Siemens KOM2100BF, KOM2100B Datasheet
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray
6-Chip Silicon PIN Photodiode Array
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
feo06529
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (KOM
2100 B) und bei 880 nm (KOM 2100 BF)
● Kurze Schaltzeit (typ. 13 ns)
● Kathode = Chipunterseite
● Geeignet für Diodenbetrieb (mit
Vorspannung) und Elementbetrieb
● SMT-fähig
Anwendungen
● Universell, z.B. Drehwinkelgeber
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (KOM 2100 B) and of
880 nm (KOM 2100 BF)
● Short switching time (typ. 13 ns)
● Cathode = back contact
● Available as photodiode with reverse
voltage or photovoltaic cell
● Suitable for SMT
Applications
● General-purpose, e.g. encoders
Gehäuse
Package
KOM 2100 B Q62702-K35 Platine mit SMT-Flanken, Abdeckrahmen mit
KOM 2100 BF Q62702-K34
klarem bzw. schwarzem Epoxyverguß
pcb with SMT flanks, cover frame sealed with
transparent or black epoxy
feof6529
Semiconductor Group 469
10.95
Grenzwerte
Maximum Ratings
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
A
stg
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Verlustleistung,
= 25 °C
A
P
tot
T
Total power dissipation
Kennwerte (
T
= 25 °C, λ = 950 nm) für jede Einzeldiode
A
Characteristics (TA = 25 °C, λ = 950 nm) per single diode
Bezeichnung
Description
Symbol
Wert
Value
KOM 2100 B KOM 2100 BF
Fotoempfindlichkeit
S
9 (≥ 7) 8.5 (≥ 6.6) µA
Spectral sensitivity
V
= 5 V, Ee = 0.5 mW/cm
R
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
2
λ
S max
870 870 nm
Wavelength of max. sensitivity
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
20 V
150 mW
Einheit
Unit
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der
bestrahlungsempfinlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Verguβoberfläche
Distance chip front to case seal
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
= 10 V
R
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
λ 400 ... 1100 730 ... 1100 nm
A 2.5 2.5 mm
L × B
× W
L
H
ϕ±60 ± 60 Grad
I
R
S
λ
1 × 2.5 1 × 2.5 mm x mm
0.4 ... 0.6 0.4 ... 0.6 mm
deg.
1 (≤ 10) 1 (≤ 10) nA
0.68 0.64 A/W
2
Semiconductor Group 470
Loading...