SGS Thomson Microelectronics TEC1033, TEB1033, TEF1033 Datasheet

TEB1033



PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

.VERYLOW INPUT OFFSET VOLTAGE:

1mV max.

.LOW DISTORTION RATIO

.LOW NOISE

.VERYLOW SUPPLY CURRENT

.LOW INPUT OFFSETCURRENT

.LARGECOMMON-MODE RANGE

.HIGH OUTPUT CURRENT

.GAIN-BANDWIDTH PRODUCT : 2MHz

.TEMPERATUREDRIFT :2µV/

o

C

.LONG TERM STABILITY: 8µV/YEAR

(forT

DESC RIP TI ON

The TEB1033, TEF1033 and TEC1033 are high
performance dual-operational amplifiers intended
foractivefilterapplications.Theinternalphasecom­pensation allows stable operation as voltage fol­lowerin spiteof theirhigh gain-bandwidthproduct.

The circuits present very stable electrical charac­teristics over theentire supplyvoltage range.

amb

≤ 50oC)

TEF1033-TEC1033

N

DIP8

(PlasticPackage)

ORDER CODES

Part

Number

TEB1033 0
TEF1033 –40
TEC1033 –55
Example : TEB1033N

(PlasticMicropackage)

Temperature

Range

o

C, +70oC ••

o

C, +105oC ••

o

C, +125oC ••

SO8

D

Package

ND

PI N CONNECTIONS (top view)

+

Output1

Inverting input1

Non-invertinginput1

June 1998 1/7

1

2

-

+

3

45

-

V

CC

-

+

V

8

CC

Output 2

7

6

Invertinginput2

Non-invertinginput2

TEB1033-TEF1033-TEC1033

BLOCK DIAG RAM (1/4 TEB1033)

R16
4k

Ω

R1

R2

Ω

2k

R5

Ω

2k

4kΩ

V

CC

R6

Ω

4k

R11
1k

Ω

R18
2k

Ω

Q25

Q6

R15

150k

Q5

Q13

Q11

Q2

Q3

Q7

Q8

Q31

Q9

1.2kΩ

Q4

Ω

R3

60kΩ

R4

Q32

Q10

Q12

Inverting

43pF

Input

C1

Q15

Q18

R7

15kΩ

Q17

150kΩ

Non-inverting

Input

Q19

R8

23pF

R9

15kΩ

C2

Q20

Q36

R10

45kΩ

Q21

Q22

Q14

Q23

R12

812Ω

Q37

Q35

Q38

Q27

Q28

Q34Q33

R17
4kΩ

Q29

Q30

R13
27Ω

R14
27

Ω

Output

V

CC

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter Value Unit

V

V

P

T

T

2/7

Supply Voltage ± 18 V

CC

Input Voltage ± V

V

i

Differential Input Voltage ± (VCC–1) V

id

Power Dissipation D suffix

tot

Operating Free-air Temperature Range TEB1033

oper

N suffix

TEF1033
TEC1033

Storage Temperature Range –65 to +150

stg

CC

400
665

0 to +70
–40 to +105
–55 to +125

V

mW

o

C

o

C

TEB1033-TEF1033-TEC1033

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

= ±15V, T

V

CC

Symbol Parameter

V

io

DV

io

I

io

I

ib

A

vd

SVR Supply Voltage Rejection Ratio (DV

I

CC

V

icm

CMR Common Mode Rejection Ratio (R

I

os

± V

opp

SR Slew-rate (V

GBP Gain Bandwidth Product (f = 100kHz, T

R

i

THD Total Harmonic Distortion (f = 1kHz, A

e

n

V

OPP

∅m Phase Margin 45 Degrees

V

o1/Vo2

= +25oC (unless otherwise specified)

amb

TEB 1033
TEF 1033
TEC 1033

Min. Typ. Max.

Input Offset Voltage (RS≤ 10kΩ)

T
T

amb
min

=25oC

. ≤ T

amb

≤ T

max

.

0.3 1
3

Input Offset Voltage Drift 2 µV/oC
Input Offset Current

T
T

amb
min

=25oC

. ≤ T

amb

≤ T

max

.

520

40

Input Bias Current

T
T

amb
min

=25oC

. ≤ T

amb

≤ T

max

.

50 100

200

Large Signal Voltage Gain (RL=2kΩ,VO=±10V)

T
T

T
T

amb
min

amb
min

=25oC

. ≤ T

=25oC

. ≤ T

amb

amb

≤ T

≤ T

max

max

.

from ±15V to ±4V)

CC

.

40

80
70

80

120

100

Supply Current, all Amp, no Load

T
T

amb
min

=25oC

. ≤ T

amb

≤ T

max

.

1 1.5

2

Input Common Mode Voltage Range

=25oC ±12

T

amb

≤ 10kΩ,VI=±10V)
T
T

amb
min

=25oC

. ≤ T

amb

≤ T

max

S

.

80
70

100

Output Short-circuit Current

T
T

amb
min

=25oC

. ≤ T

amb

≤ T

max

.

10

10

23 40

40

Output Voltage Swing

=25oCR

T

amb

. ≤ T

T

min

= ±4V, RL=2kΩ,T

V

CC

= ±6V, RL= 600Ω,T

V

CC

unity gain) 0.6 1

=2kΩ,CL= 100pF) 1.5 2

R

L

≤ T

amb

= ±10V, RL=2kΩ,CL= 100pF, T

I

.R

max

amb

amb

=25oC

=25oC

amb

=2kΩ

L

=2kΩ

L

=25oC,

amb

=25oC, Vin= 10mV,

13
12

2.8

4.6

14

3

Input Resistance 1 MΩ

= 20dB, RL=2kΩ

= 100pF, T

C

L

=25oC, Vo=2Vpp) 0.008 0.05

amb

v

Equivalent Input Noise Voltage (f = 1kHz)

R
R
R

S
S
S

=50Ω
=1kΩ
= 10kΩ

10
18

8

15

Large Signal Voltage Swing

=10kΩ, f = 10kHz 26 28

R

L

Channel Separation 100 120 dB

Unit

mV

nA

nA

V/mV

dB

mA

V

dB

mA

V

V/µs

MHz

%

nV

√Hz

V

3/7