Siemens KOM2057L Datasheet

KOM 2057 L

3fach-Silizium-Fotodiodenzeile
3-Chip Silicon Photodiode Array

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 400 nm bis 1100 nm

● Kurze Schaltzeit (typ. 14 ns)

● DIL-Plastikbauform

Anwendungen

● Nachlaufsteuerungen

● Kantenführung

● Positionierung

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Features

● Especially suitable for applications from

400 nm to 1100 nm

● Short switching time (typ. 14 ns)

● DIL plastic package

Applications

● Follow-up controls

● Edge drives

● Positioning

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

KOM 2057 L

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

KOM 2057 L Q62702-K8 klares Epoxy−Gießharz, Lötspieße im

7,62-mm-Raster (

3

/10”),

Kathodenkennzeichnung: Nase am Lötspieß
transparent epoxy resin, solder leads in

7.62 mm spacing (

3

/10”), cathode marking:

projection at solder lead

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

feo06429

KOM 2057 L

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

T

op

; T

stg

– 40 ... + 80 °C

Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse
entfernt bei Lötzeit

t = ≤ 3 s)

Soldering temperature in 2 mm distance from
case bottom (

t = ≤ 3 s)

T

S

230 °C

Sperrspannung
Reverse voltage

V

R

32 V

Verlustleistung,

T

A

= 25 °C

Total power dissipation

P

tot

150 mW

Kennwerte (

T

A

= 25 °C, Normlicht A, 2856 K) für jede Einzeldiode

Characteristics (

T

A

= 25 °C, standard light A, 2856 K) per single diode

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Fotoempfindlichkeit,

V

R

= 5 V

Spectral sensitivity,

V

R

= 5 V

S

80 (≥ 50) nA/Ix

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

λ

S max

880 nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

λ 400 ... 1100 nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

A 7mm

2

Abmessung der bestrahlungsempfinlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area

L × B

L

× W

2.65 × 2.65 mm x mm

Abstand Chipoberfläche zu
Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface

H

0.4 ... 0.6 mm

Halbwinkel
Half angle

ϕ±60 Grad

deg.

Dunkelstrom,

V

R

= 10 V

Dark current

I

R

2 (≤ 30) nA