5 mm (T13/4) LED, Non Diffused LS 5420, LY 5420, LG 5410
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, klares Gehäuse
● zur Einkopplung in Lichtleiter
● als optischer Indikator einsetzbar
● Lötspieße ohne Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, clear package
● optical coupling into light pipes
● for use as optical indicator
● solder leads without stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
VEX06713
Typ
Type
LS 5420-MQ
LS 5420-P
LS 5420-Q
LS 5420-R
LS 5420-PT
LY 5420-MQ
LY 5420-P
LY 5420-Q
LY 5420-R
LY 5420-PS
LG 5410-MQ
LG 5410-P
LG 5410-Q
LG 5410-R
LG 5410-PS
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
= 10 mA
F
I
(mcd)
V
super-red red clear 16 … 125
40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 500
yellow yellow clear 16 … 125
40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320
green colorless clear 16 … 125
40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1428
Q62703-Q1430
Q62703-Q1993
Q62703-Q1429
Q62703-Q1431
Q62703-Q1432
Q62703-Q1434
Q62703-Q2004
Q62703-Q3235
Q62703-Q1435
Q62703-Q1439
Q62703-Q1868
Q62703-Q2020
Q62703-Q2021
Q62703-Q2022
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I
V max
/ I
V max
V min
/ I
V min
≤ 2.0.
≤ 2.0.
Semiconductor Group 1 11.96
Grenzwerte
Maximum Ratings
LS 5420, LY 5420, LG 5410
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 ˚C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
– 55 … + 100 ˚C
– 55 … + 100 ˚C
+ 100 ˚C
40 mA
0.5 A
5V
140 mW
400 K/W
Semiconductor Group 2
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LS 5420, LY 5420, LG 5410
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 % I
I
= 20 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 % I
I
V
I
rel max
rel max
(Vollwinkel)
V
(typ.)
(typ.)
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 10 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 5 V
R
Kapazität (typ.)
Capacitance
V
= 0 V, ƒ = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 % (typ.)
V
I
from 90 % to 10 % (typ.)
V
I
= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LY LG
λ
peak
λ
dom
635 586 565 nm
628 590 570 nm
∆λ 45 45 25 nm
2ϕ 24 24 24 Grad
deg.
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
2.0
2.6
0.01
10
2.0
2.0
0.01
10
2.0
2.6
0.01
10
V
V
µA
µA
12 10 15 pF
300
150
300
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group 3