Siemens IRL80A Datasheet

IRL 80 A

GaAs-Infrarot-Sendediode
GaAs Infrared Emitter

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

IRL 80 A

feo06461

Wesentliche Merkmale

● GaAs-Lumineszenzdiode im

Infrarotbereich

● Klares Miniaturkunststoffgehäuse,

seitliche Abstrahlung

● Preiswertes Kunststoffgehäuse

● Lange Lebensdauer

(Langzeitstabilität)

● Weiter Öffnungskegel (± 30°)

● Passend zu Fototransistor LPT 80 A

Anwendungen

● Fertigungs- und Kontrollanwendungen

der Industrie, die eine Unterbrechung
des Lichtstrahls erfordern

● Lichtschranken

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

IRL 80 A Q68000-A7851

Features

● GaAs infrared emitting diode

● Clear plastic package with lateral emission

● Low cost plastic package

● Long term stability

● Wide beam (± 30°)

● Matches phototransistor LPT 80 A

Applications

● For a variety of manufacturing and

monitoring applications which require beam
interruption

● Light barriers

Semiconductor Group 1

10.95

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

IRL 80 A

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur
Lötstelle ≥ 0.15 cm vom Gehäuse,
Lötzeit

t = 5 s

Sodering temperature, ≥ 0.15 mm distance
from case bottom, soldering time t = 5 s

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaßstrom
Forward current

Verlustleistung
Power dissipation

T

Verringerung der Verlustleistung,

> 25 °C

A

Derate above, TA > 25 °C
Wärmewiderstand

Thermal resistance

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

V

R

I

F

P

tot

R

thJA

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 100 °C

240 °C

3V

60 mA

100 mW

1.33 mW/°C

750 K/W

Kennwerte (

T

= 25 °C)

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Wellenlänge der Strahlung bei

I

max

Symbol
Symbol

λ

peak

Wert
Value

Einheit
Unit

950 nm

Wavelength of peak emission
Spektrale Bandbreite bei 50 % von

Spectral bandwidth at 50 % of I

max

Abstrahlwinkel
Half angle

Durchlaßspannung, IF = 20 mA

I

max

∆λ ±20 nm

ϕ±30 Grad

deg.

V

F

≤ 1.5 V

Forward voltage
Strahlstärke

, IF = 20 mA

I

e

≥ 0.4 mW/sr

1)

Radiant intensity

1)

Ein Silizium-Empfänger mit 1 cm2 strahlungsempfindlicher Fläche wird nach der mechanischen Achse
ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet.

1)

A 1 cm2silicon detector is aligned with the mechanical axis. An aperture is used.

Semiconductor Group 2