Siemens IRL81A Datasheet

IRL 81 A

GaAlAs-Infrarot-Sendediode
GaAlAs Infrared Emitter

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

IRL 81 A

feof6461

Wesentliche Merkmale

● GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen

Infrarotbereich

● Klares Kunststoff-Miniaturgehäuse,

seitliche Abstrahlung

● Preisgünstig

● Lange Lebensdauer

(Langzeitstabilität)

● Weiter Öffnungskegel (± 25°)

● Passend zu Fototransistor LPT 80 A

Anwendungen

● Fertigungs- und Kontrollanwendungen

der Industrie, die eine Unterbrechung
des Lichtstrahls erfordern

● Lichtschranken

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

IRL 81 A Q68000-A8000

Features

● GaAIAs infrared emitting diode in the near

infrared range

● Clear plastic package with lateral emission

● Cost-effective

● Long-term stability

● Wide beam (± 25°)

● Matches phototransistor LPT 80 A

Applications

● For a variety of manufacturing and

monitoring applications which require beam
interruption

● Light barriers

Semiconductor Group 1

10.95

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

IRL 81 A

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaßstrom
Forward current

Verlustleistung
Power dissipation

T

Verringerung der Verlustleistung,

> 25 °C

A

Derate above, TA > 25 °C
Wärmewiderstand

Thermal resistance

Kennwerte (

T

= 25 °C)

A

Characteristics

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

V

R

I

F

P

tot

R

thJA

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 100 °C

5V

100 mA

200 mW

1.33 mW/°C

375 K/W

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der Strahlung bei

I

max

Symbol
Symbol

λ

peak

Wert
Value

Einheit
Unit

880 nm

Wavelength of peak emission
Spektrale Bandbreite bei 50 % von

Spectral bandwidth at 50 % of I
Abstrahlwinkel

Half angle
Durchlaßspannung, IF = 20 mA

max

I

max

∆λ 36 ... 44 nm

ϕ±25 Grad

deg.

V

F

1.5 (≤ 2.0) V

Forward voltage
Strahlstärke

, IF = 20 mA

I

e

≥ 1.0 mW/sr

1)

Radiant intensity
Gesamtstrahlungsfluß,

= 20 mA

F

Φ

e

1.5 mW

I

Total radiant flux

1)

Ein Silizium-Empfänger mit radiometrischem Filter und mit 1 cm2 strahlungsempfindlicher Fläche wird nach
der mechanischen Achse der Sendediode ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet.

1)

A 1 cm2silicon detector with radiometric filter is aligned with the mechanical axis of the DUT. An aperture is
used.

Semiconductor Group 2