Siemens KOM2125 Datasheet

KOM 2125

NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode in SMT
NEW: 2-Chip Silicon PIN Photodiode in SMT

KOM 2125

feo06860

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 400 nm bis 1100 nm

● Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)

● geeignet für Vapor-Phase Löten und

IR-Reflow-Löten

● SMT-fähig

Anwendungen

● Nachlaufsteuerungen

● Kantenführung

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Features

● Especially suitable for applications from

400 nm to 1100 nm

● Short switching time (typ. 25 ns)

● Suitable for vapor-phase and IR-reflow

soldering

● Suitable for SMT

Applications

● Follow-up controls

● Edge drives

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

KOM 2125 Q62702-K0047

Semiconductor Group 1

01.97

Grenzwerte
Maximum Ratings

KOM 2125

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur

Symbol
Symbol

T

; T

op

Operating and storage temperature range
Sperrspannung

V

R

Reverse voltage
Verlustleistung,

= 25 °C

A

P

tot

T

Total power dissipation

Kennwerte (

T

= 25 °C, Normlicht A, 2856 K)

A

Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K)
Bezeichnung

Description

Fotoempfindlichkeit,

V

= 5 V; Diode A

R

Symbol
Symbol

S

Spectral sensitivity Diode B
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

λ

S max

Wavelength of max. sensitivity

stg

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 80 °C

60 V

150 mW

Wert
Value

40 (≥ 30)

Einheit
Unit

nA/Ix

100 (≥ 75)
850 nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche Diode A
Radiant sensitive area Diode B

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area

Abstand Chipoberfläche zu Vergußoberfläche
Distance chip front to case seal

Halbwinkel
Half angle

Dunkelstrom, VR = 10 V Diode A
Dark current Diode B

Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity

Quantenausbeute
Quantum yield

λ 400 ... 1100 nm

A 4

mm

10

L × B

× W

L
H

2 × 2, 2 × 5mm×mm

0.3 mm

ϕ±60 Grad

deg.

I

R

5 (≤ 30)

nA

10 (≤ 30)

S

λ

η 0.90

0.62 A/W

Electrons
Photon

2

Semiconductor Group 2