Siemens LSPBT670 Datasheet

Semiconductor Group 1-180 10.95
Multi TOPLED
LSPB T670
Besondere Merkmale
Gehäusebauform: P-LCC-4
Gehäusefarbe: weiß
Lichterzeugung über drei Halbleiterdioden: blau (480 nm),
pure green (557 nm), rot (630 nm), getrennt ansteuerbar
gute Farbmischung durch kleine Chipabstände (0,5 mm)
und gemeinsamen Reflektor mit 2,4 mm
für Matrix-Anzeigen mit hoher Packungsdichte bzw. hoher
Auflösung (Pixelgrafik)
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
Farbmeßtechnik
medizinische Analysetechnik
hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Störimpulsfest nach DIN 40839
Auf Grund der z. Zt schnellen Technologie-Entwicklung bei blauen Chips, sind die Daten als vorläufig zu betrachten. Bezüglich der Helligkeit stellen sie Minimal- und für VF Maximal-Werte dar. Bitte um Rücksprache mit Ihrem Vertriebspartner vor Design In‘s.
Features
P-LCC-4 package
color of package: white
complete color spectrum
three separate light sources (dies) blue (480 nm), pure green (557 nm), red (630 nm)
excellent color mixture due to small distances between the dies (0.5 mm) and a common reflector
of 2.4 mm
suitable for matrix-displays with high packing density and high resolution (pixel graphic),
respectively
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
Colorimeter
medical analysis
high signal ratio possible by color change
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (8 mm tape)
load dump resistant acc. to DIN 40839
Due to the fast technological development of blue chips, these data are preliminary. Brightness values are minimum values and VF are maximum values. Please contact your sales office before design-ins.
VPL06837
Semiconductor Group 1-181
LSPB T670
Grenzwerte Maximum Ratings
Typ
Type
Emissions­farbe
Color of Emission
Farbe der Lichtaus­trittsfläche Color of Light Emitting Area
Durchlaß­strom
Forward current
I
F
mA
Strahl­stärke
Radiant intensity
I
e
µW/sr
Strahl­strom
Total flux
Φ
e
µW
Licht­stärke
Luminous intensity
I
v
mcd
Best.nr.
Ordering Code
LSPB T670 super-red /
pure green/ blue
colorless clear
2 10 30
5.5 ( 2.5)
4.0 ( 2.0)
4.0 ( 2.0)
16.5 12 12
0.7
2.5
0.6
Q62703­Q2896
Bezeichnung Parameter
Symbol Symbol
Wert
Value
Einheit Unit
LS LP LB
Betriebstemperatur Operating temperature range
T
op
– 55 ... + 100 ˚C
Lagertemperatur Storage temperature range
T
stg
– 55 ... + 100 ˚C
Sperrschichttemperatur Junction temperature
T
j
+ 100 ˚C
Durchlaßstrom
1)
Forward current
I
F
30 30 30 mA
Durchlaßstrom
2)
Forward current
I
F
7.5 15 30 mA
Sperrspannung Reverse voltage
V
R
5V
Verlustleistung
1)
Power dissipation
P
tot
100 100 130 mW
Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-Board (Padgröße 16 mm
2
)
mounted on PC board (pad size 16 mm 2)
R
th JA
1)
R
th JA
2)
480 630
370 450
450 530
K/W K/W
1)
Die angegebenen Grenzwerte gelten für einen Chip, wenn die anderen Chips nicht betrieben werden.
2)
Die angegebenen Grenzwerte gelten, wenn alle Chips in Betrieb sind.
1)
The stated maximum ratings refer to one die with the other dies turned off.
2)
The stated maximum ratings refer to all dies turned on.
Semiconductor Group 1-182
LSPB T670
Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics
Bezeichnung Parameter
Symbol Symbol
Wert
Value
Ein­heit Unit
LS LP LB
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) Wavelength at peak emission (typ.)
I
F
= 10 mA
λ
peak
635 557 467 nm
Dominantwellenlänge (typ.) Dominant wavelength (typ.)
I
F
= 10 mA
λ
dom
628 560 480 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 % I
rel max
(typ.)
I
F
= 10 mA
∆λ 45 22 75 nm
Visueller Wirkungsgrad Visual efficiency
I
F
= 2 mA (typ.)
I
F
= 10 mA (typ.)
I
F
= 30 mA (typ.)
η
v
η
v
η
v
130
625
165
lm/W lm/W lm/W
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % I
V
2ϕ 120 120 120 Grad
deg.
Durchlaßspannung Forward voltage
I
F
= 10 mA (typ.)
(max.)
I
F
= 10 mA (typ.)
(max.)
I
F
= 20 mA (typ.)
(max.)
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
3.1
4.5
V V V V V V
Sperrstrom (typ.) Reverse current (max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01 10
0.01 10
0.01 10
µA µA
Kapazität (typ.) Capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
C
0
12 15 50 pF
Schaltzeiten: Switching times:
I
V
from 10 % to 90 % (typ.)
I
V
from 90 % to 10 % (typ.)
I
F
= 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50
t
r
t
f
300 150
450 200
800 800
ns ns
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