)：16位长的数据或指令
字节(Byte)：8位长的数据或指令
FPEC(FLASH Program/Erase controller 闪存编程/擦除控制器)：对内置闪存的写操作是由一
个内嵌的FPEC管理的。
IAP(In-Application Programming)：IAP是在用户程序运行时对闪存微控制器中存储器重新
编程的一种能力。
ICP(In-Circuit Programming)：ICP是在芯片安装在用户应用板上后通过JTAG协议对闪存微
控制器中存储器编程的一种能力。
I-Code：这是连接Cortex-M3核心的指令总线与闪存程序存储器接口的总线，指令预取是在
这个总线上实现的。
D-Code：这是连接Cortex-M3核心的D-Code总线(常数和调试访问)与闪存数据存储器接口
的总线。
SIF：用户选择字节的小信息块(详见图4)。
AHB：先进高性能总线。
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1 概述
1.1 特性
1.2 闪存
概述
概述概述
特性
特性特性
128K字节闪存
擦写周期：1000次
存储器配置：
闪存接口的特性：
带预取缓冲器的读接口(2x64位)
选择字节加载
闪存编程/擦除操作
读出/写入保护
闪存模块组织
闪存闪存
存储器组织成主存储器块和信息块；主存储器块包含128页，每页1K字节；信息块包括2页(2K
字节和0.5K字节)；如表一：
− 主存储块：16K x 64位
− 信息块：320 x 64位
模块组织
模块组织模块组织
表一
表一 闪存
表一表一
闪存模块组织
模块组织
闪存闪存
模块组织模块组织
块
块 名称
块块
主存储器
信息块
闪存寄存器
名称 地址范围
名称名称
页0
页1
页2
页3
页4~7
页8~11
.
.
.
页124~127
启动程序代码
用户选择字节
FLASH_ACR 0x4002 2000 – 0x4002 2003
FLASH_KEYR 0x4002 2004 – 0x4002 2007
FLASH_OPTKEYR 0x4002 2008 – 0x4002 200B
FLASH_SR 0x4002 200C – 0x4002 200F
FLASH_CR 0x4002 2010 – 0x4002 2013
FLASH_AR 0x4002 2014 – 0x4002 2017
保留
FLASH_OBR 0x4002 201C – 0x4002 201F
FLASH_WRPR 0x4002 2020 – 0x4002 2023
保留
0x0800 0000 – 0x0800 03FF
0x0800 0400 – 0x0800 07FF
0x0800 0800 – 0x0800 0BFF
0x0800 0C00 – 0x0800 0FFF
0x0800 1000 – 0x0800 1FFF
0x0800 2000 – 0x0800 2FFF
0x0801 F000 – 0x0801 FFFF
0x1FFF F000 – 0x1FFF F7FF
0x1FFF F800 – 0x1FFF F9FF
0x4002 2018 – 0x4002 201B
0x4002 2024 – 0x4002 2087
地址范围 长度
地址范围地址范围
.
.
.
长度(字节
字节)
长度长度
字节字节
4 x 1K
4 x 1K
4 x 1K
.
.
.
4 x 1K
2K
512
4
4
4
4
4
4
4
4
4
100
闪存存储器被组织成32位宽的存储器单元，可以存放代码和数据常数。每一个STM32F10x微控
制器的闪存模块都有一个特定的启始地址，有关的启始地址请参考STM32F10x
系统存储器是用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序，这个区域只保留给ST使用；ST在
生产线上对这个区域编程并锁定以防止用户擦写。
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参考手册
。
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对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由
内部产生。
闪存存储器有两种保护方式防止非法的访问(读、写、擦除)：
页写入保护
读出保护
详情请参考2.4节。
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地
进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。
进行闪存编程操作时(写或擦除)，必须打开内部的RC振荡器(HSI)。
闪存存储器可以用ICP或IAP方式编程。
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2 读读读读/编写
2.1 简介
2.2 读操作
2.2.1 取指令
预取缓冲器
编写 STM32F10x 内置
编写编写
简介
简介简介
本节介绍如何读和对STM32F10x的内置闪存编程
读操作
读操作读操作
内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何32位数据的读操作都能访问闪存模块的内容
并得到相应的数据。
读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个AHB接口与CPU衔接。这个接口的主要工作就
是产生读闪存的控制信号并预取CPU要求的指令块，预取指令块仅用于在I-Code总线上的取指
操作，数据常量是通过D-Code总线访问的。这两条总线的访问目标是相同的闪存模块，访问D-
Code将比预取指令优先级高。
取指令
取指令取指令
Cortex-M3在I-Code总线上取指令，在D-Code总线上取数据。预取指令块可以有效地提高对ICode总线访问的效率。
预取缓冲器
预取缓冲器预取缓冲器
预取缓冲器包含两个数据块，每个数据块有8个字节；预取指令(数据)块直接映像到闪存中，因
为数据块的大小与闪存的宽度相同，所以读取预取指令块可以在一个读周期完成。
内置闪存
内置内置
闪存
闪存闪存
设置预取缓冲器可以使CPU更快地执行，CPU读取一个字的同时下一个字已经在预取缓冲器中
等候，即当代码跳转的边界为8字节的倍数时，闪存的加速比例为2。
预取控制器
注意： 当
注意： 当使用了预取缓冲器和
访问时间调节
2.2.2 D-Code接口
预取控制器
预取控制器预取控制器
预取控制器根据预取缓冲器中可用的空间决定是否访问闪存，预取缓冲器中有至少一块的空余
空间时，预取控制器则启动一次读操作。
清除闪存访问控制寄存器中的一个控制位能够关闭预取缓冲器，这样预取缓冲器将处于关闭状
态。
AHB
时钟的预分频系数不为“1”时，必须打开预取缓冲器
如果在系统中没有高频率的时钟，即HCLK频率较低时，闪存的访问只需半个HCLK周期(半周
期的闪存访问只能在时钟频率低于8MHz时进行，使用HIS或HSE并且关闭PLL时可得到这样的
频率)；在闪存访问控制寄存器中有一个控制位可以选择这种工作方式。
访问时间调节
访问时间调节访问时间调节
为了维持读闪存的控制信号，预取控制器的时钟周期与闪存访问时间的比例由闪存访问控制器
控制；这个值给出了能够正确地读取数据时，闪存控制信号所需的时钟周期数目；复位后，该
值为1，闪存访问为两个时钟周期(FLASH_ACR的复位值为01，长度=1)。
接口
接口接口
(FLASH_ACR[4]= 1 )。
AHB
时钟的预分频系数不为“1”时，不能使用半周期访问方式。
D-Code接口包含CPU端简单的AHB接口和对闪存访问控制器的仲裁器提出访问请求的逻辑电
路。D-Code的访问优先于预取指令的访问。这个接口使用预取缓冲器的访问时间调节模块。
2.2.3 闪存访问控制器
闪存访问控制器
闪存访问控制器闪存访问控制器
这个模块就是在I-Code上的指令预取请求和D-Code接口上读请求的仲裁器。
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D-Code接口的请求优先于I-Code的请求。
2.2.4 信
2.3 闪存编程和擦除控制器
2.3.1 键值
信息模块访问
息模块访问
信信
息模块访问息模块访问
信息模块的内容可以通过I-Code总线执行并且可以在D-Code总线上读出，小信息模块可以在任
一模式下读写。
选择字节模块包含配置选择字节和其他用户定义的信息。
闪存编程和擦除控制器(FPEC)
闪存编程和擦除控制器闪存编程和擦除控制器
FPEC模块处理闪存的编程和擦除操作，它包括7个32位的寄存器：
FPEC键寄存器(FLASH_KEYR)
选择字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR)
闪存控制寄存器(FLASH_CR)
闪存状态寄存器(FLASH_SR)
闪存地址寄存器(FLASH_AR)
选择字节寄存器(FLASH_OBR)
写保护寄存器(FLASH_WRPR)
只要CPU不访问闪存，闪存操作不会延缓CPU的执行。
键值
键值键值
共有三个键值：
RDPRT键 = 0x000000A5
KEY1 = 0x45670123
KEY2 = 0xCDEF89AB
2.3.2 解除闪存锁
2.3.3 闪存编程
解除闪存锁
解除闪存锁解除闪存锁
复 位后 ，FPEC模 块 是 被保 护 的 ， 不能 写 入 FLASH_CR寄 存 器； 通 过写 入特 定 的 序 列到
FLASH_KEYR寄存器可以打开FPEC模块，这个特定的序列是两个键值(KEY1和KEY2，见2.3.1
节)；写入任何其他序列都会在下次复位前锁死FPEC模块和FLASH_CR寄存器。
写入错误的键序列还会产生总线错误；总线错误发生在第一次写入的不是KEY1，或第一次写入
的是 KEY1但 第二 次 写入的 不是KEY2时 ；FPEC模 块和FLASH_CR寄 存器可 以由程 序设置
FLASH_CR寄存器中的LOCK位锁住，这时可以通过在FLASH_KEYR中写入正确的键值对FPEC
解锁。
闪存编程
闪存编程闪存编程
每次闪存编程可以写入16位。当FLASH_CR寄存器的PG位为1时，写入一个半字到一个闪存地
址将启动一次编程；写入任何非半字的数据，FPEC都会产生总线错误。在编程过程中(BSY位
为1)，任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束。
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BSY位= 1？
图一
图一 编程过程
图一图一
编程过程
编程过程编程过程
读FLASH_CR的LOCK位
标准编程
标准编程
标准编程标准编程
这种模式下CPU以标准的半字写的方式烧写闪存，FLASH_CR寄存器的PG位必须置1。FPEC先
读出指定地址的内容并检查它是否被擦除，如未被擦除则不执行编程并在FLASH_SR寄存器的
PGERR位提出警告(唯一的例外是当要烧写的数值是0x0000时，0x0000可被正确烧入且PGERR
位不置位)；如果指定的地址在FLASH_WRPR中指定为写保护，则不执行编程并在FLASH_SR
寄存器的WRPRTERR位置1提出警告。FLASH_SR寄存器的EOP为1时表示编程结束。
标准的闪存编程顺序如下：
LOCK位=1
= 0
置FLASH_CR的PG位=1
在指定的地址写入半字(16位)
FLASH_SR的
= 0
读编程地址并检查写入的数据
= 1
= 1
执行解锁序列
检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作；
设置FLASH_CR寄存器的PG位为1；
写入要编程的半字到指定的地址；
等待BSY位变为0；
读出写入的地址并验证数据。
注意： 当
2.3.4 信息块的编程
选择字节编程
FLASH_SR
信息块的编程
信息块的编程信息块的编程
选择字节编程
选择字节编程选择字节编程
寄存器的
选择字节是通过特殊的地址进行编程。选择字节只有6个字节(4个用于写保护，1个由于读保
护 ， 另 一 个 用 于 器 件 配 置 ) 。 对 FPEC 解 锁 后 ， 分 别 写 入 KEY1 和 KEY2(见 2.3.1 节 ) 到
FLASH_OPTKEYR，再设置FLASH_CR寄存器的OPTWRE位为1，此时可以对小信息块进行编
程：设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1后写入半字到指定的地址。
FPEC先读出指定地址的选择字节内容并检查它是否被擦除，如未被擦除则不执行编程并在
FLASH_SR寄存器的WRPRTERR位提出警告。FLASH_SR寄存器的EOP为1时表示编程结束。
FPEC使用半字中的低字节并自动地计算出高字节(高字节为低字节的反码)，并开始编程操作，
这将保证选择字节和它的反码始终是正确的。
烧写编程的顺序如下：
BSY
位为1时，不能对任何寄存器执行写操作。
检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作；
设置FLASH_CR寄存器的OPTWRE位为1；
设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1；
写入要编程的半字到指定的地址；
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BSY位= 1？
等待BSY位变为0；
读出写入的地址并验证数据。
当读闪存保护选项从“保护”变为“未保护”时，在重新设置读保护选项前会自动执行一个全
部擦除用户闪存的操作。如果用户要改变读保护之外的选项，则不会出现全部擦除操作。读保
护选项上的这一擦除操作保护了闪存中的内容不被非法读出。
数据编程
数据编程
数据编程数据编程
选择字节块之后剩余的字节(在0x1FFF F804未用的OPT字节)可以用于存储数据。对这部分地址
的编程可以通过标准编程操作完成。
擦除过程
擦除过程
擦除过程擦除过程
小信息块的擦除顺序(OPTERASE)如下：
检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作；
设置FLASH_CR寄存器的OPTWRE位为1；
设置FLASH_CR寄存器的OPTER位为1；
设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1；
等待BSY位变为0；
读出小信息块并做验证。
2.3.5 闪存擦除
闪存擦除
闪存擦除闪存擦除
闪存可以按页擦除，也可以全部擦除。
页擦除
页擦除
页擦除页擦除
闪存的任何一页都可以通过FPEC的页擦除功能擦除；擦除一页应遵守下述过程：
检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作；
用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页；
设置FLASH_CR寄存器的PER位为1；
设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1；
等待BSY位变为0；
读出被擦除的页并做验证。
图二
图二 闪存页擦除过程
图二图二
闪存页擦除过程
闪存页擦除过程闪存页擦除过程
读FLASH_CR的LOCK位
LOCK位=1
= 0
在FLASH_AR中选择要擦除的页
置FLASH_CR的
PER = 1； STRT = 1
FLASH_SR的
= 0
读出并验证被擦除页的数据
= 1
= 1
执行解锁过程
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全部
全部擦除
全部全部
可以用全部擦除功能擦除所有用户区的闪存，信息块不受此操作影响。建议使用下述过程：
检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作；
设置FLASH_CR寄存器的MER位为1；
设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1；
等待BSY位变为0；
读出所有页并做验证。
图三
图三 闪存全擦除过程
图三图三
擦除
擦除擦除
闪存全擦除过程
闪存全擦除过程闪存全擦除过程
读FLASH_CR的LOCK位
LOCK位=1
= 0
FLASH_SR的
BSY位= 1？
= 1
= 1
执行解锁过程
= 0
读出并验证所有页的数据
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2.4 保护
2.4.1 读保护
保护
保护保护
闪存中的用户代码区可以防止非法的读出；闪存区可以以每4页为单位加以保护，以防止在程序
跑飞的情况下不被意外地改变。
读保护
读保护读保护
这项保护是通过设置信息块中的一个选择字节启动的。当保护字节被写入相应的值以后，在调
试模式中将不允许读出闪存存储器，所有在RAM中加载和执行的功能(如JTAG/SWD，从RAM
启动等)仍然有效，这样可以用于解除读保护(访问闪存仍然被禁止)。当启动读保护后，第0~3页
被自动加上了写保护。当信息块中的访问保护选择字节被修改到未保护状态时，全部擦除操作
将自动运行。
当RDP选择字节和它的反码包含下列数值对时，闪存被置于保护状态：
表二
表二 闪存存储器保护状态
表二表二
RDP字节的值
0xFF 0xFF
RDP
任意值 非RDP字节的反码 保护
闪存存储器保护状态
闪存存储器保护状态闪存存储器保护状态
字节的值 RDP反码的值
字节的值字节的值
反码的值 读保护状态
反码的值反码的值
RDP字节的反码 未保护
读保护状态
读保护状态读保护状态
保护
注意： 擦除选择字节块将不会导致自动的全部擦除操作，因为擦除选择字节的结果
态。
0xFF
相当于保护状
未保护
2.4.2 写保护
未保护
未保护未保护
解除读保护的过程是：
擦除整个小信息块(用户部分)，读保护码(RDP)将变为0xFF，此时读保护仍然有效；
写入正确的RDP代码0xA5以解除存储器的保护，该操作将导致对所有用户闪存的全部擦除
操作；
进行复位(上电复位)以重新加载选择字节(和新的RDP代码)，此时读保护被解除。
写保护
写保护写保护
写保护是以每4页为单位实现的，这样使用32个选择位可以控制到128K字节。以4K位单位实施
保护也是合理的，因为通常启动代码都会大于1K。下表列出了对用户页面保护措施：
表三
表三 用户页面的保护
表三表三
用户页面的保护
用户页面的保护用户页面的保护
RDP WRP
有效 有效 CPU只能读；禁止调试和非法访问
有效 无效 CPU可以读写；禁止调试和非法访问；页0为写保护
无效 有效 CPU可读；允许调试和非法访问
无效 无效 CPU可以读写；允许调试和非法访问
作用
作用
作用作用
如果试图在一个受保护的页面进行编程或擦除操作，在闪存状态寄存器(FLASH_SR)中会返回一
个保护错误标志。
解除保护
解除保护
解除保护解除保护
下属步骤用于解除写保护：
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使用闪存控制寄存器(FLASH_CR)的OPTER位擦除整个小信息块(用户部分)；
烧写RDP代码(用于解除读保护)；
烧写正确的RDP代码0xA5，允许读访问；
进行系统复位，重装载选择字节(包含新的WRP[3:0]字节)；写保护被解除。
2.4.3 信息块保护
选择字节块写保护
2.5 选择字节加载
信息块保护
信息块保护信息块保护
选择字节块写保护
选择字节块写保护选择字节块写保护
默认状态下，选择字节块始终是可以读且被写保护。要想对选择字节块进行写操作(编程/擦除)
首先要在OPTKEYR中写入正确的键序列(与上锁时一样)，随后选择字节块的写操作被允许，
FLASH_CR寄存器的OPTWRE位标示允许写，清除这位将禁止写操作。
选择字节加载
选择字节加载选择字节加载
在闪存的信息块中，存放了一组选择字节；这些字节包含产品的配置信息(如封装等)。用
户部分的选择字节可以由用户根据应用程序自己选择，选择软件的看门狗或硬件的看门狗
就是一个很好的例子。
选择字节中一个32位的字被分为下述几部分：
表四
表四 选择字节格式
表四表四
信息块中选择字节的组织结构如下：
表五
表五 信息块的组织结构
表五表五
选择字节格式
选择字节格式选择字节格式
位31~24 位23~16 位15~8 位7~0
选择字节1的反码 选择字节1 选择字节0的反码 选择字节0
信息块的组织结构
信息块的组织结构信息块的组织结构
块
块 地址
块块
保留
小信息块
(SIF)
选择字节有6个字节，他们主要用于保护内部的闪存接口(读出和写入操作)，只有一个字节用于
用户的程序功能。
地址
地址地址
0x1FFF F7F8
0x1FFF F7FC
0x1FFF F800 nUSER USER nRDP RDP
0x1FFF F804
0x1FFF F808 nWRP1 WRP1 nWRP0 WRP0
0x1FFF F80C nWRP3 WRP3 nWRP2 WRP2
[31:24] [23:16] [15:8] [7:0]
保留
保留
未用
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表六
表六 用户选择字节说明
表六表六
用户选择字节说明
用户选择字节说明用户选择字节说明
RDP：读出保护选择字节
读出保护功能帮助用户保护存在闪存中的软件。该功能由设置信息块中的一个选择字节启用。
写入正确的数值(RDPRT键=0x00A5)到这个选择字节后，闪存被开放允许读出访问。
USER：用户选择字节
这个字节用于配置下列功能：
− 选择看门狗事件：硬件或软件
− 进入停机(STOP)模式时的复位事件
− 进入待机模式时的复位事件
位19:23 0xFF：不用
nRST_STDBY
位 18
位 17
0：当进入待机模式时产生复位
1：进入待机模式时不产生复位
nRST_STOP
0：当进入停机(STOP)模式时产生复位
1：进入停机(STOP)模式时不产生复位
WDG_SW
位 16
WRPx：闪存写保护选择字节
用户选择字节WRPx中的每个位用于保护主存储器中4页的内容，每页为1K字节。总共有4个用
户选择字节用于保护所有128K主闪存。
WRP0：页0至页31的写保护
WRP1：页32至页63的写保护
WRP2：页64至页95的写保护
WRP3：页96至页127的写保护
每次系统复位后，选择字节装载器读出信息块的数据并保存在寄存器中；每个选择位都在信息
块中有它的反码位，在装载选择位时反码位用于验证选择位是正确的，如果有任何的差别，将
产生一个选择字节错误标志(OPTERR)。当发生选择字节错误时，对应的选择字节被强置为
0xFF。当选择字节和它的反码均为0xFF时(擦除后的状态)，上述验证功能被关闭。
所有的选择位(不包括它们的反码位)用于配置该微控制器，CPU可以读选择寄存器，详见3寄存
器说明。
CPU可以读选择字节寄存器。
1：硬件看门狗
0：软件看门狗
2.6 低功耗管理
低功耗管理
低功耗管理低功耗管理
在低功耗模式下所有的闪存访问被终止。详情参见STM32F10x
STM32F10x闪存编程
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参考手册
。
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3 寄存器说明
3.1 闪存访问控制寄存器
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16
寄存器说明
寄存器说明寄存器说明
本节将使用下述缩写：
表七
表七 缩写
表七表七
读/写(rw) 软件可以读或写这些位。
只读(r) 软件只能读这些位。
读/清除(rc_w0) 软件可以读并写’0’清除这些位，写’1’将不对操作的位产生影响。
读/设置(rs) 软件可以读并写’1’ 设置这些位，写’0’将不对操作的位产生影响。
保留(res) 保留位，必须保持在复位状态。
闪存访问控制寄存器(FLASH_ACR)
闪存访问控制寄存器闪存访问控制寄存器
地址偏移：0x00h
复位值：0x0000 0001h
缩写
缩写缩写
保留
15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
保留
位31~6 保留。必须保持为清除状态’0’
PRFTBS：预取缓冲区状态
位5
位4
位3
位2~0
该位显示预取缓冲区的状态
0：预取缓冲区被关闭
1：预取缓冲区被启用
PRFTBE：预取缓冲区使能
0：关闭预取缓冲区
1：启用预取缓冲区
HLFCYA：闪存半周期访问使能
0：禁止半周期访问
1：启用半周期访问
LATENCY：时延
这些位表示SYSCLK(系统时钟)周期与闪存访问时间的比例
000：零等待状态，当 0 < SYSCLK≤24MHz
001：一个等待状态，当 24MHz < SYSCLK≤ 48MHz
010：两个等待状态，当 48MHz < SYSCLK≤ 72MHz
PRFTBS PRFTBE HLFCYA
r rw rw rw rw rw
LATENCY
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3.2 FPEC键寄存器
地址偏移：0x04h
复位值：xxxx xxxxh
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16
w w w w w w w w w w w w w w w w
15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
w w w w w w w w w w w w w w w w
注：
所有这些位是只写的，读出时返回0。
3.3 闪存
闪存OPTKEY寄存器
闪存闪存
地址偏移：0x08h
键寄存器(FLASH_KEYR)
键寄存器键寄存器
FKEYR[31:16]
FKEYR[15:0]
位31~0
FKEYR：FPEC键
这些位用于输入FPEC的解锁键。
寄存器(FLASH_OPTKEYR)
寄存器寄存器
复位值：xxxx xxxxh
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16
OPTKEYR[31:16]
w w w w w w w w w w w w w w w w
15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
OPTKEYR[15:0]
w w w w w w w w w w w w w w w w
注：
所有这些位是只写的，读出时返回0。
OPTKEYR：选择字节键
位31~0
这些位用于输入选择字节的键以解除OPTWRE。
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3.4 闪存状态寄存器
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16
15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
闪存状态寄存器(FLASH_SR)
闪存状态寄存器闪存状态寄存器
地址偏移：0x0Ch
复位值：0x0000 0000h
保留
保留
位31~6 保留。必须保持为清除状态’0’
EOP：操作结束
位5
位4
当闪存操作(编程/擦除)完成时，硬件设置这位为’1’，写入’1’可以清除这位状态。
注：每次成功的编程或擦除都会设置EOP状态
WRPRTERR：写保护错误
试图对写保护的闪存地址编程时，硬件设置这位为’1’，写入’1’可以清除这位状
态。
WRPRT
EOP
rw rw rw rw
保留 PGERR 保留 BSY
ERR
位3 保留。必须保持为清除状态’0’
PGERR：编程错误
位2
位1 保留。必须保持为清除状态’0’
位0
试图对内容包含’0’的地址编程时，硬件设置这位为’1’，写入’1’可以清除这位状
态。
注：试图写’0’前必须清除STRT位
BSY：忙
该位指示闪存操作正在进行。在闪存操作开始时，该位被设置为’1’，在操作结束
或发生错误时该位被清除为’0’。
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3.5 闪存控制寄存器
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16
15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
闪存控制寄存器(FLASH_CR)
闪存控制寄存器闪存控制寄存器
地址偏移：0x10h
复位值：0x0000 0080h
保留
位31~13
位12
位11，8，3
位10
EOPIE 保留 ERRIE
rw rw rw rw rw rw rw rw rw rw
保留。必须保持为清除状态’0’
EOPIE：允许操作完成中断
该位允许在FLASH_SR寄存器中的EOP位变为’1’时产生中断。
0：禁止产生中断
1：允许产生中断
保留。必须保持为清除状态’0’
ERRIE：允许错误状态中断
该位允许在发生FPEC错误时产生中断(当FLASH_SR寄存器中的
PGERR/WRPRTERR置为’1’时)。
0：禁止产生中断
1：允许产生中断
OPTWRE
保留 LOCK STRT OPTER OPTPG 保留 MER PER PG
保留
位9
位7
位6
位5
位4
位2
位1
OPTWRE：允许写选择字节
当该位为’1’时，允许对选择字节/小信息块进行编程操作。当在
FLASH_OPTKEYR寄存器写入正确的键序列后，该位被置为’1’。
软件可清除此位。
LOCK：锁
只能写’1’。 当该位为’1’时表示FPEC和FLASH_CR被锁住，在检测到正确的解
锁序列后，硬件清除此位为’0’。在一次不成功的解锁操作后，下次复位前，该
位不能再被改变。
STRT：开始
当该位为’1’时将触发一次擦除操作。该位只可由软件置为’1’并在BSY变为’1’时
清为’0’。
OPTER：擦除选择字节
擦除选择字节/小信息块。
OPTPG：烧写选择字节
对选择字节编程。
MER：全擦除
选择擦除所有用户页
PER：页擦除
选择擦除页
位0
PG：编程
选择编程操作
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3.6 闪存地址寄存器
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16
w w w w w w w w w w w w w w w w
15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
w w w w w w w w w w w w w w w w
闪存地址寄存器(FLASH_AR)
闪存地址寄存器闪存地址寄存器
地址偏移：0x14h
复位值：0x0000 0000h
FAR[31:16]
FAR[15:0]
这些位由硬件修改为当前/最后使用的地址。在页擦除操作中，软件必须修改这个寄存器以指定
要擦除的页。
FAR：闪存地址
位31~0
当进行编程时选择要编程的地址，当进行页擦除时选择要擦除的页。
注意：当FLASH_SR中的BSY位为’1’时，不能写这个寄存器。
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3.7 选择字节寄存器
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16
15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
选择字节寄存器(FLASH_OBR)
选择字节寄存器选择字节寄存器
地址偏移：0x1Ch
复位值：0xFFFF FFFFh
保留
保留 未使用
r r r r r r r r r r
位31~10 保留。必须保持为清除状态’0’。
USER：用户选择字节
这里包含OBL加载的用户选择字节
位9~2
位[9:5]：未用
位4：nRST_STDBY
位3：nRST_STOP
位2：WDG_SW
nRST_
STDBY
nRST_
WDG_SW RDPRT OPTERR
STOP
RDPRT：读保护
位1
位0
当设置为1，表示闪存存储器被写保护。
注：该位为只读。
OPTERR：选择字节错误
当该位为’1’时表示选择字节和它的反码不匹配。
注意：这位为只读。
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3.8 写保护寄存器
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16
r r r r r r r r r r r r r r r r
15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
r r r r r r r r r r r r r r r r
写保护寄存器(FLASH_WRPR)
写保护寄存器写保护寄存器
地址偏移：0x20h
复位值：0xFFFF FFFFh
WRP[31:16]
WRP[15:0]
WRP：写保护
该寄存器包含由OBL加载的写保护选择字节。
位31~0
0：写保护生效
1：写保护失效
注意：这些位为只读。
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FLASH_OPTKEYR
3.9 闪存寄存器映像
偏移
000h
004h
008h
010h
闪存寄存器映像
闪存寄存器映像闪存寄存器映像
表八
表八 闪存接口
表八表八
寄存器
FLASH_ACR
复位值
FLASH_KEYR
复位值
复位值
FLASH_SR
复位值
FLASH_CR
复位值
闪存接口————寄存器
闪存接口闪存接口
寄存器映像和复位值
寄存器寄存器
313029282726252423222120191817161514131211
x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x
x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x
映像和复位值
映像和复位值映像和复位值
保留
保留
FKEYR[31:0]
OPTKEYR[31:0]
保留00Ch
987654321
10
LATENCY
PRFTBS
0 0 0 0 0 1
EOP
0 0 0 0 0
LOCK
EOPIE
ERRIE
OPTWRE
保留
0 0 0 1 0 0 0 0 0 0
保留
STRT
OPTER
[2:0]
PRFTBE
HLFCYA
PGERR
保留
WRPRTER
OPTPG
保留
ERLYBSY
MER
PER
0
BSY
PG
014h
018h 保留
01Ch
020h
FLASH_AR
复位值
FLASH_OBR
复位值
FLASH_WRPR
复位值
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
保留
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
FAR[31:0]
[31:0]
不使用
OPTERR
nRST_STDB
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0
RDPRT
WDG_SW
nRST_STOP
OPTERR
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4 版本历史
版本历史
版本历史版本历史
表九
表九 文文文文档档档档版本历史
表九表九
2007年3月22日
2007年6月1日
版本历史
版本历史版本历史
日期
日期 版本
日期日期
版本
版本版本
0.1
1
改变
改变
改变改变
最初版本
少量内容修改。
修改STRT位的定义，3.5节：闪存控制寄存器(FLASH_CR)。
修改了2.3.4节中关于数据编程的描述文字。
修改了3.1节中有关Latency位的描述。
修改了有关ICP的定义。
在调试接口定义中，JTAG之外增加了SWD。
3.7节中修改了OBR的复位值。
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