Seiko Instruments S-1000 User Manual

S-1000 系列

www.sii-ic.com

© Seiko Instruments Inc., 2004-2010 Rev.3.0_00

超小型 高精度电压检测器

S-1000 系列是使用 CMOS 技术开发、高精度电压检测 IC。在内部检测电压被固定，精度为±1.0%。消耗电流为 350 nA（典
型值）的超低消耗电流。在输出方式上备有 N 沟道开路漏极输出和 CMOS 输出。与以往的 CMOS 电压检测器相比，实现了高
精度、超低消耗电流和超小型封装，所以最适用于便携设备。

 特点

·超低消耗电流 350 nA 典型值（VDD = 检测电压+1.5 V）

·高精度检测电压 ±1.0%

·工作电压范围 0.95～5.5 V

·滞后特性 5% 典型值

·检测电压 1.5～4.6 V（0.1 V 级进)

·输出方式 N沟道开路漏极输出（动态“L”）

CMOS 输出（动态“L”）

·无铅、Sn 100%、无卤素

*1. 详情请参阅“ 产品型号的构成”。

*1

 用途

·微机用电源的监视以及 CPU 的复位

·携带电话、数码相机、PDA 等的便携设备用电源的监视

·照相机、视频设备、通信设备等的稳压电源的监视

 封装

·SC-82AB

·SOT-23-5

·SNT-4A

精工电子有限公司

1

超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列

 框图

1. N沟道开路漏极输出产品

*1. 寄生二极管

VDD

VSS

Rev.3.0 _00

－

*1

V

REF

＋

图 1

OUT

*1

2. CMOS输出产品

*1. 寄生二极管

VDD

VSS

*1

－

*1

V

REF

＋

OUT

*1

图 2

2

精工电子有限公司

Rev.3.0_00

超小型 高精度电压检测器

S-1000 系列

 产品型号的构成

关于 S-1000 系列，用户可根据用途选择指定产品的类型、输出电压值和封装类型。产品名的文字含义请参阅“1. 产品

名”、关于封装图面请参阅“2. 封装”、所有的产品名，请参阅“3. 产品名目录”。

1. 产品名

S-1000 x xx - xxxx x

环保标记
U : 无铅 (Sn 100%)、无卤素
G : 无铅 (详情请向本公司营业部咨询)

封装简称和 IC 的包装规格*1

N4T1 : SC-82AB、卷带产品
M5T1 : SOT-23-5、卷带产品
I4T1 : SNT-4A、卷带产品

检测电压值
15～46

（例: 当检测电压为 1.5 V 时表示为 15。）

输出方式

N: N 沟道开路漏极输出（动态“L”）

C: CMOS 输出（动态“L”）

*1. 请参阅卷带图。

2. 封装

封装名

SC-82AB NP004-A-P-SD

SOT-23-5 MP005-A-P-SD MP005-A-C-SD MP005-A-R-SD
SNT-4A PF004-A-P-SD PF004-A-C-SD PF004-A-R-SD PF004-A-L-SD

封装图面 卷带图面 带卷图面 焊盘图面

NP004-A-C-SD

NP004-A-C-S1

图面号码

NP004-A-R-SD

－

－

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3

超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列

3. 产品名目录

3. 1 N 沟道开路漏极输出产品

检测电压

1.5 V±1.0%

1.6 V±1.0%

1.7 V±1.0%

1.8 V±1.0%

1.9 V±1.0%

2.0 V±1.0%

2.1 V±1.0%

2.2 V±1.0%

2.3 V±1.0%

2.4 V±1.0%

2.5 V±1.0%

2.6 V±1.0%

2.7 V±1.0%

2.8 V±1.0%

2.9 V±1.0%

3.0 V±1.0%

3.1 V±1.0%

3.2 V±1.0%

3.3 V±1.0%

3.4 V±1.0%

3.5 V±1.0%

3.6 V±1.0%

3.7 V±1.0%

3.8 V±1.0%

3.9 V±1.0%

4.0 V±1.0%

4.1 V±1.0%

4.2 V±1.0%

4.3 V±1.0%

4.4 V±1.0%

4.5 V±1.0%

4.6 V±1.0%

备注 1. x: G 或 U

2. 用户需要 Sn 100%、无卤素产品时，请选择环保标记为“U”的产品。

Rev.3.0 _00

1

表

SC-82AB SOT-23-5 SNT-4A

S-1000N15-N4T1x S-1000N15-M5T1x S-1000N15-I4T1x
S-1000N16-N4T1x S-1000N16-M5T1x S-1000N16-I4T1x
S-1000N17-N4T1x S-1000N17-M5T1x S-1000N17-I4T1x
S-1000N18-N4T1x S-1000N18-M5T1x S-1000N18-I4T1x
S-1000N19-N4T1x S-1000N19-M5T1x S-1000N19-I4T1x
S-1000N20-N4T1x S-1000N20-M5T1x S-1000N20-I4T1x
S-1000N21-N4T1x S-1000N21-M5T1x S-1000N21-I4T1x
S-1000N22-N4T1x S-1000N22-M5T1x S-1000N22-I4T1x
S-1000N23-N4T1x S-1000N23-M5T1x S-1000N23-I4T1x
S-1000N24-N4T1x S-1000N24-M5T1x S-1000N24-I4T1x
S-1000N25-N4T1x S-1000N25-M5T1x S-1000N25-I4T1x
S-1000N26-N4T1x S-1000N26-M5T1x S-1000N26-I4T1x
S-1000N27-N4T1x S-1000N27-M5T1x S-1000N27-I4T1x
S-1000N28-N4T1x S-1000N28-M5T1x S-1000N28-I4T1x
S-1000N29-N4T1x S-1000N29-M5T1x S-1000N29-I4T1x
S-1000N30-N4T1x S-1000N30-M5T1x S-1000N30-I4T1x
S-1000N31-N4T1x S-1000N31-M5T1x S-1000N31-I4T1x
S-1000N32-N4T1x S-1000N32-M5T1x S-1000N32-I4T1x
S-1000N33-N4T1x S-1000N33-M5T1x S-1000N33-I4T1x
S-1000N34-N4T1x S-1000N34-M5T1x S-1000N34-I4T1x
S-1000N35-N4T1x S-1000N35-M5T1x S-1000N35-I4T1x
S-1000N36-N4T1x S-1000N36-M5T1x S-1000N36-I4T1x
S-1000N37-N4T1x S-1000N37-M5T1x S-1000N37-I4T1x
S-1000N38-N4T1x S-1000N38-M5T1x S-1000N38-I4T1x
S-1000N39-N4T1x S-1000N39-M5T1x S-1000N39-I4T1x
S-1000N40-N4T1x S-1000N40-M5T1x S-1000N40-I4T1x
S-1000N41-N4T1x S-1000N41-M5T1x S-1000N41-I4T1x
S-1000N42-N4T1x S-1000N42-M5T1x S-1000N42-I4T1x
S-1000N43-N4T1x S-1000N43-M5T1x S-1000N43-I4T1x
S-1000N44-N4T1x S-1000N44-M5T1x S-1000N44-I4T1x
S-1000N45-N4T1x S-1000N45-M5T1x S-1000N45-I4T1x
S-1000N46-N4T1x S-1000N46-M5T1x S-1000N46-I4T1x

4

精工电子有限公司

Rev.3.0_00

3. 2

备注 1. x: G 或 U

2. 用户需要 Sn 100%、无卤素产品时，请选择环保标记为“U”的产品。

CMOS 输出产品

检测电压

1.5 V±1.0%

1.6 V±1.0%

1.7 V±1.0%

1.8 V±1.0%

1.9 V±1.0%

2.0 V±1.0%

2.1 V±1.0%

2.2 V±1.0%

2.3 V±1.0%

2.4 V±1.0%

2.5 V±1.0%

2.6 V±1.0%

2.7 V±1.0%

2.8 V±1.0%

2.9 V±1.0%

3.0 V±1.0%

3.1 V±1.0%

3.2 V±1.0%

3.3 V±1.0%

3.4 V±1.0%

3.5 V±1.0%

3.6 V±1.0%

3.7 V±1.0%

3.8 V±1.0%

3.9 V±1.0%

4.0 V±1.0%

4.1 V±1.0%

4.2 V±1.0%

4.3 V±1.0%

4.4 V±1.0%

4.5 V±1.0%

4.6 V±1.0%

超小型 高精度电压检测器

S-1000 系列

2

表

SC-82AB SOT-23-5 SNT-4A

S-1000C15-N4T1x S-1000C15-M5T1x S-1000C15-I4T1x
S-1000C16-N4T1x S-1000C16-M5T1x S-1000C16-I4T1x
S-1000C17-N4T1x S-1000C17-M5T1x S-1000C17-I4T1x
S-1000C18-N4T1x S-1000C18-M5T1x S-1000C18-I4T1x
S-1000C19-N4T1x S-1000C19-M5T1x S-1000C19-I4T1x
S-1000C20-N4T1x S-1000C20-M5T1x S-1000C20-I4T1x
S-1000C21-N4T1x S-1000C21-M5T1x S-1000C21-I4T1x
S-1000C22-N4T1x S-1000C22-M5T1x S-1000C22-I4T1x
S-1000C23-N4T1x S-1000C23-M5T1x S-1000C23-I4T1x
S-1000C24-N4T1x S-1000C24-M5T1x S-1000C24-I4T1x
S-1000C25-N4T1x S-1000C25-M5T1x S-1000C25-I4T1x
S-1000C26-N4T1x S-1000C26-M5T1x S-1000C26-I4T1x
S-1000C27-N4T1x S-1000C27-M5T1x S-1000C27-I4T1x
S-1000C28-N4T1x S-1000C28-M5T1x S-1000C28-I4T1x
S-1000C29-N4T1x S-1000C29-M5T1x S-1000C29-I4T1x
S-1000C30-N4T1x S-1000C30-M5T1x S-1000C30-I4T1x
S-1000C31-N4T1x S-1000C31-M5T1x S-1000C31-I4T1x
S-1000C32-N4T1x S-1000C32-M5T1x S-1000C32-I4T1x
S-1000C33-N4T1x S-1000C33-M5T1x S-1000C33-I4T1x
S-1000C34-N4T1x S-1000C34-M5T1x S-1000C34-I4T1x
S-1000C35-N4T1x S-1000C35-M5T1x S-1000C35-I4T1x
S-1000C36-N4T1x S-1000C36-M5T1x S-1000C36-I4T1x
S-1000C37-N4T1x S-1000C37-M5T1x S-1000C37-I4T1x
S-1000C38-N4T1x S-1000C38-M5T1x S-1000C38-I4T1x
S-1000C39-N4T1x S-1000C39-M5T1x S-1000C39-I4T1x
S-1000C40-N4T1x S-1000C40-M5T1x S-1000C40-I4T1x
S-1000C41-N4T1x S-1000C41-M5T1x S-1000C41-I4T1x
S-1000C42-N4T1x S-1000C42-M5T1x S-1000C42-I4T1x
S-1000C43-N4T1x S-1000C43-M5T1x S-1000C43-I4T1x
S-1000C44-N4T1x S-1000C44-M5T1x S-1000C44-I4T1x
S-1000C45-N4T1x S-1000C45-M5T1x S-1000C45-I4T1x
S-1000C46-N4T1x S-1000C46-M5T1x S-1000C46-I4T1x

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5

超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列

 输出方式的不同

1. S-1000 系列的输出方式

Rev.3.0 _00

表 3

S-1000 系列

N 沟道开路漏极输出产品（动态“L”） CMOS 输出产品（动态“L”）

产品名结尾为 N
例：S-1000N

产品名结尾为 C
例：S-1000C

2. 输出方式的不同与使用方法

表 4

使用方法

不同种类电源的使用

CPU 等的复位为动态“L”

CPU 等的复位为动态“H”

由电阻分割而引起的检测电压的改变

N 沟道开路漏极输出产品（动态“L”） CMOS 输出产品（动态“L”）

○ ×

○ ○

× ×

○ ×

• 有2 个电源情况下的例子 • 有1 个电源情况下的例子

V

V

DD1

V / D

Nch

OUT OUT OUT

V

DD2

CPU CPU CPU

DD

V / D

CMOS

V

DD

V / D

Nch

V

SS

V

SS

VSS

图 3

6

精工电子有限公司

Rev.3.0_00

 引脚排列图

超小型 高精度电压检测器

S-1000 系列

NC

表 5

表 6

表 7

电压检测输出端子

*1

GND 端子
无连接
电压输入端子

SC-82AB

Top view

4 3

1

SOT-23-5

Top view

5 4

图 4

图 5

2

3 2 1

SNT-4A

Top view

1

2 3

4

图 6

引脚号 符号 描述

1 OUT 电压检测输出端子

2 VDD 电压输入端子

3 NC*1 无连接

4 VSS GND 端子

*1. NC 表示从电气角度而言处于开放状态。

所以，与 VDD 以及 VSS 相接均可。

引脚号 符号 描述

1 OUT 电压检测输出端子

2 VDD 电压输入端子

3 VSS GND 端子

4 NC*1 无连接

5 NC*1 无连接

*1. NC 表示从电气角度而言处于开放状态。

所以，与 VDD 以及 VSS 相接均可。

引脚号 符号 描述

1 OUT
2 VSS
3
4 VDD

*1. NC 表示从电气角度而言处于开放状态。

所以，与 VDD 以及 VSS 相接均可。

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7

超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列

 绝对最大额定值

项目 记号 绝对最大额定值 单位

电源电压

输出电压

输出电流

容许功耗

工作环境温度
保存温度

*1. 基板安装时

N 沟道开路漏极输出产品 V
CMOS 输出产品

[安装基板]

(1) 基板尺寸： 114.3 mm×76.2 mm×t1.6 mm
(2) 名称： JEDEC STANDARD51-7

SC-82AB

SOT-23-5

SNT-4A

表 8

V

Rev.3.0 _00

（除特殊注明以外: Ta = 25 °C）

DD－VSS

V

OUT

I

50 mA

OUT

V

SS

200 (基板未安装时)

P

D

T

opr

T

stg

300 (基板未安装时)

6

－0.3～VSS＋6

SS

－0.3～VDD＋0.3

*1

350

*1

600

*1

300

－40～＋85

－40～＋125

V
V
V

mW
mW
mW
mW
mW

°C
°C

注意 绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值。万一超过此额定值，有可能造成产品劣化

等物理性的损伤。

700

600

) [mW]

D

容许功耗 (P

500

400

300

200

SOT-23-5

SC-82AB

SNT-4A

100

0

0

50

100

环境温度 (Ta) [°C]

150

图 7 封装容许功耗 (基板安装时)

8

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Rev.3.0_00

 电气特性

超小型 高精度电压检测器

S-1000 系列

1. N 沟道开路漏极输出产品

项目

检测电压*1 －V

滞后幅度

消耗电流

工作电压

输出电流

泄漏电流

响应时间

检测电压的
温度系数

*1.

*2

－

V

: 实际检测电压值、－V

DET

记号

─

DET

V

HYS

I

V

I

OUT

I

LEAK

t

PLH

−Δ

SS

DD

VDD =－

VDD = 5.5 V

输出晶体管，
N 沟道, V
输出晶体管，
N 沟道, V

DET

Ta = －40～＋85 °C ─

DET

VTaV−•Δ

: 设定检测电压值（表 1 的检测电压范围内的中心值）

）

DET（S

条件

─

V

＋

1.5 V S-1000N15～39

）

DET（S

─

= 0.5 V, VDD = 1.2 V

DS

= 5.5 V, VDD = 5.5 V

DS

─

*2. 检测电压的温度变化率[mV/°C]按如下公式计算出来。

V

−Δ

DET

[]

Ta

Δ

()

DET(S)

[] []

VTyp.VC/mV

×−=°

表 9

S-1000N40～46

V

−Δ

DET

VTa

−Δ

DET

•

（除特殊注明以外: Ta = 25 °C）

最小值 典型值 最大值 单位 测定电路

－

V

）

DET（S

－

DET

V

－
×

350 900
350 900

×
－
×

0.99

V

0.03

─
─

0.95

1.36 2.55

─ ─

─ ─

±

3*2*1*

1000C/ppm

÷°

DET（S

V

DET

0.05

─

100

－

V

DET（S）

）

×

1.01

－

V

DET

×

0.07

V 1

V 1

nA 2
nA 2

5.5

─

100

60

±

350

V 1

mA 3

nA 3

μs 1

ppm / °C 1

*1. 检测电压的温度变化率
*2. 设定检测电压值
*3. 上述检测电压的温度系数

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9

超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列

2. CMOS 输出产品

项目

检测电压

*1

－V

滞后幅度

消耗电流

工作电压

输出电流 I

响应时间
检测电压的

温度系数

*1. －V

*2

: 实际检测电压值、－V

DET

*2. 检测电压的温度变化率[mV/°C]按如下公式计算出来。

V

−Δ

DET

[]

Ta

Δ

记号

─

DET

V

HYS

I

SS

V

DD

VDD = －V

VDD = 5.5 V

DET（S

输出晶体管，

OUT

N 沟道, V
输出晶体管，
P 沟道, V

t

─

PLH

−Δ

DET

Ta = －40～＋85 °C

DET

VTaV−•Δ

DET（S

DET(S)

DS

DS

: 设定检测电压值（表 2 的检测电压范围内的中心值）

）

()

[] []

条件

─

＋

1.5 V S-1000C15～39

）

─

= 0.5 V, VDD = 1.2 V

= 0.5 V, VDD = 5.5 V

VTyp.VC/mV

×−=°

表 10

S-1000C40

V

−Δ

DET

VTa

−Δ

DET

•

Rev.3.0 _00

（除特殊注明以外: Ta = 25 °C）

最小值 典型值 最大值 单位 测定电路

－

V

～

46

DET（S）

×
－
×

─
─

0.99
V

DET

0.03

－

V

－
×

350 900
350 900

0.95

1.36 2.55

1.71 2.76

─

─

3*2*1*

÷°

±

1000C/ppm

DET（S

V

DET

0.05

─

─

100

－

V

DET（S）

）

×

1.01

－

V

DET

×

0.07

V 1

V 1

nA 2
nA 2

5.5

V 1

─ mA 3

─ mA 4

±

60

350

μs

ppm / °C 1

1

*1. 检测电压的温度变化率
*2. 设定检测电压值
*3. 上述检测电压的温度系数

10

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Rev.3.0_00

 测定电路

1.

*1. CMOS输出产品的情况下不需要 R。

2.

超小型 高精度电压检测器

S-1000 系列

VDD

V

DD

S-1000

V

󱘞

VSS

图 8

A

OUT

V

*1

R
100 kΩ

VDD

V

DD

3.

S-1000

󱘞

图 9

VSS

OUT

VDD

VDD

4.

S-1000

V A

󱘞

VSS

图 10

VDD

OUT

V

V

V

DS

V

DS

V

DD

S-1000

V A

󱘞

VSS

图 11

OUT

精工电子有限公司

11

超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列

 时序图

1. N沟道开路漏极输出产品

Rev.3.0 _00

滞后幅度

）

（V

HYS

V

DD

V

SS

2. CMOS 输出产品

滞后幅度
（V

）

HYS

V

DD

解除电压（+V

检测电压（−V

最低工作电压

V

SS

OUT端子输出

V

DD

解除电压（+V
检测电压（−V

最低工作电压

V

SS

DET

）

DET

图 12

DET

DET

）

）
）

VDD

OUT

VSS

R
100 kΩ

V

VDD

OUT

VSS

V

V

DD

OUT端子输出

V

SS

备注 VDD在最低工作电压以下时，OUT 输出端子输出电压在涂写范围内为不稳定状态。

图 13

12

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