Siemens KOM2125 Datasheet
KOM 2125
NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode in SMT
NEW: 2-Chip Silicon PIN Photodiode in SMT
KOM 2125
feo06860
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
● geeignet für Vapor-Phase Löten und
IR-Reflow-Löten
● SMT-fähig
Anwendungen
● Nachlaufsteuerungen
● Kantenführung
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
● Short switching time (typ. 25 ns)
● Suitable for vapor-phase and IR-reflow
soldering
● Suitable for SMT
Applications
● Follow-up controls
● Edge drives
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
KOM 2125 Q62702-K0047
Semiconductor Group 1
01.97
Grenzwerte
Maximum Ratings
KOM 2125
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Verlustleistung,
= 25 °C
A
P
tot
T
Total power dissipation
Kennwerte (
T
= 25 °C, Normlicht A, 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
= 5 V; Diode A
R
Symbol
Symbol
S
Spectral sensitivity Diode B
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λ
S max
Wavelength of max. sensitivity
stg
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
60 V
150 mW
Wert
Value
40 (≥ 30)
Einheit
Unit
nA/Ix
100 (≥ 75)
850 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche Diode A
Radiant sensitive area Diode B
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Vergußoberfläche
Distance chip front to case seal
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V Diode A
Dark current Diode B
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
λ 400 ... 1100 nm
A 4
mm
10
L × B
× W
L
H
2 × 2, 2 × 5mm×mm
0.3 mm
ϕ±60 Grad
deg.
I
R
5 (≤ 30)
nA
10 (≤ 30)
S
λ
η 0.90
0.62 A/W
Electrons
Photon
2
Semiconductor Group 2
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