Seiko S-1165 User Manual

S-1165系列

高纹波抑制率 低压差型

www.sii-ic.com

© Seiko Instruments Inc., 2002-2010 Rev.4.0_00

CMOS电压稳压器

S-1165 系列是使用 CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。

由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电

流容量，内置了过载电流保护电路。此外，还内置电源开/关控制电路，以延长电池的使用寿命。因采用 SOT-23-5
小型封装，故可高密度安装。

 特点

• 可详细地选择输出电压。 可以在1.5 ~ 5.5 V的范围内选择,并以0.1 V为单位级进

• 输出电压精度高。 ±1.0% 精度

• 输入输出压差低。 140 mV 典型值(输出为3.0 V的产品, I

• 消耗电流少。 工作时:35 µA 典型值、65 µA 最大值

• 输出电流大。 可输出200 mA (V

• 内置电源开/关控制电路。 能够延长电池的使用寿命

• 高纹波抑制率。 70 dB 典型值(1.0 kHz时)

• 内置过载电流保护电路。 限制输出晶体管的过载电流

• 无铅、Sn 100%、无卤素

*2

休眠时:0.1 µA 典型值、1.0 µA 最大值

IN≥VOUT(S)

+1.0 V时)

=200 mA时)

OUT

*1

*1. 请注意在输出大电流时的封装容许功耗。
*2. 详情请参阅“ 产品型号的构成”。

 用途

• 使用电池供电的设备的稳压电源

• 通信设备的稳压电源

• 家电产品的稳压电源

• 携带电话用的稳压电源

 封装

• SOT-23-5

精工电子有限公司

1

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器
S-1165系列

 框图

Rev.4.0

*1

_00

VIN

ON/OFF

VSS

*1. 寄生二极管

ON/OFF 电路

基准电压电路

过载电流保护电路

+

−

VOUT

图1

2

精工电子有限公司

Rev.4.0_00

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器

S-1165系列

 产品型号名的构成

关于S-1165系列，用户可根据用途选择指定产品的类型、输出电压值。产品名的文字含义请参阅“1. 产

品名”、关于封装图面请参阅“2. 封装”、所有的产品名，请参阅“3. 产品名目录”。

1. 产品名

S-1165 x xx MC - xxx TF x

环保标记
U: 无铅 (Sn 100%)、无卤素
G: 无铅 (详情请向本公司营业部咨询)

*3

图面号码

*1

卷带中 IC 置向

产品简称*2

封装简称

MC: SOT-23-5

输出电压

15 ~ 55
(例﹕15 表示输出电压为 1.5 V 时)

产品类型

A﹕ON/OFF 端子负逻辑类型
B﹕ON/OFF 端子正逻辑类型

*1. 请参阅带卷图。
*2. 请参阅产品名目录。
*3. 请参阅工作说明“3. 开/关控制端子(ON/OFF端子)”。

2.

封装

封装名

封装图面 卷带图面 带卷图面

SOT-23-5 MP005-A-P-SD MP005-A-C-SD MP005-A-R-SD

精工电子有限公司

3

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器
S-1165系列

3.

产品名目录

表1

Rev.4.0

_00

1.5V±1.0%

1.6V±1.0%

1.7V±1.0%

1.8V±1.0%

1.9V±1.0%

2.0V±1.0%

2.1V±1.0%

2.2V±1.0%

2.3V±1.0%

2.4V±1.0%

2.5V±1.0%

2.6V±1.0%

2.7V±1.0%

2.8V±1.0%

2.9V±1.0%

3.0V±1.0%

3.1V±1.0%

3.2V±1.0%

3.3V±1.0%

3.4V±1.0%

3.5V±1.0%

3.6V±1.0%

3.7V±1.0%

3.8V±1.0%

3.9V±1.0%

4.0V±1.0%

4.1V±1.0%

4.2V±1.0%

4.3V±1.0%

4.4V±1.0%

4.5V±1.0%

4.6V±1.0%

4.7V±1.0%

4.8V±1.0%

4.9V±1.0%

5.0V±1.0%

5.1V±1.0%

5.2V±1.0%

5.3V±1.0%

5.4V±1.0%

5.5V±1.0%

备注 1. 在希望使用上述产品的A种类时，请与本公司营业部咨询。

2. x: G或U

3.

输出电压 产品名

S-1165B15MC-N6ATFx
S-1165B16MC-N6BTFx
S-1165B17MC-N6CTFx
S-1165B18MC-N6DTFx
S-1165B19MC-N6ETFx
S-1165B20MC-N6FTFx
S-1165B21MC-N6GTFx
S-1165B22MC-N6HTFx

S-1165B23MC-N6ITFx

S-1165B24MC-N6JTFx
S-1165B25MC-N6KTFx
S-1165B26MC-N6LTFx

S-1165B27MC-N6MTFx
S-1165B28MC-N6NTFx
S-1165B29MC-N6OTFx

S-1165B30MC-N6PTFx

S-1165B31MC-N6QTFx
S-1165B32MC-N6RTFx

S-1165B33MC-N6STFx
S-1165B34MC-N6TTFx

S-1165B35MC-N6UTFx

S-1165B36MC-N6VTFx

S-1165B37MC-N6WTFx

S-1165B38MC-N6XTFx
S-1165B39MC-N6YTFx
S-1165B40MC-N6ZTFx
S-1165B41MC-N7ATFx
S-1165B42MC-N7BTFx

S-1165B43MC-N7CTFx
S-1165B44MC-N7DTFx

S-1165B45MC-N7ETFx
S-1165B46MC-N7FTFx

S-1165B47MC-N7GTFx
S-1165B48MC-N7HTFx

S-1165B49MC-N7ITFx

S-1165B50MC-N7JTFx
S-1165B51MC-N7KTFx
S-1165B52MC-N7LTFx

S-1165B53MC-N7MTFx
S-1165B54MC-N7NTFx
S-1165B55MC-N7OTFx

用户需要Sn 100%、无卤素产品时，请选择环保标记为“U”的产品。

4

精工电子有限公司

Rev.4.0_00

 引脚排列图

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器

S-1165系列

SOT-23-5

Top view

5 4

1 3 2

图2

1 VIN
2 VSS
3 ON/OFF
4 NC
5 VOUT

端子编号 端子记号 端子内容

*1. NC

表示从电气的角度而言处于开放状态。

所以，与VIN或VSS连接均可。

表2

电压输入端子

开/关控制端子

*1

电压输出端子

GND

无连接

端子

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5

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器

容

功

(

)

[

]

度

(Ta) [°C]

S-1165系列

 绝对最大额定值

表3

(

除特殊注明以外: Ta=25°C)

项目 记号 绝对最大额定值 单位

输入电压

V

输出电压
容许功耗
工作环境温度

保存温度

IN

ON/OFF

V

OUT

P

D

T

opr
stg

*1. 基板安装时

[

安装基板]

(1)

基板尺寸： 114.3 mm×76.2 mm×t1.6 mm

(2)

名称： JEDEC STANDARD51-7

注意 绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值。万一超过此额定值，有可能造成

产品劣化等物理性损伤。

700
600

V −0.3 ∼ V

SS SS

V −0.3 ∼ V +0.3

SS IN

V −0.3 ∼ V +0.3

SS IN

300 (基板未安装时)

600

+7

*1

−40 ∼ +85

−40 ∼ +125

Rev.4.0

V V

mW

°C

T

_00

mW

500

D

400

P

300

耗

200

许

100

0

0

50

100

环境温

图3 封装容许功耗 (基板安装时)

150

6

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高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器

Rev.4.0_00

 电气特性

表4

项目 记号 条件 最小值 典型值 最大值 单位

V

输出电压

输出电流
输入输出压差

2.6 V ≤V

输入稳定度
负载稳定度

输出电压温度系数

工作时消耗电流

休眠时消耗电流
输入电压

开/关控制端子
输入电压“H”

开/关控制端子
输入电压“L”

开/关控制端子
输入电流“H”

开/关控制端子
输入电流“L”

纹波抑制率

短路电流

*1

*2

*3

*4

V

I

V

ΔV

RR

I

OUT(E)

OUT

drop

OUT1

VΔVΔV•

OUT2

OUT

VΔTaΔV•

I

SS1

I

SS2

V

IN

V

SH

V

SL

I

SH

I

SL

short

VIN =V
VIN ≥V

I

OUT

V

OUTIN

OUT(S)

VIN=V
V

OUT

IN=VOUT(S)

−40°C ≤Ta ≤85°C
VIN=V
无负载
VIN=V
无负载

VIN=V

VIN=V

VIN=6.5 V, V

VIN=6.5 V, V
V

IN=VOUT(S)

ΔV
VIN=V
V

OUT

+1.0 V, I

OUT(S)

+1.0 V 200

OUT(S)

=200 mA 1.5 V ≤V

+0.5 V ≤VIN ≤6.5 V，I

+1.0 V, 1.0 mA ≤I

OUT(S)

+1.0 V, I

+1.0 V, ON/OFF端子为ON,

OUT(S)

+1.0 V, ON/OFF端子为OFF,

OUT(S)

OUT

=30 mA

OUT

=30 mA

OUT

OUT

OUT(S)

OUT(S)

=30 mA

≤200 mA

⎯

+1.0 V, RL=1.0 kΩ 1.5

OUT(S)

+1.0 V, RL=1.0 kΩ

OUT(S)

=6.5 V −0.1

ON/OFF

=0 V −0.1

ON/OFF

+1.0 V, f=1.0 kHz,

=0.5 Vrms, I

rip

+1.0 V, ON/OFF端子为ON,

OUT(S)

=30 mA

OUT

=0 V

≤2.5 V
≤5.5 V

V

*1.

*2.
*3. V

*4.

*5.

: 设定输出电压值

OUT(S)

V

: 实际输出电压值

OUT(E)

固定I

(=30 mA), 输入为V

OUT

缓慢增加输出电流，当输出电压为V

= V

−(V

drop

IN1

: VIN = V

V

OUT3

: 缓慢下降输入电压，当输出电压降为V

V

IN1

OUT3

×0.98)

OUT(S)

+1.0 V, I

OUT

= 200 mA时的输出电压值

+1.0 V时的输出电压值

OUT(S)

的95%时的输出电流值

OUT(E)

OUT3

的98%时的输入电压

输出电压的温度变化[mV / °C]按照如下公式算出。

OUT

ΔV

[] [] []

ΔTa

OUT(S)

VVCmV/

OUT

ΔV

×=°

OUT

VΔTa

•

*3*2*1

1000Cppm/

÷°

*1. 输出电压的温度变化
*2. 设定输出电压值
*3. 上述输出电压的温度系数

意指能够得到此值为止的输出电流。
由于封装容许功耗的不同，也有不能满足此值的情况发生。请注意在输出大电流时的封装容许功耗。
此规格为设计保证。

OUT(S)

×0.99

⎯
⎯

⎯
⎯
⎯

⎯

⎯

2.0

⎯ ⎯

⎯

⎯

S-1165系列

(

除特殊注明以外: Ta=25°C)

V

OUT(S)

*5

⎯ ⎯

0.20 0.30 V 1

0.14 0.20

0.05 0.2 % / V
20 40 mV

±100

35 65 μA 2

0.1 1.0

⎯
⎯ ⎯

⎯

⎯

70

350

V

OUT(S)

×1.01

⎯

ppm/

6.5 V

0.3

0.1 μA

0.1

⎯

⎯

测定
电路

V 1

mA 3

°C

⎯

4

dB 5

mA 3

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7

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器
S-1165系列

 测定电路

Rev.4.0

_00

1.

VIN

ON/OFF

设定为通电

VOUT

VSS

+

A

+

V

图4

2.

A

VIN

ON/OFF

设定为 VIN或
GND

VOUT

VSS

图5

3.

VIN

ON/OFF

设定为通电

VOUT

VSS

+

A

+

V

图6

4.

A

VIN

+

ON/OFF

VOUT

VSS

+

V

R

L

图7

5.

VIN

ON/OFF

设定为通电

VOUT

VSS

+

V

R

L

图8

8

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Rev.4.0_00

*1

*

2

(

)

 标准电路

输入 输出

VIN

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器

VOUT

S-1165系列

C

IN

ON/OFF

VSS

单点接地

C

L

GND

*1. C
*2.

为输入稳定用电容器。

IN

可以使用钽电容器

2.2μF以上的

。

图9

注意 上述连接图以及参数并不作为保证电路工作的依据。实际的应用电路请在进行充分的实测基础上设

定参数。

 使用条件

输入电容器(C ): 1.0 μF以上
输出电容器(C ): 2.2 μF以上(钽电容器)

注意 一般而言，线性稳压电源因选择外接零件的不同有可能引起振荡。上述电容器使用前请确认在应用

IN
L

电路上不发生振荡。

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9

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器
S-1165系列

 用语的说明

1. 低压差型电压稳压器

采用内置低通态电阻晶体管的低压差的电压稳压器。

2.

输出电压(V )

*1.

注意 当这些条件发生变化时，输出电压的值也随之发生变化，有可能导致输出电压的精度超出上述范

表示输出电压对输入电压的依存性。即，当输出电流一定时，输出电压随输入电压的变化而产生的变化
量。

OUT

*1

、输出电流与温度一定的条件下，输出电压的输出电压精度可保证为±1.0%。 在输入电压

因产品的不同而有所差异。

围。详情请参阅电气特性、及各特性数据。

OUT

1

ΔV

⎛
⎜

⎝

⎞

3. 输入稳定度

⎟

OUTIN

VΔV

•

⎠

Rev.4.0

_00

负载稳定度(ΔV )

4.

OUT2

表示输出电压对输出电流的依存性。即，当输入电压一定时，输出电压随输出电流的变化而产生的变化
量。

输入输出电压差(V )

5.

表示当缓慢降低输入电压V ，当输出电压降到为V =V +1.0 V时的输出电压值V

电压

V 与输出电压的差。

IN1

= V −(V ×0.98)

V

drop IN1 OUT3

drop

IN IN OUT(S) OUT3

的98%时的输入

10

精工电子有限公司

Rev.4.0_00

)

*1

+

−

6.

输出电压的温度系数

表示输出电压的温度系数在±100 ppm/°C时的特性，在工作温度范围内如图10所示的倾斜范围。

输出电压的温度变化[mV/°C]按下式算出。

Δ

⎛
⎜

⎝

V

V

OUT(E

ΔV

OUT

[] [] []

ΔTa

*1. 输出电压的温度变化
*2. 设定输出电压值
*3. 上述输出电压温度系数

OUT(S)

V

•Δ

OUT

[V]

OUT

VTa

⎞
⎟

OUT

⎠

为S-1165B28典型产品的示例

−40 25

*1. V

OUT(E)

VVCmV/

ΔV

×=°

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器

为25°C时的输出电压测定值。

图10

OUT

•

VΔTa

OUT

3*2**1

1000Cppm/

÷°

0.28 mV /

0.28 mV / °C

85

S-1165系列

°C

Ta [°C]

精工电子有限公司

11

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器
S-1165系列

 工作说明

1. 基本工作

图11所示为S-1165系列的框图。
误差放大器根据反馈电阻R 及R 所构成的分压电阻的输出电压V 同基准电压(V

放大器向输出晶体管提供必要的门极电压，而使输出电压不受输入电压或温度变化的影响而保持一定。

s f fb ref

VIN

定电流源

V

ref

误差放大器

−
+

Rev.4.0

)相比较。通过此误差

*1

VOUT

R

f

V

fb

_00

基准电压电路

VSS

*1. 寄生二极管

R

s

图11

2. 输出晶体管
S-1165

在晶体管的构造上，因在VIN−VOUT端子间存在有寄生二极管，当V 的电位高于V

电流而导致

系列的输出晶体管，采用了低通态电阻的Pch MOS FET晶体管。

OUT IN

IC被毁坏。因此，请注意V 不要超过V +0.3 V以上。

OUT IN

时，有可能因逆流

12

精工电子有限公司

Rev.4.0_00

开/关控制端子(ON/OFF端子)

3.

启动以及停止稳压器的工作。

将ON/OFF端子设定到“关”时，内部电路全部停止工作，使VIN−VOUT端子间内置Pch MOS FET输出晶

体管关闭

级。

此外，因ON/OFF端子的构造如图12所示构造，在内部为既非上拉也非下拉，所以不要将开关控制端在

悬空状态下使用。另外，如附加

ON/OFF端子时，如为“A”型号产品请与VSS端子连接，“B”型号产品请与VIN端子连接。

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器

，大幅度抑制消耗电流。VOUT端子通过数百kΩ的VOUT−VSS端子间内置分压电阻而变为V

0.3 V ~ VIN−0.3 V的电压时，会增加消耗电流，请予以注意。在不使用

表5

产品类型 ON/OFF端子 VOUT端子电压内部电路 消耗电流

A
A
B
B

“L”:

通电 工作 设定值

“H”:

断电 停止 V电位

“L”:

断电 停止 V电位

“H”:

通电 工作 设定值

VIN

SS
SS

I
I
I
I

SS1
SS2
SS2
SS1

S-1165系列

SS

ON/OFF

VSS

图12

 输出电容器(C )的选定

L

S-1165系列，为了使输出负载有变化的情况下也能稳定工作，在IC内部使用了相位补偿电路和输出电容器的
ESR(Equivalent Series Resistance：等效串联电阻)来进行相位补偿。因此，在VOUT−VSS端子之间一定请

使用

2.2 μF以上的电容器(C )。

L

为了使S-1165系列能稳定工作，必须使用带有适当范围ESR的电容器。跟适当范围(0.5 ~ 5 Ω左右)相比ESR
或大或小，都可能使输出不稳定并引起振荡。因此，推荐使用钽电解电容器。
使用小ESR的陶瓷电容器或OS电容器的情况下，有必要增加代替ESR的电阻与输出电容器串联。要增加的

电阻值为

0.5 ~ 5 Ω左右，因使用条件而不同，故请在进行充分实测验证后再决定。通常，推荐使用大约1.0 Ω

左右的电阻。
铝电解电容器，因在低温时ESR可能会増大并引起振荡，特请予以注意。在使用时，请对包括温度特性等予

以充分实测验证。

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13

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器
S-1165系列

 注意事项

• VIN端子、VOUT端子以及GND的配线，为降低阻抗，充分注意接线方式。另外，请尽可能将输出电容器
(CL)接在VOUT−VSS端子的附近，将输入稳定电容器(CIN)接在VIN−VSS端子的附近。

线性稳压电源通常在低负载电流(1.0 mA以下)状态下使用时，输出电压有时会上升，请加以注意。

•

本IC在IC内部使用了相位补偿电路和输出电容器的ESR来进行相位补偿。因此，在VOUT−VSS端子之间

•

一定要使用

另外，为了使S-1165系列能稳定工作，必须使用带有适当范围(0.5 ~ 5 Ω)的ESR的电容器。跟这个适当

范围相比
特性等进行充分的实测验证后再决定。

在电源的阻抗偏高的情况下，当IC的输入端未接电容或所接电容值很小时，会发生振荡，请加以注意。

•

请注意输入输出电压、负载电流的使用条件，使IC内的功耗不超过封装的容许功耗。

•

本IC虽内置防静电保护电路，但请不要对IC印加超过保护电路性能的过大静电。

•

有关所需输出电流的设定，请留意“电气特性”表4的输出电流值及栏外的注意事项*5。

•

使用本公司的IC生产产品时，如在其产品中对该IC的使用方法或产品的规格，或因与所进口国对包括本IC

•

产品在内的制品发生专利纠纷时，本公司概不承担相应责任。

2.2 μF以上的电容器。建议使用钽电容器。

ESR或大或小，都可能使输出不稳定并引起振荡。因此，在实际的使用条件下，请对包括温度

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_00

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 各种特性数据(典型数据)

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器

S-1165系列

输出电压－输出电流 (负载电流増加时)

(1)
S-1165B15 (Ta = 25°C) S-1165B30 (Ta = 25°C)

2.5
2

1.5

VIN = 1.8 V

1

VOUT [V]

0.5
0

0 20 0 400 600 800

6.0 V

IOUT [mA]

2.5 V

4

3.5
3

2.5
2

1.5

VOUT [V]

1

0.5
0

0 200 400 600 800

VIN = 3.3 V

6.0 V

S-1165B50 (Ta = 25°C)

6
5
4
3
2

VOUT [V]

1
0

0 200 400 600 800

IOUT [mA]

6.0 V

VIN = 5.3 V

备注 有关所需的输出电流的设定，请注意如下问题。

1) “

电气特性”表的输出电流最小值以及

注意事项*5

2)

封装的容许功耗

输出电压－输入电压

(2)
S-1165B15 (Ta = 25°C)

1.6

1.55
30 mA

1.5

VOUT [V]

1.45

50 mA

1.4
1 1.5 2 2.5 3 3.5

VIN [V]

I

OUT

= 1 mA

S-1165B30 (Ta = 25°C)

3.05
3

2.95

2.9

VOUT [V]

2.85

2.8

2.5 3.5

50 mA

30 mA

3

S-1165B50 (Ta = 25°C)

5.1

5.08

5.06

5.04

5.02
5

4.98

VOUT [V]

4.96

4.94

4.92

4.5 5 5.5 6 6.5

VIN [V]

I

OUT

30 mA

= 1 mA

50 mA

7

IOUT [mA]

I

OUT

VIN [V]

1 mA

=

4.5

4

4.0 V

5

精工电子有限公司

15

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器

C

C

C

S-1165系列

Rev.4.0

_00

(3) 压差－输出电流
S-1165B15 S-1165B30

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

Vdrop [V]

0.1

0.05
0

0 50 100 150 200 250

85°

IOUT [mA]

−

25°

40°

0.2

0.18

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

Vdrop [V]

0.04

0.02
0

0 50 100 150 200 250

85°C

IOUT [mA]

25°C

−40°C

S-1165B50

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

Vdrop [V]

0.04

0.02
0

0 50 100 150 200 250

85°C

IOUT [mA]

25°C

−40°C

(4)

压差－设定输出电压

300

200 mA

250
200

120 mA

150

50 mA

100

Vdrop [mV]

30 mA

50

10 mA

0

0 1 2 3 4 5 6 7

VOTA [V]

16

精工电子有限公司

Rev.4.0_00

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器

S-1165系列

(5) 输出电压－周围温度
S-1165B15 S-1165B30

1.6

3.1

1.55

3.05

1.5

VOUT [V]

1.45

1.4

−

40 − 20

S-1165B50

5.1

5.08

5.06

5.04

5.02
5

4.98

4.96

VOUT [V]

4.94

4.92

4.9

-40 -20

0 20

0

40 60 80 100

Ta [℃]

20 40 60 80 100

Ta [℃]

3

VOUT [V]

2.95

2.9

−40−

20

0

20 40

60 80 100

Ta [℃]

(6)

消耗电流－输入电压

S-1165B15 S-1165B30

40
35

25°C

30
25
20
15

ISS1 [μA]

10

5
0

0 2 4 6 8

−40°C

VIN [V]

85°C

ISS1 [μA]

40
35

25°C

30
25
20
15
10

5
0

0 2 4 6 8

−40°C

VIN [V]

85°C

S-1165B50

40
35

ISS1 [μA]

25°C

30
25
20
15
10

5
0

0 2 4 6 8

85°C

VIN [V]

−40°C

精工电子有限公司

17

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器
S-1165系列

(7) 纹波抑制率
S-1165B15 (Ta = 25°C) S-1165B30 (Ta = 25°C)

VIN = 2.5 V, COUT = 2.2 μF

100

80
60

IOUT = 1 mA

40

Ripple Rejection [dB]

20

0

10 100 1 k 10 k 100 k 1 M

Frequency [Hz]

30 mA

50 mA

S-1165B50 (Ta = 25°C)

VIN = 6.0 V, COUT = 2.2 μF

100

80
60

IOUT = 1 mA

40
20

Ripple Rejection [dB]

0

10 100 1 k 10 k 100 k 1 M

Frequency [Hz]

30 mA

50 mA

VIN = 4.0 V, COUT = 2.2 μF

100

80
60
40
20

Ripple Rejection [dB]

0

10 100 1 k 10 k 100 k 1 M

Frequency [Hz]

Rev.4.0

IOUT = 1 mA

30 mA

50 mA

_00

18

精工电子有限公司

Rev.4.0_00

 参考数据

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器

S-1165系列

(1) 输入过渡响应特性

IOUT = 30 mA, tr = tf = 5.0 μs, COUT = 4.7 μF, CIN = 0 μF IOUT = 30 mA, tr = tf = 5.0 μs, COUT = 2.2 μF, CIN = 0 μF

3.1

3.08

3.06

IN

3.04

3.02

VOUT [V]

3

2.98

-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

负载过渡响应特性

(2)

V

t [μs]

VIN = 4.0 V, COUT = 2.2 μF, CIN = 1.0 μF,
I

OUT = 50↔100 mA

3.4

3.3

3.2

OUT

3.1

3

VOUT [V]

2.9

2.8

-2 0 2 4 6 8 1012141618

t [μs]

I

V

V

OUT

6
5

4

3

OUT

VIN [V]

2

1

0

150
100

50

0

-50

-100

-150

IOUT [mA]

3.1

3.08

3.06

3.04

3.02

VOUT [V]

3

2.98

-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

IN

V

t [μs]

VIN = 4.0 V, COUT = 4.7 μF, CIN = 1.0 μF,
I

OUT = 50↔100 mA

3.4

3.3

3.2

3.1

OUT [V]

3

V

2.9

2.8

-2 0 2 4 6 8 1012141618

t [μs]

(3) ON/OFF端子过渡响应特性
S-1165B15 (Ta = 25°C) S-1165B30 (Ta = 25°C)

VIN = 2.5 V, COUT = 2.2 μF, CIN = 1.0 μF VIN = 4.0 V, COUT = 2.2 μF, CIN = 1.0 μF

2.5
2

1.5

1

0.5

VOUT [V]

0

-0.5

-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

V

t [μs]

ON/OFF

OUT

V

3
2

1

0

-1

-2

-3

[V]

ON/OFF

V

5
4

V

3

2

1

VOUT [V]

0

-1

-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

ON/OFF

OUT

V

t [μs]

S-1165B50 (Ta = 25°C)

VIN = 6.0 V, COUT = 2.2 μF, CIN = 1.0 μF

7
6
5
4
3
2

VOUT [V]

1
0

-1

-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

V

ON/OFF

t [μs]

OUT

V

8
6
4
2
0

[V]

-2

-4

-6

-8

ON/OFF

V

I

OUT

6
5

4

3

OUT

V

2

1

0

VIN [V]

150
100

50

0

-50

OUT

V

-100

-150

IOUT [mA]

6
4

2

[V]

0

-2

-4

-6

ON/OFF

V

精工电子有限公司

19

2.9±0.2

1.9±0.2

0.95±0.1

5

123

4

0.4±0.1

0.16

+0.1

-0.06

No. MP005-A-P-SD-1.2

TITLE

No.

SCALE

UNIT mm

SOT235-A-PKG Dimensions

MP005-A-P-SD-1.2

Seiko Instruments Inc.

4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2)

ø1.5

3.2±0.2

+0.1

-0

2.0±0.05

ø1.0

+0.2

-0

0.25±0.1

4.0±0.1

1.4±0.2

123

45

Feed direction

No. MP005-A-C-SD-2.1

TITLE

No.

SCALE

UNIT mm

SOT235-A-Carrier Tape

MP005-A-C-SD-2.1

Seiko Instruments Inc.

12.5max.

Enlarged drawing in the central part

(60°) (60°)

ø13±0.2

No. MP005-A-R-SD-1.1

TITLE

No.

SCALE

UNIT mm

9.0±0.3

SOT235-A-Reel

MP005-A-R-SD-1.1

QTY. 3,000

Seiko Instruments Inc.

www.sii-ic.com

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生的人身事故、火灾事故、社会性损害等，请注意冗长设计、火势蔓延对策设计、防止误工作设计等安全设计。