Datasheet LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Datasheet (Siemens)

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查询Q62703-Q3270供应商
Hyper TOPLED® RG Hyper-Bright LED
Besondere Merkmale
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (12-mm-Filmgurt)
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (12 mm tape)
LS T776, LA T776, LO T776
LY T776
VPL06899
Semiconductor Group 1 11.96
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LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Typ
Type
LS T776-NR LS T776-P LS T776-Q LS T776-R LS T776-PS
LA T776-PS LA T776-Q LA T776-R LA T776-S LA T776-QT
LO T776-PS LO T776-Q LO T776-R LO T776-S LO T776-QT
Emissions­farbe
Farbe der Lichtaustritts-
Lichtstärke
fläche Color of Emission
Color of the
Light Emitting
Area
Luminous Intensity
I
= 20 mA
F
I
(mcd)
V
super-red colorless clear 25 … 200
40 … 80 63 … 125
100 … 200
40 … 320
amber colorless clear 40 … 320
63 … 125 100 … 200 160 … 320
63 … 500
orange colorless clear 40 … 320
63 … 125 100 … 200 160 … 320
63 … 500
Lichtstrom
Luminous Flux
I
= 20 mA
F
ΦV (mlm)
­180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.)
-
­300 (typ.) 450 (typ.) 700 (typ.)
-
­300 (typ.) 450 (typ.) 700 (typ.)
-
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q3270 Q62703-Q3271 Q62703-Q3272 Q62703-Q3273 Q62703-Q3274
Q62703-Q3914 Q62703-Q3915 Q62703-Q3916 Q62703-Q3917 Q62703-Q3918
Q62703-Q3275 Q62703-Q3276 Q62703-Q3277 Q62703-Q3278 Q62703-Q3279
LY T776-PS LY T776-Q LY T776-R LY T776-S LY T776-QT
yellow colorless clear 40 … 320
63 … 125 100 … 200 160 … 320
63 … 500
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I Luminous intensity ratio in one packaging unit I
V max
/ I
V max V min
/ I
V min
2.0.
­300 (typ.) 450 (typ.) 700 (typ.)
­2.0.
Q62703-Q3280 Q62703-Q3281 Q62703-Q3282 Q62703-Q3283 Q62703-Q3284
Semiconductor Group 2
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Grenzwerte Maximum Ratings
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Bezeichnung Parameter
Betriebstemperatur Operating temperature range
Lagertemperatur Storage temperature range
Sperrschichttemperatur Junction temperature
Durchlaßstrom Forward current
Stoßstrom Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung Reverse voltage
Verlustleistung Power dissipation
1)
1)
Symbol Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
Werte
Values
Einheit Unit
LS, LO, LA LY
– 55 ... + 100 ˚C
– 55 ... + 100 ˚C
+ 100 ˚C
30 20 mA
1 0.2 A
3V
80 55 mW
Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*
)
(Padgröße16 mm2)
mounted on PC board*) (pad size 16 mm2)
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
)
*
PC-board: FR4
R
th JA
500 K/W
Semiconductor Group 3
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Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Bezeichnung Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.) Dominant wavelength (typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50% Spectral bandwidth at 50% I
I
= 20 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50% Viewing angle at 50% I
I
v
I
rel max
rel max
(Vollwinkel)
v
(typ.) (typ.)
Durchlaßspannung (typ.) Forward voltage (max.)
I
= 20 mA
F
Sperrstrom (typ.) Reverse current (max.)
V
= 3 V
R
Temperaturkoeffizient von Temperature coefficient of λ
Temperaturkoeffizient von λ
λ
dom(IF dom(IF
,
peak
= 20 mA) = 20 mA)
IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of λ
peak
,
IF = 20 mA (typ.)
Symbol Symbol
Werte
Values
Einheit Unit
LS LA LO LY
λ
λ
peak
dom
645 622 610 591 nm
632 615 605 587 nm
λ 16 16 16 15 nm
2ϕ 120 120 120 120 Grad
deg.
V V
I
R
I
R
TC
TC
F F
λ
λ
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V V
0.01100.01100.01100.0110µA µA
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
V
Temperaturkoeffizient von
, IF = 20 mA (typ.)
F
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group 4
TC
V
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
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LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Relative spektrale Emission I
= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 10 mA
rel
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I Radiation characteristic
= f (ϕ)
rel
Semiconductor Group 5
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LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current
T
= 25 ˚C
A
Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
Relative Lichtstärke
I
V/IV(20 mA)
Relative luminous intensity
T
= 25˚C
A
= f (IF)
Relative Lichtstärke
I
/ I
V
V(25˚C )
Relative luminous intensity
I
= 20 mA
F
= f (TA)
Semiconductor Group 6
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LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke Cathode mark: bevelled edge
GPL06899
Semiconductor Group 7
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