SH79F082
应用指南
SH79F082 应用指南
1 概述
SH79F082 是一颗采用单机器周期增强型 8051 内核的单片机，内部采用 FLASH 存储程序
代码，可以多次烧写或者擦除，方便用户调试和在线更新。
中颖 SH79F082 系列单片机的在线仿真和下载烧录可以通过 JET51 仿真器实现。该工具
基于 Keil µ vision 集成开发环境，通过 JTAG 方式和单片机连接，实现全功能在线仿真和下载
烧录功能。
1.1 封装
SH79F082 提供 TSSOP24 封装。
1.2 演示板（Target Board）
SH79F082 提供了一套演示板，供客户熟悉芯片功能。如下图：
SH79F082 演示板（TSSOP24）
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SH79F082
板中各部分功能说明：
A. 外部供电接口 1 (内正外负)
外接 9~12V 电源，经过板上稳压电路产生 5V 电压作为芯片的供电电源使用。采用外
部供电接口 1 供电，演示板供电电源为 5V，不可调。
B. 外部供电接口 2
外部供电电源接口，分别与芯片的 VDD 和 GND 管脚连接。采用外部供电接口 2 供电，
演示板供电电源可调。但注意供电电源不要超过芯片最高工作电压。
C. 电源指示灯
D. JTAG 仿真接口
JTAG 仿真接口和 JET51 仿真器一一对应，可用 10 芯扁平线直接连接。仿真时，演示
板的供电电源可通过仿真接口的 VDD 管脚直接获得。
应用指南
1VDD
GND
GND
TCK
TDI
TMS
TDO
GND
E. 复位按键
F. RESET 引脚拨位开关
板上可以选择 P1.5 用作 I/O 还是复位管脚 (通过下载时选择的“Option”来定)。若选
择作为 I/O 使用，则将拨位开关拨到 IO 标识一侧（即靠近芯片一侧）。若选择作为复
位管脚使用，则将拨位开关拨到 RESET 标识一侧（即靠近振荡器插座一侧）。
G. 振荡器引脚拨位开关
板上可以选择内部 RC 或外部晶体(16MHz)振荡器(通过下载时选择的“Option”来 定)。
若选择内部 RC，则 P3.4/P3.5 可用作 I/O 口，此时可将拨位开关拨到 IO 标识一侧（即
靠近芯片一侧）。若选择外部晶体(16MHz)振荡器，则将拨位开关拨到另外一侧（即靠
近振荡器插座一侧）。
H. 芯片的全部输入输出口或其它共享的功能口
此演示板和 JET51 配合使用，即可仿真 SH79F082 的全部功能。演示板的供电可以由外
部供电接口 1 或外部供电接口 2 或仿真接口提供，不管使用哪一种供电方式，最终外部供电
接口 1 处的电压为芯片的供电电压。
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2 仿真
2.1 仿真软件的安装
安装步骤：
1) 安装 Keil µ vision2（V2.34 及以上版本）或者 µ vision3。
2) 安装中颖 SH79F 组件库 JET51_Keil_Vxxx.exe（其中 Vxxx 表示版本号）到 Keil c 的
安装目录下（例如: c:\keil\）。
3) 将 JET51 仿真器通过 USB 连接计算机，此时红色电源灯和绿色 USB 灯会同时亮起，
说明安装成功。
2.2 硬件的安装
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安装步骤：
1) 将 SH79F082 用户目标板上的 JTAG 仿真口（VDD，TCK，TDI，TMS，TDO，GND）
与 JET51 仿真器的 JTAG 仿真口通过扁平电缆相连即可。
2) 如果需要仿真，当使用晶振时，需要把振荡器引脚拨位开关拨到左侧；使用内部 RC
时，则把振荡器引脚拨位开关拨到右侧，振荡器输入输出引脚作为 IO 使用。
3) 当使用 JET51 仿真、下载时，JTAG 仿真口不能够用做 I/O，另外为确保正常通讯,最
好将 TCK，TDI，TMS，TDO 与用户目标板上的外接线路断开,如果不断开,必须保证
TCK，TDI，TMS，TDO 负载电容不能超过 103（10000pF），否则通迅可能会失败。
4) 用户目标板电源上的负载电容不得超过 220µF，否则可能导致通迅失败。
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Target board
USB
PWR
USB
JET51
仿真口
VDD
GND
GND
TCK
TDI
TMS
TDO
GND
GND
1
2
3
TDO
4
TMS
TDI
TCK
5
6
7
8
9
10
11
12
VDD
C
C
24
23
22
SH79F082
21
20
19
18
17
16
15
14
13
设计用户目标板时，最好将 JTAG 仿真口通过跳线与应用电路连接，以便烧写或者仿
真时可以断开跳线与仿真器连接。
JET 51
SH79F082
VDD
TCK
TDI
TMS
TDO
GND
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Jumper
To Application
Circuit
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2.1.1 新建一个 Project
示例: 用户的源程序在目录 User 下，文件名为 aa.asm。
现在需要对此建立一个新的 Project，操作如下:
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至此，已完成建立一个空的项目。下面设置项目属性。
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V1.0
7:
步骤
DebugÆUse
选择
ÆSino Wealth 8051
JET Driver。
SH79F082
6:
步骤
选择 Project
Options for Target ‘Target1’
Æ
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。
9:
步骤
选择 Output
”Create HEX
Æ选择
File”Æ确认。
8:
步骤
Utilities
选择
ÆSino Wealth 8051
JET Driver
确认。
Æ
至此，项目属性设置完毕。下面将已经编写好的程序添加到项目中。
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SH79F082
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步骤 10:
Target1
双击
Æ选择“Source Group1”， 按右
键
Æ选择目标目录，例如“User”
选择目标文件，例如”aa.asm”
Æ
Æ点击“
Add”
按钮。
步骤
11:
关闭 Step10 中“Add Files to
Group ‘Source Group1’
Æ双击“
Æ双击“
Source Group1”
aa.asm”。
”窗 口
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2.1.2 程序的编译和下载
2.2.4.1 程序的编译
当程序编写完成后，点击菜单 Project\Build target(或编译按钮)，完成编译，生成.OBJ 文
件和.HEX 文件。当存在编译错误(Error)，则不会生成.OBJ 文件和.HEX 文件。
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2.2.4.2 程序的下载
2.2.4.2.1 下载前的选项设置
程序下载前的选项设置包括选用芯片设置，上电方式设置，CODE OPTION 设置等。
所有设置系统会自动保存。之后再进行程序下载时，可以跳过此步骤。
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注意 JET51 仿真器提供了 2 种不同的上电方式，在步骤 3 中设置。
1) 方式 1: JET51 仿真器供电
选择“5V(JET51)”和“ Power Off，Power On again”。其 中 ，“Power Off，Power On
again”是 指“ 下 电 /上电后重进 JTAG 模式”， 通常在仿真或者下载出错时选用此方式。
在程序下载和仿真的时候，用户目标板的供电由 JET51 仿真器提供。此时，用户
目标板不需要外接任何电源，电源会通过 JET51 仿真器电源直接供给用户目标板。
如若用户目标板耗电小于 20mA，推荐用方式 1。
2) 方式 2: 外部供电
选择“External(Target board)”。
在程序下载和仿真的时候，用户目标板通过外接电源供电。此时，上电顺序有严
格要求。
步骤 1：确认用户目标板处于断电状态。
步骤 2：连接 JET51 仿真器和用户目标板。
步骤 3：JET51 仿真器和 PC 通过 USB 连接，红色电源灯和绿色 USB 灯全部点亮。
步骤 4：用户目标板接入外部电源。
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此后调试可以反复下载和仿真，无须下电及重新连接。
2.2.4.2.2 程序下载
Download成功。
按 “Download” 快捷按钮
或点击 FlashÆDownload。
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2.1.3 程序仿真
当程序已经下载到芯片中，点击菜单 Debug\Start/Stop Debug Session 或快捷按钮进入程
序仿真模式。
当 JTAG 完全连接上以后，会有黄色箭头指向 0000H 处，同时左边寄存器窗口 SP 的值
为 07H，表示成功进入调试模式可以进行仿真了。用户可以通过选择 Debug 菜单下的命令来
执行 Step、Step Over、Run、Stop 等操作，也可以执行增加断点、减少断点的操作。
注意:
1) 断点为将该指令执行完以后，再停止。
2) 执行 Step Over 指令，在执行到 ACALL﹑LCALL 等语句时，会将 ACALL﹑LCALL
下一条语句执行完才停止。
3) 仿真器只支持 7 个断点。若超过 7 个断点，则只支持最后设置的 7 个断点。以前的断
点将被忽略。
4) 程序仿真无误后，断开外加电源，拔掉 JTAG 连线。
5) 用户目标板接入外部电源，开始独立运行（脱机模式）。
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3 应用注意事项
3.1 和传统 8051 差异
SH79F082 是一颗采用增强型 8051 内核的单片机，功能比传统型 51 内核有以下增强；
3.1.1 SH79F082 机器周期为 1 个振荡器周期，而传统型 51 核机器周期为 12 个振荡器周
期。其指令执行效率约为同频率的传统 8051 的 10 倍。详细指令执行时间参见 SPEC。
3.1.2 SH79F082 系统时钟可以 1,2,4,12 分频,上电后默认为 12 分频。
3.1.3 SH79F082 提供增强型的乘/除法指令，支持16BIT × 8BIT 和 16BIT ÷ 8BIT 运算。
3.1.4 SH79F082 提供双 DPTR 指针，用户在使用查表，数据搬移等操作时会更方便。
3.1.5 SH79F082 复位脚采用低电平复位，不同于传统 8051 的高电平复位。
其它功能上的差异请参见 SPEC。
3.2 FLASH ROM
3.2.1 SH79F082 每 1K BYTE 为 1 个扇区（SECTOR），除了最后一个扇区因为存放有
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OPTION 信息被硬件设定为不能做扇区擦除(SECTOR ERASE)外，其它每个扇区可
分别进行擦除。全局擦除(MASS ERASE)可以擦除所有扇区。
3.2.2 SH79F082 可以对 flash 进行加密，加密以 2K 为一个单位。
3.2.3 最后一个扇区的最后 64BYTE（SH79F082 ROM 地址的 1FC0H~1FFFH）保留，不
可以用作程序 ROM（硬件屏蔽）。
3.2.4 存放在 FLASH ROM 中的程序可以对不在同一扇区的 FLASH ROM 编程（SSP 模
式），因此可以当作 EEPROM 来使用。扇区中的数据从 0 改为１时，可以直接烧写。
但从 1 改为 0 时，必需通过扇区擦除后才能实现。
3.2.5 在进行 FLASH 编程时，系统时钟不能低于 1M。
3.2.6 SH79F082 支持 ICP 功能，即在客户应用电路板完成后，在客户电路板上通过烧写
器烧写程序代码。但须注意，P1.2~P1.5 四个烧写口不能有大于 10nF 的电容性负载，
VDD 管脚上的负载电容不得超过 220µF，否则可能导致烧写失败。
3.2.7 FLASH 烧写/擦除步骤。
3.2.7.1 烧写
1) 关闭中断。在整个烧写期间无法响应中断，但中断申请标志位照常会置 1。因此如
果烧写期间来了中断，烧写完成后，打开中断允许位，中断服务程序仍将执行。
2) 设置 XPAGE，IB_OFFSET 寄存器。此 2 个寄存器对应烧写地址。其中 IB_OFFSET
对应地址低位，XPAGE 对应地址高位。
3) 将准备填充值写入 IB_DATA。此寄存器中的值将被写入到 FLASH 中指定地址。
4) 按照顺序设置 IB_CON1~5。其中数值如下所列。
IB_CON1----Æ #6EH ;表示烧写。
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SH79F082
IB_CON2 ---Æ #05H
IB_CON3----Æ #0AH
IB_CON4 ----Æ #09H
IB_CON5 ----Æ #06H
注意顺序不能有错，数值也必须正确。烧写完成后这 5 个寄存器硬件自动清零，防
止误写。因此下次写操作必须重新填充这 5 个寄存器。
5) 软件写入 IB_CON5 后启动硬件写操作，CPU 将进入 IDLE 模式。烧写完成后自动
唤醒。此步骤由 CPU 自动完成，用户无须干预。
6) 软件设置完上述寄存器后插入 4 个 NOP 指令，保证烧写完成后 CPU 从 IDLE 模式
可靠唤醒。
7) 如需继续写入数据，跳转至第 3 步。
8) 将 XPAGE 寄存器清除为零，恢复中断设置。
9) 程序示例：注意示例中各数据均为示意性数据，应用时请根据具体情况设置。
PUSH IEN0
CLR EA ;步骤 1
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MOV XPAGE,#18H ;步骤 2
MOV IB_OFFSET,#00H
MOV IB_DATA,#05H ;步骤 3
MOV IB_CON1,#6EH ;步骤 4
MOV IB_CON2,#05H
MOV IB_CON3,#0AH
MOV IB_CON4,#09H
MOV IB_CON5,#06H
;/*步骤 5: CPU 进行烧写，自动进入 IDLE 模式，完成后自动唤醒*/
NOP ;步骤 6
NOP
NOP
NOP
;/*步骤 7: 如果需要继续写入数据，重复上述步骤*/
MOV XPAGE,#00H ;步骤 8
POP IEN0
3.2.7.2 擦除：
1) 关闭中断。在整个烧写期间无法响应中断，但中断申请标志位照常会置 1，因此如
果擦除期间来了中断，擦除完成后，打开中断允许位，中断服务程序仍将执行。
2) 根据需要擦除的扇区设置 XPAGE。1K BYTE 为一个扇区， SH79F082 ROM 为 8K
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BYTE，XPAGE BIT7~2 对应扇区号, XPAGE BIT1~0 对应被擦除扇区高两位，
IB_OFFSET 寄存器无效。
3) 按照顺序设置 IB_CON1~5，其中数值如下所列。
IB_CON1----Æ #0E6H ;表示擦除
IB_CON2 ---Æ #05H
IB_CON3----Æ #0AH
IB_CON4 ----Æ #09H
IB_CON5 ----Æ #06H
注意顺序不能有错，数值也必须正确。擦除完成后，这 5 个寄存器硬件自动清零，
防止误擦除。因此下次擦除操作必须重新填充这 5 个寄存器。
4) 软件写入 IB_CON5 后启动硬件擦除操作，CPU 将进入 IDLE 模式。擦除完成后自
动唤醒。此步骤由 CPU 自动完成，用户无须干预。
5) 软件设置完上述寄存器后插入 4 个 NOP 指令，保证擦除完成后 CPU 从 IDLE 模式
可靠唤醒。
6) 如果需要继续擦除扇区，跳转至第 3 步。
7) 将 XPAGE 寄存器清除为零，恢复中断设置。
8) 程序示例：注意示例中各数据均为示意性数据，应用时请根据具体情况设置。
PUSH IEN0
CLR EA ;步骤 1
MOV XPAGE,#18H ;步骤 2
MOV IB_OFFSET,#00H
MOV IB_DATA,#05H ;步骤 3
MOV IB_CON1,#0E6H ;步骤 4
MOV IB_CON2,#05H
MOV IB_CON3,#0AH
MOV IB_CON4,#09H
MOV IB_CON5,#06H
;/*步骤 5: CPU 进行烧写，自动进入 IDLE 模式，完成后自动唤醒*/
NOP ;步骤 6
NOP
NOP
NOP
;/*步骤 7: 如果需要继续写入数据，重复上述步骤*/
MOV XPAGE,#00H ;步骤 8
POP IEN0
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SH79F082
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3.3 RAM
3.3.1 SH79F082 有 256 BYTE 内部 RAM，256BYTE 外部 RAM。
3.3.2 内部 RAM 地址范围为 0~FFH，其中 0~7FH 既可以直接寻址，也可以间接寻址，
80~FFH 只能用间接寻址。若用直接寻址访问此地址范围，访问到的是系统寄存器。
3.3.3 外部 RAM 地址范围为0~FFH。传统的 8051 用 MOVX A，@Ri (i=0 或 1)能访问 0~FFH
地址范围内的外部 RAM。
3.4 中断
3.4.1 OVL 复位:
SH79F082 为进一步增强 CPU 运行可靠性，内建程序超范围溢出检测电路，一旦检测到
程序计数器的值超出 ROM 最大值，或者发现指令操作码(不检测操作数)为 8051 指令集中不
存在的 A5H，便认为程序跑飞，产生 CPU 复位信号，同时将 WDOF 标志位置 1。为应用这
个特性，用户应该将未使用的 Flash ROM 用 0xA5 填满。
附: 在程序中用 A5H 填充未用到 ROM 地址的方法:
首先定义宏:
Fill_A5H MACRO N
REPT N
DB A5H
ENDM
ENDM
然后在没有用到的 ROM 空间调用宏，比如 1000H 到 11FFH 没有用到，可以用如下方
法填充:
CSEG AT 1000H
Fill_A5H 512
3.4.2 PORT 口外部中断
1) 由于 I/O 复用功能比较多，只有当相应的 PORT 口设置为 I/O 功能而且设置为输入状
态，才有可能产生外部中断。内部上拉功能也需要软件控制。注意，内部上拉电阻大
概在 30KΩ左右，如果刚开始 PORT 口输出低电平，中断初使化程序中将 PORT 口设
为输入并且将内部上拉功能打开，然后马上开启 PORT 口中断控制位，而且设置为上
升沿触发，由于引脚上有电容负载，内部上拉比较慢，内部中断上升沿检测电路可能
会检测到此上升信号，产生一次中断请求。因此，建议此情况下，内部上拉打开后，
等待一段时间（比如 5 个 NOP 指令）后，清除中断标志位,再打开中断允许控制位。
2) 所有 PORT 口中断，如果设为电平触发，则 FLAG 标志位仅仅受外部 PORT 口电平控
制，电平为低，则 FLAG 为 1，电平为高，则 FLAG 自动变为 0（和传统 8051 兼容）。
但是要注意外部中断 4 有多个中断源，需要在中断服务程序中查询标志位来确认是哪
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V1.0
SH79F082
一个中断源触发中断，如果外部中断低电平持续时间很短，小于中断响应时间，则中
断服务程序中会查不到中断标志位，因此外部中断 4 设置为电平触发时，需要保证低
电平持续时间大于中断响应时间（微秒级）。设为边沿触发时无此问题。如果设置外
部中断 4 电平触发模式来唤醒 POWER DOWN 模式，由于进入 POWER DOWN 模式
后，唤醒需要 2ms 的 WA RM U P 时间，因此如果外部中断 4 低电平持续时间小于 2ms，
中断服务程序中会检测不到中断标志位，无法区分是哪一个中断源唤醒。
3.5 IDLE & POWER DOWN 模式
程序编写时注意 IDLE 或 POWER DOWN 指令之后务必加至少 3 条 NOP 指令，以保证系
统能够稳定进入 IDLE 或者 POWER DOWN 模式。
……
MOV SUSLO， #55H
ORL PCON，#01H ;idle mode (or #02H: power-down mode)
NOP ;必须添加
应用指南
NOP ;必须添加
NOP ;必须添加
…… ;后续程序。调试程序时如果需要在 Idle 唤醒处设置断点，
;断点位置要放在 3 个 NOP 之后。
3.6 PWM
3.6.1 SH79F082 中有 2 路独立的 PWM，每 路 PWM 提供两路输出，输出波形可以选择中
心对齐和边沿对齐模式。每路输出有单独的允许位，以及单独的高低电平控制位。
3.6.2 PWM 有 3 个中断源，分别为周期溢出中断（因为周期寄存器共享,因此只有一个周
期中断），占空比溢出中断（2 路 PWM 输出各占一个中断）。他们共享一个中断入
口地址，有各自的使能位。
3.6.3 PWM 模块具有 12BIT 周期以及 12BIT 占空比寄存器（各自的占空比分别可调）和
12BIT 死区控制寄存器，设置寄存器时，需要按照先写低位，后写高位的顺序。如
果只写低位，内部寄存器值不会更新。
3.6.4 PWM 有效期间所有寄存器均可任意修改。修改后的内容会在下一个 PWM 周期生
效，但 PWM 输出控制寄存器是修改后立即生效。
3.6.5 设置 PWM 寄存器前需要先将 PWMLO（$E7）寄存器值设为 55H，否则硬件拒绝
修改寄存器。
3.6.6 PWM 模块具有故障检测功能，当检测到有效故障信号后,则 PWM 输出会立即变为
无效电平。
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V1.0
SH79F082
3.7 ADC
3.7.1 SH79F082 内部集成 10BIT 分辨率 ADC，ADC 时钟可由寄存器 TADC[2:0]设置为系
统时钟 2 分频，4 分频，6 分频，8 分频，12 分频，16 分频，24 分频，32 分频。不
论寻用多少频率的系统时钟，都需要保证 ADC 时钟周期大于或等于 1µs。否则会
影响精度。如果实际使用中只需要 8BIT 精度，ADC 时钟周期可以更短一些。
3.7.2 完成一次 A/D 转换需要的时间分 2 部分。首先是采样时间，可由寄存器 TS[3:0]设
置，最低 2 个 ADC 时钟周期。然后是转换时间，固定为 12 个 ADC CLOCK，因 此
完成一次 A/D 转换最少 14µs。外部仿真输入信号必须保证在采样期间固定，而在
转换期间输入信号发生变化不会影响到最终 A/D 转换结果。
3.7.3 ADC 内部集成了数字比较器功能，可以将数字比较器参考值写入数值寄存器，将
此功能打开（ADCON=101X XXX1B），ADC 一直处在转换状态，但每次转换完后
不会产生中断标志。如果发现转换结果比参考值大，则会产生中断标志。因为占用
了内部 AD 资源，因此 ADC 功能和数字比较器功能无法同时使用。
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3.8 振荡器
3.8.1 25℃下内部 RC 振荡器频率为 16.6MHz±1%。如果温度变化，频率会飘移（温度提
高，RC 频率会降低），-40℃~+85℃漂移 16.6MHz±2%。
注意:上面说的频率是取 1024 个时钟周期取平均值.
3.9 看门狗
3.9.1 内置有看门狗电路，溢出时间从 1ms 到 4s 可调整，如果在设定时间内没有操作看
门狗寄存器（读或写），看门狗电路会产生复位信号，同时将标志位置 1。
3.9.2 看门狗电路拥有单独的内部 RC 振荡器，但频率不精确，SPEC 上定义的是各种最
坏情况下的最短溢出时间。
3.9.3 看门狗电路耗电约 1uA,它可以在代码选项里选择关闭或打开（在 power down 下有
效或无效）。
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SH79F082
3.10 UART
3.10.1 TXD/RXD 引脚都和其它功能复用。 如果 REN 控制位设为 1，则 RXD 引脚自
动设为输入，内部自动拉高。而 TXD 引脚只有在 UART 发送即软件向 SBUF 寄存
器写入数据时才会作为 TXD 引脚使用，发送完成后又恢复为 I/O 功能。为了避免
接收端误判，在 UART 发送初始化程序中，应该将相应 I/O 状态设为输出高电平。
3.10.2 UART 波特率发生器可以采用 Timer1 或系统时钟，UART 接收数据的波特率最
大允许偏差为: ±4%。
3.11 电流采样模块
3.11.1 电流采样模块集成比较器放大器，比较器集成数字滤波功能，比较器输出可直接
关闭 PWM，放大器输出可直接作为 ADC 输入。
应用指南
3.12 可读识别码
3.12.1 在 SH79F082 每颗芯片中都有一个 8 位的可读识别码，值为 0-255 的随机值，是
无法擦除的。它可以由程序或编程工具读出，此功能可以供软件加密使用。
3.12.2 读识别码时，首先，设置 FAC 位为 1，然后给 DPTR 赋值 “007FH”，将 A 清 0 ,
再使用 “MOVC A， @A+DPTR”来读取。
3.12.3 读完随即码后必须把 FA C 位清 0。
3.13 IO 口
3.13.1 在 spec 中没有用到的端口,应该设为输入上拉,否则可能会导致芯片内部漏电.漏电
电流大概在几微安到几百微安范围内.
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V1.0
SH79F082
3.14 演示板原理图
应用指南
7654321
D
J1
3
2
1
DC12V
100uF/25V
12V火牛輸入端口
C
電壓輸入端口
R3
MCU_VDD
10k
K1
B
RESET
RESET電路
U2 7805
1
3
Vin
Vout
GND
D3
1N4001
VDD
MCU_RESET
C3
104
2
R1
470
D1
1N4001
C2
C1
104
J3
2
1
VDD
J2
2
1
GND
C5
103
C6
XTAL1
12pF
Y1
16M
C7
XTAL2
12pF
D2
1N4001
C4
47uF/16V
J4
VDD
1 2
3 4
5 6
7 8
9 10
JTAG
JP1
MCU_VDD
2
R2
1
470
IDD_TEST
Power
D4
P10
S1
RESET
S2
XTAL1
S3
XTAL2
P11
P12
P13
P14
P15
P15
MCU_VDD VDD
P32
P31
TDI
TMS
TDO
U1
1
OPN/P1.0
OPP/P1.12P0.1/CMP
3
TDO/INT0/P1.2
4
TMS/INT1/P1.3
5
TDI/BUZ/P1.4
6
TCK/RST/P1.5
7
VDD
8
GND
9
XTAL1/P3.5
10
XTAL2/P3.4
11
TXD/INT41/P3 .2
RXD/INT40/P3. 112P2.1/PWM1
SH79F082
P15TCK
P14
P13
P12
JTAG接口
P0.0/OPOUT
P0.2/AN0
P0.3/AN1
P0.4/AN2
P0.5/AN3/VREF
P0.6/AN4
P2.6/T0/FLT
P2.5/PWM21
P2.4/PWM11
P2.2/PWM2
24
P00
23
P01
22
P02
21
P03
20
P04
19
P05
18
P06
17
P26
16
P25
15
P24
14
P22
13
P21
升級
1. SH79F082的封裝改變為TSSOP24。
2. 電容C5改為103。
J5
P10OPN/P1.0
OPP/P1.1
P11
TDO/INT0/P1.2
P12
P13
TMS/INT1/P1.3
TDI/BUZ/P1.4
P14
TCK/RST/P1.5
VDD
GND
XTAL1/P3.5
XTAL2/P3.4
TXD/INT41/P3 .2
P32
RXD/INT40/P3. 1
P31
PORT
C8
MCU_VDD
104
1 2
3 4
5 6
7 8
9 10
11 12
13 14
15 16
17 18
19 20
21 22
23 24
P00
P01
P02
P03
P04
P05
P06
P26
P25
P24
P22
P21
P0.0/OPOUT
P0.1/CMP
P0.2/AN0
P0.3/AN1
P0.4/AN2
P0.5/AN3/VREF
P0.6/AN4
P2.6/T0/FLT
P2.5/PWM21
P2.4/PWM11
P2.2/PWM2
P2.1/PWM1
8
D
C
B
MCU振蕩電路
A
Title
Number RevisionSize
A3
Date: 18-May-2009 Sheet of
1 2 3 4 5 6 78
File: F:\robin\..\SH79F082M.Sch Drawn By:
3.15 PCB 布线注意
3.15.1 JTAG 接口（P1.2-P1.5）负载电容不能超过 103。特别是 TCK 和 reset pin 复用，
其上电容不能超过 103。
A
20/21
V1.0
SH79F082
4 应用指南版本历史
版本号 版本记录 时间
1.0
初始版本
应用指南
2009.05
21/21
V1.0
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