Siemens LD242-2, LD242E7800, LD242-3 Datasheet
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
ø0.45
spacing
2.54 mm
Anode
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
14.5
12.5
(LD 242, BPX 63, SFH 464)
Wesentliche Merkmale
● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
● Kathode galvanisch mit Gehäuseboden
verbunden
● Hohe Zuverlässigkeit
● Großer Öffnungskegel
● Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
● Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
2.7
3.6
3.0
Chip position
ø4.1
ø4.3
0.9
1.1
1.1
ø5.5
ø5.2
1
0.9
GET06625
Features
● GaAs infrared emitting diode, fabric ated in a
liquid phase epitaxy process
● Cathode is electrically connected to the case
● High reliability
● Wide beam
● Same package as BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
● DIN humidity category in acc. with
DIN 40 040 GQG
LD 242
fet06625
Anwendungen
● IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Applications
● IR remote control and sound transmission
● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
LD 242-2 Q62703-Q198 Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
LD 242-3 Q62703-Q199
LD 242 E7800 Q62703-Q3509
Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster
1
/10’’)
(
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-
ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm
1
/10’’)
(
Semiconductor Group 1 1998-07-15
Grenzwerte
Maximum Ratings
LD 242
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
T
Durchlaßstrom,
= 25 °C
C
Forward current
Stoßstrom, τ ≤ 10 µs,
D = 0
Surge current
Verlustleistung,
T
= 25 °C
C
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
T
Kennwerte (
= 25 °C)
A
Characteristics
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJC
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
5V
300 mA
3A
470 mW
450
160
K/W
K/W
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Spektraler Bandbreite bei 50 % von
Spectral bandwidth at 50 % of I
IF = 100 m A, t
= 20 ms
p
max
I
max
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
950 nm
∆λ 55 nm
ϕ± 40 Grad
deg.
A
L × B
× W
L
H
0.25 mm
0.5 × 0.5 mm
0.3 ... 0.7 mm
2
Semiconductor Group 2 1998-07-15
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