Siemens LY3366-S, LY3366-R, LY3366-QT, LY3366-Q, LS3366-Q Datasheet

Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused
Hyper-Bright LED

Besondere Merkmale

● eingefärbtes, diffuses Gehäuse

● zur Einkopplung in Lichtleiter

● als optischer Indikator einsetzbar

● Lötspieße mit Aufsetzebene

● gegurtet lieferbar

● Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

● colored, diffused package

● optical coupling into light pipes

● for use as optical indicator

● solder leads with stand-off

● available taped on reel

● load dump resistant acc. to DIN 40839

LS 3366, LA 3366, LO 3366

LY 3366

Semiconductor Group 1 1998-09-18

LS 3366, LA 3366, LO 3366, LY 3366

Typ
Type

LS 3366-NR
LS 3366-P
LS 3366-Q
LS 3366-R
LS 3366-PS

LA 3366-PS
LA 3366-Q
LA 3366-R
LA 3366-S
LA 3366-QT

LO 3366-PS
LO 3366-Q
LO 3366-R
LO 3366-S
LO 3366-QT

Emissionsfarbe
Color of
Emission

Gehäusefarbe
Color of
Package

Lichtstärke
Luminous
Intensity

I

= 20 mA

F

I

(mcd)

V

super-red red diffused 25 ... 200

40 ... 80
63 ... 125

100 ... 200

40 ... 320

amber orange diffused 40 ... 320

63 ... 125
100 ... 200
160 ... 320

63 ... 500

orange orange diffused 40 ... 320

63 ... 125
100 ... 200
160 ... 320

63 ... 500

Bestellnummer
Ordering Code

Q62703-Q3457
Q62703-Q3458
Q62703-Q3459
Q62703-Q3460
Q62703-Q3461

Q62703-Q3881
Q62703-Q3882
Q62703-Q3883
Q62703-Q3884
Q62703-Q3885

Q62703-Q3127
Q62703-Q3172
Q62703-Q3173
Q62703-Q3174
Q62703-Q3175

LY 3366-PS

yellow yellow diffused 40 ... 320
LY 3366-Q
LY 3366-R
LY 3366-S
LY 3366-QT

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I

V max

/ I

V max

V min

63 ... 125
100 ... 200
160 ... 320

63 ... 500

/ I

V min

≤ 2.0.

≤ 2.0.

Q62703-Q3462
Q62703-Q3464
Q62703-Q3465
Q62703-Q3463
Q62703-Q3466

Semiconductor Group 2 1998-09-18

Grenzwerte
Maximum Ratings

LS 3366, LA 3366, LO 3366, LY 3366

Bezeichnung
Parameter

Betriebstemperatur
Operating temperature range

Lagertemperatur
Storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom
Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspanung
Reverse voltage

Verlustleistung
Power dissipation

T

≤ 25 ˚C

A

Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air

1)

1)

Symbol
Symbol

T

op

T

stg

T

j

I

F

I

FM

V

R

P

tot

R

th JA

Werte

Values

Einheit
Unit

LS, LO, LA LY

– 55... + 100 ˚C

– 55... + 100 ˚C

+ 100 ˚C

30 20 mA

1 0.2 A

3V

80 55 mW

500 K/W

1)

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

1)

Reverse biasing should be avoided.

Semiconductor Group 3 1998-09-18