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S-1000 系列
www.sii-ic.com
© Seiko Instruments Inc., 2004-2010 Rev.3.0_00
超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列是使用 CMOS 技术开发、高精度电压检测 IC。在内部检测电压被固定，精度为±1.0%。消耗电流为 350 nA（典
型值）的超低消耗电流。在输出方式上备有 N 沟道开路漏极输出和 CMOS 输出。与以往的 CMOS 电压检测器相比，实现了高
精度、超低消耗电流和超小型封装，所以最适用于便携设备。
特点
·超低消耗电流 350 nA 典型值（VDD = 检测电压+1.5 V）
·高精度检测电压 ±1.0%
·工作电压范围 0.95～5.5 V
·滞后特性 5% 典型值
·检测电压 1.5～4.6 V（0.1 V 级进)
·输出方式 N沟道开路漏极输出（动态“L”）
CMOS 输出（动态“L”）
·无铅、Sn 100%、无卤素
*1. 详情请参阅“ 产品型号的构成”。
*1
用途
·微机用电源的监视以及 CPU 的复位
·携带电话、数码相机、PDA 等的便携设备用电源的监视
·照相机、视频设备、通信设备等的稳压电源的监视
封装
·SC-82AB
·SOT-23-5
·SNT-4A
精工电子有限公司
1
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超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
框图
1. N沟道开路漏极输出产品
*1. 寄生二极管
VDD
VSS
Rev.3.0 _00
－
*1
V
REF
＋
图 1
OUT
*1
2. CMOS输出产品
*1. 寄生二极管
VDD
VSS
*1
－
*1
V
REF
＋
OUT
*1
图 2
2
精工电子有限公司
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Rev.3.0_00
超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
产品型号的构成
关于 S-1000 系列，用户可根据用途选择指定产品的类型、输出电压值和封装类型。产品名的文字含义请参阅“1. 产品
名”、关于封装图面请参阅“2. 封装”、所有的产品名，请参阅“3. 产品名目录”。
1. 产品名
S-1000 x xx - xxxx x
环保标记
U : 无铅 (Sn 100%)、无卤素
G : 无铅 (详情请向本公司营业部咨询)
封装简称和 IC 的包装规格*1
N4T1 : SC-82AB、卷带产品
M5T1 : SOT-23-5、卷带产品
I4T1 : SNT-4A、卷带产品
检测电压值
15～46
（例: 当检测电压为 1.5 V 时表示为 15。）
输出方式
N: N 沟道开路漏极输出（动态“L”）
C: CMOS 输出（动态“L”）
*1. 请参阅卷带图。
2. 封装
封装名
SC-82AB NP004-A-P-SD
SOT-23-5 MP005-A-P-SD MP005-A-C-SD MP005-A-R-SD
SNT-4A PF004-A-P-SD PF004-A-C-SD PF004-A-R-SD PF004-A-L-SD
封装图面 卷带图面 带卷图面 焊盘图面
NP004-A-C-SD
NP004-A-C-S1
图面号码
NP004-A-R-SD
－
－
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超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
3. 产品名目录
3. 1 N 沟道开路漏极输出产品
检测电压
1.5 V±1.0%
1.6 V±1.0%
1.7 V±1.0%
1.8 V±1.0%
1.9 V±1.0%
2.0 V±1.0%
2.1 V±1.0%
2.2 V±1.0%
2.3 V±1.0%
2.4 V±1.0%
2.5 V±1.0%
2.6 V±1.0%
2.7 V±1.0%
2.8 V±1.0%
2.9 V±1.0%
3.0 V±1.0%
3.1 V±1.0%
3.2 V±1.0%
3.3 V±1.0%
3.4 V±1.0%
3.5 V±1.0%
3.6 V±1.0%
3.7 V±1.0%
3.8 V±1.0%
3.9 V±1.0%
4.0 V±1.0%
4.1 V±1.0%
4.2 V±1.0%
4.3 V±1.0%
4.4 V±1.0%
4.5 V±1.0%
4.6 V±1.0%
备注 1. x: G 或 U
2. 用户需要 Sn 100%、无卤素产品时，请选择环保标记为“U”的产品。
Rev.3.0 _00
1
表
SC-82AB SOT-23-5 SNT-4A
S-1000N15-N4T1x S-1000N15-M5T1x S-1000N15-I4T1x
S-1000N16-N4T1x S-1000N16-M5T1x S-1000N16-I4T1x
S-1000N17-N4T1x S-1000N17-M5T1x S-1000N17-I4T1x
S-1000N18-N4T1x S-1000N18-M5T1x S-1000N18-I4T1x
S-1000N19-N4T1x S-1000N19-M5T1x S-1000N19-I4T1x
S-1000N20-N4T1x S-1000N20-M5T1x S-1000N20-I4T1x
S-1000N21-N4T1x S-1000N21-M5T1x S-1000N21-I4T1x
S-1000N22-N4T1x S-1000N22-M5T1x S-1000N22-I4T1x
S-1000N23-N4T1x S-1000N23-M5T1x S-1000N23-I4T1x
S-1000N24-N4T1x S-1000N24-M5T1x S-1000N24-I4T1x
S-1000N25-N4T1x S-1000N25-M5T1x S-1000N25-I4T1x
S-1000N26-N4T1x S-1000N26-M5T1x S-1000N26-I4T1x
S-1000N27-N4T1x S-1000N27-M5T1x S-1000N27-I4T1x
S-1000N28-N4T1x S-1000N28-M5T1x S-1000N28-I4T1x
S-1000N29-N4T1x S-1000N29-M5T1x S-1000N29-I4T1x
S-1000N30-N4T1x S-1000N30-M5T1x S-1000N30-I4T1x
S-1000N31-N4T1x S-1000N31-M5T1x S-1000N31-I4T1x
S-1000N32-N4T1x S-1000N32-M5T1x S-1000N32-I4T1x
S-1000N33-N4T1x S-1000N33-M5T1x S-1000N33-I4T1x
S-1000N34-N4T1x S-1000N34-M5T1x S-1000N34-I4T1x
S-1000N35-N4T1x S-1000N35-M5T1x S-1000N35-I4T1x
S-1000N36-N4T1x S-1000N36-M5T1x S-1000N36-I4T1x
S-1000N37-N4T1x S-1000N37-M5T1x S-1000N37-I4T1x
S-1000N38-N4T1x S-1000N38-M5T1x S-1000N38-I4T1x
S-1000N39-N4T1x S-1000N39-M5T1x S-1000N39-I4T1x
S-1000N40-N4T1x S-1000N40-M5T1x S-1000N40-I4T1x
S-1000N41-N4T1x S-1000N41-M5T1x S-1000N41-I4T1x
S-1000N42-N4T1x S-1000N42-M5T1x S-1000N42-I4T1x
S-1000N43-N4T1x S-1000N43-M5T1x S-1000N43-I4T1x
S-1000N44-N4T1x S-1000N44-M5T1x S-1000N44-I4T1x
S-1000N45-N4T1x S-1000N45-M5T1x S-1000N45-I4T1x
S-1000N46-N4T1x S-1000N46-M5T1x S-1000N46-I4T1x
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Rev.3.0_00
3. 2
备注 1. x: G 或 U
2. 用户需要 Sn 100%、无卤素产品时，请选择环保标记为“U”的产品。
CMOS 输出产品
检测电压
1.5 V±1.0%
1.6 V±1.0%
1.7 V±1.0%
1.8 V±1.0%
1.9 V±1.0%
2.0 V±1.0%
2.1 V±1.0%
2.2 V±1.0%
2.3 V±1.0%
2.4 V±1.0%
2.5 V±1.0%
2.6 V±1.0%
2.7 V±1.0%
2.8 V±1.0%
2.9 V±1.0%
3.0 V±1.0%
3.1 V±1.0%
3.2 V±1.0%
3.3 V±1.0%
3.4 V±1.0%
3.5 V±1.0%
3.6 V±1.0%
3.7 V±1.0%
3.8 V±1.0%
3.9 V±1.0%
4.0 V±1.0%
4.1 V±1.0%
4.2 V±1.0%
4.3 V±1.0%
4.4 V±1.0%
4.5 V±1.0%
4.6 V±1.0%
超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
2
表
SC-82AB SOT-23-5 SNT-4A
S-1000C15-N4T1x S-1000C15-M5T1x S-1000C15-I4T1x
S-1000C16-N4T1x S-1000C16-M5T1x S-1000C16-I4T1x
S-1000C17-N4T1x S-1000C17-M5T1x S-1000C17-I4T1x
S-1000C18-N4T1x S-1000C18-M5T1x S-1000C18-I4T1x
S-1000C19-N4T1x S-1000C19-M5T1x S-1000C19-I4T1x
S-1000C20-N4T1x S-1000C20-M5T1x S-1000C20-I4T1x
S-1000C21-N4T1x S-1000C21-M5T1x S-1000C21-I4T1x
S-1000C22-N4T1x S-1000C22-M5T1x S-1000C22-I4T1x
S-1000C23-N4T1x S-1000C23-M5T1x S-1000C23-I4T1x
S-1000C24-N4T1x S-1000C24-M5T1x S-1000C24-I4T1x
S-1000C25-N4T1x S-1000C25-M5T1x S-1000C25-I4T1x
S-1000C26-N4T1x S-1000C26-M5T1x S-1000C26-I4T1x
S-1000C27-N4T1x S-1000C27-M5T1x S-1000C27-I4T1x
S-1000C28-N4T1x S-1000C28-M5T1x S-1000C28-I4T1x
S-1000C29-N4T1x S-1000C29-M5T1x S-1000C29-I4T1x
S-1000C30-N4T1x S-1000C30-M5T1x S-1000C30-I4T1x
S-1000C31-N4T1x S-1000C31-M5T1x S-1000C31-I4T1x
S-1000C32-N4T1x S-1000C32-M5T1x S-1000C32-I4T1x
S-1000C33-N4T1x S-1000C33-M5T1x S-1000C33-I4T1x
S-1000C34-N4T1x S-1000C34-M5T1x S-1000C34-I4T1x
S-1000C35-N4T1x S-1000C35-M5T1x S-1000C35-I4T1x
S-1000C36-N4T1x S-1000C36-M5T1x S-1000C36-I4T1x
S-1000C37-N4T1x S-1000C37-M5T1x S-1000C37-I4T1x
S-1000C38-N4T1x S-1000C38-M5T1x S-1000C38-I4T1x
S-1000C39-N4T1x S-1000C39-M5T1x S-1000C39-I4T1x
S-1000C40-N4T1x S-1000C40-M5T1x S-1000C40-I4T1x
S-1000C41-N4T1x S-1000C41-M5T1x S-1000C41-I4T1x
S-1000C42-N4T1x S-1000C42-M5T1x S-1000C42-I4T1x
S-1000C43-N4T1x S-1000C43-M5T1x S-1000C43-I4T1x
S-1000C44-N4T1x S-1000C44-M5T1x S-1000C44-I4T1x
S-1000C45-N4T1x S-1000C45-M5T1x S-1000C45-I4T1x
S-1000C46-N4T1x S-1000C46-M5T1x S-1000C46-I4T1x
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超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
输出方式的不同
1. S-1000 系列的输出方式
Rev.3.0 _00
表 3
S-1000 系列
N 沟道开路漏极输出产品（动态“L”） CMOS 输出产品（动态“L”）
产品名结尾为 N
例：S-1000N
产品名结尾为 C
例：S-1000C
2. 输出方式的不同与使用方法
表 4
使用方法
不同种类电源的使用
CPU 等的复位为动态“L”
CPU 等的复位为动态“H”
由电阻分割而引起的检测电压的改变
N 沟道开路漏极输出产品（动态“L”） CMOS 输出产品（动态“L”）
○ ×
○ ○
× ×
○ ×
• 有2 个电源情况下的例子 • 有1 个电源情况下的例子
V
V
DD1
V / D
Nch
OUT OUT OUT
V
DD2
CPU CPU CPU
DD
V / D
CMOS
V
DD
V / D
Nch
V
SS
V
SS
VSS
图 3
6
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Rev.3.0_00
引脚排列图
超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
NC
表 5
表 6
表 7
电压检测输出端子
*1
GND 端子
无连接
电压输入端子
SC-82AB
Top view
4 3
1
SOT-23-5
Top view
5 4
图 4
图 5
2
3 2 1
SNT-4A
Top view
1
2 3
4
图 6
引脚号 符号 描述
1 OUT 电压检测输出端子
2 VDD 电压输入端子
3 NC*1 无连接
4 VSS GND 端子
*1. NC 表示从电气角度而言处于开放状态。
所以，与 VDD 以及 VSS 相接均可。
引脚号 符号 描述
1 OUT 电压检测输出端子
2 VDD 电压输入端子
3 VSS GND 端子
4 NC*1 无连接
5 NC*1 无连接
*1. NC 表示从电气角度而言处于开放状态。
所以，与 VDD 以及 VSS 相接均可。
引脚号 符号 描述
1 OUT
2 VSS
3
4 VDD
*1. NC 表示从电气角度而言处于开放状态。
所以，与 VDD 以及 VSS 相接均可。
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超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
绝对最大额定值
项目 记号 绝对最大额定值 单位
电源电压
输出电压
输出电流
容许功耗
工作环境温度
保存温度
*1. 基板安装时
N 沟道开路漏极输出产品 V
CMOS 输出产品
[安装基板]
(1) 基板尺寸： 114.3 mm×76.2 mm×t1.6 mm
(2) 名称： JEDEC STANDARD51-7
SC-82AB
SOT-23-5
SNT-4A
表 8
V
Rev.3.0 _00
（除特殊注明以外: Ta = 25 °C）
DD－VSS
V
OUT
I
50 mA
OUT
V
SS
200 (基板未安装时)
P
D
T
opr
T
stg
300 (基板未安装时)
6
－0.3～VSS＋6
SS
－0.3～VDD＋0.3
*1
350
*1
600
*1
300
－40～＋85
－40～＋125
V
V
V
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
注意 绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值。万一超过此额定值，有可能造成产品劣化
等物理性的损伤。
700
600
) [mW]
D
容许功耗 (P
500
400
300
200
SOT-23-5
SC-82AB
SNT-4A
100
0
0
50
100
环境温度 (Ta) [°C]
150
图 7 封装容许功耗 (基板安装时)
8
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Rev.3.0_00
电气特性
超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
1. N 沟道开路漏极输出产品
项目
检测电压*1 －V
滞后幅度
消耗电流
工作电压
输出电流
泄漏电流
响应时间
检测电压的
温度系数
*1.
*2
－
V
: 实际检测电压值、－V
DET
记号
─
DET
V
HYS
I
V
I
OUT
I
LEAK
t
PLH
−Δ
SS
DD
VDD =－
VDD = 5.5 V
输出晶体管，
N 沟道, V
输出晶体管，
N 沟道, V
DET
Ta = －40～＋85 °C ─
DET
VTaV−•Δ
: 设定检测电压值（表 1 的检测电压范围内的中心值）
）
DET（S
条件
─
V
＋
1.5 V S-1000N15～39
）
DET（S
─
= 0.5 V, VDD = 1.2 V
DS
= 5.5 V, VDD = 5.5 V
DS
─
*2. 检测电压的温度变化率[mV/°C]按如下公式计算出来。
V
−Δ
DET
[]
Ta
Δ
()
DET(S)
[] []
VTyp.VC/mV
×−=°
表 9
S-1000N40～46
V
−Δ
DET
VTa
−Δ
DET
•
（除特殊注明以外: Ta = 25 °C）
最小值 典型值 最大值 单位 测定电路
－
V
）
DET（S
－
DET
V
－
×
350 900
350 900
×
－
×
0.99
V
0.03
─
─
0.95
1.36 2.55
─ ─
─ ─
±
3*2*1*
1000C/ppm
÷°
DET（S
V
DET
0.05
─
100
－
V
DET（S）
）
×
1.01
－
V
DET
×
0.07
V 1
V 1
nA 2
nA 2
5.5
─
100
60
±
350
V 1
mA 3
nA 3
μs 1
ppm / °C 1
*1. 检测电压的温度变化率
*2. 设定检测电压值
*3. 上述检测电压的温度系数
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超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
2. CMOS 输出产品
项目
检测电压
*1
－V
滞后幅度
消耗电流
工作电压
输出电流 I
响应时间
检测电压的
温度系数
*1. －V
*2
: 实际检测电压值、－V
DET
*2. 检测电压的温度变化率[mV/°C]按如下公式计算出来。
V
−Δ
DET
[]
Ta
Δ
记号
─
DET
V
HYS
I
SS
V
DD
VDD = －V
VDD = 5.5 V
DET（S
输出晶体管，
OUT
N 沟道, V
输出晶体管，
P 沟道, V
t
─
PLH
−Δ
DET
Ta = －40～＋85 °C
DET
VTaV−•Δ
DET（S
DET(S)
DS
DS
: 设定检测电压值（表 2 的检测电压范围内的中心值）
）
()
[] []
条件
─
＋
1.5 V S-1000C15～39
）
─
= 0.5 V, VDD = 1.2 V
= 0.5 V, VDD = 5.5 V
VTyp.VC/mV
×−=°
表 10
S-1000C40
V
−Δ
DET
VTa
−Δ
DET
•
Rev.3.0 _00
（除特殊注明以外: Ta = 25 °C）
最小值 典型值 最大值 单位 测定电路
－
V
～
46
DET（S）
×
－
×
─
─
0.99
V
DET
0.03
－
V
－
×
350 900
350 900
0.95
1.36 2.55
1.71 2.76
─
─
3*2*1*
÷°
±
1000C/ppm
DET（S
V
DET
0.05
─
─
100
－
V
DET（S）
）
×
1.01
－
V
DET
×
0.07
V 1
V 1
nA 2
nA 2
5.5
V 1
─ mA 3
─ mA 4
±
60
350
μs
ppm / °C 1
1
*1. 检测电压的温度变化率
*2. 设定检测电压值
*3. 上述检测电压的温度系数
10
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Rev.3.0_00
测定电路
1.
*1. CMOS输出产品的情况下不需要 R。
2.
超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
VDD
V
DD
S-1000
V
VSS
图 8
A
OUT
V
*1
R
100 kΩ
VDD
V
DD
3.
S-1000
图 9
VSS
OUT
VDD
VDD
4.
S-1000
V A
VSS
图 10
VDD
OUT
V
V
V
DS
V
DS
V
DD
S-1000
V A
VSS
图 11
OUT
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超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
时序图
1. N沟道开路漏极输出产品
Rev.3.0 _00
滞后幅度
）
（V
HYS
V
DD
V
SS
2. CMOS 输出产品
滞后幅度
（V
）
HYS
V
DD
解除电压（+V
检测电压（−V
最低工作电压
V
SS
OUT端子输出
V
DD
解除电压（+V
检测电压（−V
最低工作电压
V
SS
DET
）
DET
图 12
DET
DET
）
）
）
VDD
OUT
VSS
R
100 kΩ
V
VDD
OUT
VSS
V
V
DD
OUT端子输出
V
SS
备注 VDD在最低工作电压以下时，OUT 输出端子输出电压在涂写范围内为不稳定状态。
图 13
12
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Rev.3.0_00
工作说明
1. 基本工作: CMOS输出（动态“L”）的情况下
超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
（1）电源电压（VDD）在解除电压（＋V
被输出）。此时，图14的N沟道晶体管N1为OFF状态，往比较器输入的输入电压变为
（2）VDD即使降低到＋V
输出方的
N沟道晶体管变为ON，P沟道晶体管变为OFF，V
以下，只要在检测电压（−V
DET
往比较器输入的输入电压变为
）以上时，N沟道晶体管变为OFF，P沟道晶体管变为ON，VDD被输出（“H”
DET
DDCB
V)RR(
•+
。
CBA
RRR
++
）以上VDD也能被输出。VDD变为−V
DET
被输出。此时，图14的N沟道晶体管N1变为ON状态，
SS
•
DDB
。
BA
RRVR+
（图15的A点）以下时，
DET
（3）VDD进一步下降，若处在IC的最低工作电压以下就会导致输出的不稳定，在输出被上拉的情况下，输出变为VDD。
（4）使VDD上升到最低工作电压以上时，VSS被输出。另外，即使VDD超过了−V
（5）再继续使VDD上升，到＋V
（图15的B点）以上时，N沟道晶体管变为OFF，P沟道晶体管变为ON，VDD被输出。
DET
，在不足＋V
DET
的情况下输出变为VSS。
DET
VDD
*1
VSS
−
*1
RA
R
V
REF
R
+
B
C
N1
Pch
Nch
OUT
*1
*1. 寄生二极管
图14 工作说明图1
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超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
2. 其他特性
2. 1 检测电压的温度特性
Rev.3.0 _00
(2) (3)
(V
HYS
(1)
A
)
滞后幅度
V
DD
V
SS
图15 工作说明图2
(5)(4)
B
OUT端子输出
V
DD
解除电压(+V
检测电压(−V
最低工作电压
V
SS
DET
DET
)
)
检测电压的温度特性在工作温度范围内，如图 16 所示的倾斜范围。
[V]
－V
DET
＋0.945 mV/°C
*1
DET25
－40
25
图16 检测电压的温度特性（−V
－0.945 mV/°C
85 Ta [°C]
= 2.7 V时的例子）
DET
*1. −V
－V
为在25 °C时的检测电压值
DET25
2. 2 解除电压的温度特性
解除电压的温度变化
DET
V
+Δ
是利用检测电压的温度变化
Ta
Δ
DET
V
−Δ
，如下式所示。
Ta
Δ
14
DETDET
V
+Δ
Ta
Δ
V
+
=
V
DET
−
DET
V
−Δ
×
Ta
Δ
因此，解除电压的温度变化和检测电压的温度变化具有相同符号的特性。
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Rev.3.0_00
2. 3 滞后电压的温度特性
滞后电压的温度变化为
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DETDET
V
+Δ
Ta
Δ
V
−Δ
−
，如下式所示。
Ta
Δ
V
+Δ
Ta
Δ
V
−Δ
−
Ta
Δ
标准电路
*1. CMOS 输出产品的情况下不需要 R。
注意 上述连接图以及参数并不保证工作。实际的应用电路请在进行充分的评价基础上再设定参数。
HYSDETDET
V
=
V
DET
−
DET
V
−Δ
×
Ta
Δ
R*1
VDD
100 kΩ
OUT
VSS
图 17
用语说明
1. 检测电压（−V
检测电压（−V
而引起的检测电压的最小值（−V
解除电压是输出切换到“H”时的电压。此解除电压，即使是同样的产品也有不同程度的差异，因此差异而引起的解
除电压的最小值（＋V
产品的实际的检测电压（−V
）、解除电压（＋V
DET
）表示输出切换到“L”时的电压。此检测电压，即使是同样的产品也有不同程度的差异，因差异
DET
例: S-1000C15的情况下，检测电压为1.485≦（−V
也就是说，既有−V
DET
DET
）Min.到最大值（＋V
）中求出，在−V
DET
）
DET
）Min.到最大值（−V
DET
= 1.485的产品，也存在−V
）Max.的范围称为解除电压范围。（参阅图19）。此值可以从各自
DET
×1.03≦＋V
DET
）Max.的范围称为检测电压范围（参阅图18）。
DET
）≦1.515的范围内的一点。
DET
= 1.515的产品。
DET
DET
≦−V
×1.07的范围内。
DET
例: S-1000C15的情况下，系列产品全体的解除电压为1.530≦（＋V
说，既有＋V
= 1.530的产品，也存在＋V
DET
= 1.621的产品。
DET
）≦1.621的范围内的一点。也就是
DET
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S-1000 系列
Rev.3.0 _00
（－V
（－V
DET
DET
V
）Max.
）Min.
图 18 检测电压（CMOS 输出产品） 图 19 解除电压（CMOS 输出产品）
2. 滞后幅度（V
滞后幅度表示检测电压与解除电压之间的电压差（图15中B点的电压－A点的电压 = V
电压之间带有滞后幅度，可以防止在因噪声等侵入输入电压时而产生的误工作。
3. 击穿电流
击穿电流是在电压检测器的检测以及解除时瞬间流经的电流。此击穿电流在输出方式为CMOS类型的产品比较大，在
N沟道开路漏极产品中也会稍许流经。
DD
检测电压
检测电压范围
OUT
解除电压
DET
DET
）Max.
）Min.
（＋V
（＋V
V
DD
解除电压范围
OUT
）
HYS
）。通过在检测电压与解除
HYS
4. 振荡
在输入处连接电阻的应用电路中（图20），例如CMOS输出（ 动态“L”）产品的情况下，输出“L”→“H”切换时（解
除时），由于流经的击穿电流会发生[击穿电流]×[输入电阻]的份额的电压下降。输入电压降低到检测电压以下时，输
出进行“H”→“L”的切换。输出变为“L”时，因为击穿电流不会流经，所以没有电压下降分额，输出“L”→“H”
切换时或者击穿电流流经时，会发生电压下降。此状态的反复发生称为振荡。
VDD
R
A
V
VSS
IN
S-1000C
R
B
OUT
图20 检测电压改变电路不良事例
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超小型 高精度电压检测器
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注意事项
·如果输入电阻较高，则会因为击穿电流的产生而导致振荡的发生。CMOS 输出产品，请不要接输入电阻。N 沟道开路漏
极输出产品，推荐输入电阻在 800 Ω或 800 Ω以下，但请在实际应用了本 IC 的电路上，对包括温度的特性进行实测验
证。
·当在 CMOS 输出产品处连接下拉电阻且电源电压（V
·本资料中所记载的应用电路用于大量生产设计的情况下，请注意部件的偏差与温度特性。
另外，有关所记载电路的专利，本公司概不承担相应责任。
·本 IC 虽内置防静电保护电路，但请不要对 IC 施加超过保护电路性能的过大静电。
·使用本公司的 IC 生产产品时，如在其产品中对该 IC 的使用方法或产品的规格，或因与所进口国对包括本 IC 产品在内
的制品发生专利纠纷时，本公司概不承担相应责任。
）的下降时间在检测电压附近比较缓慢时，有可能会发生振荡。
DD
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各种特性数据（典型数据）
Rev.3.0 _00
1. 检测电压（V
DET
S-1000C15
1.59
1.58
1.57
1.56
1.55
[V]
1.54
DET
V
1.53
1.52
1.50
1.49
-40 -20 0 20 40 60 80
2. 滞后电压幅度（V
S-1000C15
8.0
7.0
6.0
[%]
HYS
5.0
V
4.0
3.0
-40 -20 0 20 40 60 80
3. 消耗电流（I
）－输入电压（VDD）
SS
S-1000C15
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
[μA]
SS
0.3
I
0.2
0.1
0.0
0 2.01.0
4. 消耗电流（I
）－温度（Ta）
SS
S-1000C15
0.8
）－温度（Ta）
S-1000C46
4.85
+VDET
4.80
4.75
+V
DET
4.70
4.65
4.60
-V
DET
-VDET
4.55
VDET [V]
4.50
4.45
4.40
Ta [
°C
-40
]
020406080
-20
°C
]
Ta [
）－温度（Ta）
HYS
S-1000C46
8.0
7.0
6.0
5.0
VHYS [%]
4.0
3.0
-40 -20 0 20 40 60 80
°C
]
Ta [
°C
]
Ta [
Ta = 25
°C
S-1000C46
Ta = 25
°C
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
[μA]
SS
0.3
I
0.2
0.1
0.0
4.0
5.0
6.0
1.0
0 2.0
3.0 4.0 5.0 6.0
DD
[V]
V
3.0
V
DD
[V]
V
DD
= 3.0 V
S-1000C46
V
DD
= 5.5 V
0.8
18
0.6
[μA]
0.4
SS
I
0.2
0.0
-40 -20 0 20 40 60 80
Ta [
°C
]
0.6
[μA]
0.4
SS
I
0.2
0.0
-40 -20 0 20
Ta [
°C
40 60 80
]
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Rev.3.0_00
5. N沟道晶体管输出电流（I
S-1000C46 / S-1000N46
20.0
15.0
[mA]
10.0
OUT
I
5.0
0
0
7. N沟道晶体管输出电流（I
S-1000C46 / S-1000N46
8.0
6.0
4.0
IOUT [mA]
2.0
V
V
DD
1.0
Ta = -40
Ta = 25
超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
）－V
DD
OUT
V
= 1.2 V
DD
= 3.6 V
V
DD
DS
Ta = 25
= 2.4 V
°C
= 1.0 V
2.0
3.0
4.0
VDS [V]
） 8. P沟道晶体管输出电流（I
OUT
V
DS = 0.5 V
°C
°C
Ta = 85
°C
6. P沟道晶体管输出电流（I
S-1000C15
20.0
15.0
[mA]
10.0
OUT
I
5.0
0
0
S-1000C15
4.0
3.0
2.0
IOUT [mA]
1.0
OUT
1.0 2.0 3.0
VDS [V]
OUT
Ta = -40
Ta = 25
°C
°C
）－VDS
°C
= 4.6 V
= 3.6 V
V
DD
V
V
V
DD
= 2.4 V
= 1.9 V
Ta = 25
DD
DD
4.0
）
V
DS = 0.5 V
Ta = 85
°C
0
1.0
0
2.0
DD [V]
V
9. 最低工作电压－输入电压（V
S-1000N15
Pull-up resistance : 100 kΩ
0.8
0.6
[V]
0.4
OUT
V
0.2
0
0.2
0
0.4
DD
V
S-1000N46
Pull-up resistance : 100 kΩ
0.8
0.6
[V]
0.4
OUT
V
0.2
0
0.2
0
0.4
DD
V
3.0 4.0
）
DD
Pull-up to V
Ta = -40
Ta = 25
Ta = 85
0.6
[V]
Pull-up to V
Ta = -40
Ta = 25
Ta = 85
0.6
[V]
°C
°C
0.8
°C
°C
0.8
°C
°C
DD
1.0
DD
1.0
5.0
0
0
2.0
4.0
VDD [V]
S-1000N15
6.0
Pull-up to 3.0 V
8.0
Pull-up resistance : 100 kΩ
3.0
2.5
2.0
1.5
VOUT [V]
1.0
Ta = -40
Ta = 25
Ta = 85
°C
°C
°C
0.5
0
0.5
0
1.0
S-1000N46
Pull-up resistance : 100 kΩ
1.5
DD
[V]
V
2.0
Pull-up to 5.5 V
2.5
6.0
[V]
OUT
V
5.0
4.0
3.0
2.0
Ta = -40
Ta = 25
Ta = 85
°C
°C
°C
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
DD
[V]
V
4.0
5.0
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×
S-1000 系列
S-1000N15
0.60
0.55
0.50
[V]
0.45
DDmin
V
0.40
0.35
0.30
1.0
Ta = -40
Ta = 25
1.5
Pull-up resistance
°C
°C
Ta = 85
2.5
2.0
3.0
Pull-up [V]
°C
3.5
4.0
4.5
: 100 kΩ
5.5 6.0
5.0
V
(V)
OUT
PULL-UP
0.1
是在VDD从0 V开始上升时，如上图所示V
备注 V
PULL-UP
DDmin
Pull-up电压的10%以下时的V
Rev.3.0 _00
0
V
DDmin
电压而定义的。
DD
(V)
V
DD
变为
OUT
S-1000N46
0.60
0.55
0.50
[V]
0.45
DDmin
V
0.40
0.35
Ta = -40
Pull-up resistance
°C
Ta = 25
°C
Ta = 85
: 100 kΩ
°C
0.30
1.0 2.0 2.51.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5 6.0
Pull-up [V]
10. 动态响应特性－C
OUT
S-1000N15 Pull-up to V
Pull-up resistance : 100 kΩ
Ta = 25
100
10
t
PLH
1
0.1
Response time [ms]
0.001
0.01
0.00001
0.0001 0.001 0.01 0.1
t
PHL
Load capacitance [μF]
S-1000N46
Pull-up to V
Pull-up resistance : 100 kΩ
Ta = 25
100
t
10
PLH
1
DD
°C
DD
°C
图21
S-1000C15
t
°C
PLH
°C
1
0.1
Ta = 25
t
PHL
0.01
Response time [ms]
0.001
0.00001 0.0001 0.001
Load capacitance [μF]
0.01 0.1
S-1000C46
Ta = 25
1
t
0.1
PLH
0.1
0.01
Response time [ms]
0.001
0.00001 0.0001 0.001
Load capacitance [μF]
t
PHL
0.01 0.1
0.01
Response time [ms]
0.001
0.00001 0.0001 0.001
Load capacitance [μF]
t
PHL
0.01 0.1
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超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
输入电压
输出电压
VIH
V
1 μs
V
DD
IL
t
PHL
1 μs
t
PLH
V
×90%
DD
V
DD
V
*1. CMOS输出产品的情况下不需要R。
VDD
S-1000
系列
VSS
图23 响应时间的测定电路
OUT
C
OUT
VDD×10%
= 5.5 V, VIL = 0.95 V
V
IH
注意 上述连接图以及参数并不作为保证电路工作的依据，实际的应用电路请在进行充分的实测基础上设定参数。
图22 响应时间的测定条件
应用电路例
1. 微机等的复位电路
R*1
100 kΩ
V
微机电脑在电源电压比工作保证电压还低的情况下，执行规定以外的程序，会导致破坏存储器寄存器的内容的情况
发生。另外，电源恢复到正常电位时，如果不把微机设定到所定的初期状态，会导致以后的异常工作。为了防止这样
的事故，在电源的瞬间切
S-1000系列电压检测器，因为具有工作保证电压低、检测电压精度高、备有滞后并且内置了延迟电路，如图24、25
所示，可以简单地构成复位电路。
S-1000C
注意 上述连接图以及参数并不作为保证电路工作的依据，实际的应用电路请在进行充分的实测基础上设定参数。
图24 复位电路例（S-1000C）
断 瞬间停止时一定要进行复位工作。
VDD
微机
VSS
VDD1
S-1000N
（*1. CMOS 输出产品的情况下不需要 R。）
图25 复位电路例（S-1000N）
微机
VDD2
VSS
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超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
2. 电源接通复位电路的增加
在S-1000系列产品中，使用N沟道开路漏极产品可以构成电源接通复位电路。
Rev.3.0 _00
VDD
VSS
*2
Di
*1
R
VIN
*1
C
S-1000N
(N沟道开路漏极产品)
OUT
*1. 为了防止振荡，请设定R≦75 kΩ，C≧0.01 μF。
不接C时，R≦800 Ω。
*2. Di在电源下降时可通过C使已被充电的电荷瞬间放电。
在不受下降时间的延迟影响的情况下，没有必要插入。
图26
V
DD
(V)
OUT
(V)
t (s)
t (s)
图27
备注 在电源急剧启动时，如图28所示由于IC的不稳定领域特性（在IC的最低工作电压以下，输出电压变得不稳定），会
有一瞬间变为“H”的情况发生。
V
DD
(V)
t (s)
图28
注意 上述连接图以及参数并不保证工作。实际的应用电路请在进行充分的评价基础上再设定参数。
OUT
(V)
t (s)
22
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Page 23
Rev.3.0_00
3. 检测电压的改变
在S-1000系列产品中，在没有所希望的检测电压范围的方案的情况下、仅限于N沟道开路漏极产品如图29、30所示，
可以利用分割电阻或者二极管来改变检测电压。
图29的情况下滞后幅度也会同时地变化。
超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
VDD
*1
R
A
VIN
+
R
B
VSS
BA
RR
检测电压＝
滞后幅度＝
+
B
R
RR
+
BA
R
B
−
DET
V
-•
•
HYS
V
*1. 为了防止振荡，请设定R
不接C时，R
≦800 Ω。
A
S-1000N
(N沟道开路漏极
输出产品)
≦75 kΩ，C≧0.01 μF。
A
OUT
VDD
V
f1
V
f2
VIN
VSS
检测电压＝Vf1+Vf2+（−V
注意 RA、RB变大时，由于IC的击穿电流（N沟道开路漏极产
品也会稍微流经），滞后幅度会有比计算式结果更大的
情况发生。
图
29
上述连接图以及参数并不保证工作。实际的应用电路请在进行充分的评价基础上再设定参数。
注意
DET
）
图
S-1000N
30
OUT
(N沟道开路漏
极输出产品)
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超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
标记规格
（1）SC-82AB
SC-82AB
Top view
4 3
(1)
1 2
产品名和产品简称的对照表
（a）N 沟道开路漏极输出产品
S-1000N15-N4T1x P L A S-1000N31-N4T1x P L Q
S-1000N16-N4T1x P L B S-1000N32-N4T1x P L R
S-1000N17-N4T1x P L C S-1000N33-N4T1x P L S
S-1000N18-N4T1x P L D S-1000N34-N4T1x P L T
S-1000N19-N4T1x P L E S-1000N35-N4T1x P L U
S-1000N20-N4T1x P L F S-1000N36-N4T1x P L V
S-1000N21-N4T1x P L G S-1000N37-N4T1x P L W
S-1000N22-N4T1x P L H S-1000N38-N4T1x P L X
S-1000N23-N4T1x P L I S-1000N39-N4T1x P L Y
S-1000N24-N4T1x P L J S-1000N40-N4T1x P L Z
S-1000N25-N4T1x P L K S-1000N41-N4T1x P L 2
S-1000N26-N4T1x P L L S-1000N42-N4T1x P L 3
S-1000N27-N4T1x P L M S-1000N43-N4T1x P L 4
S-1000N28-N4T1x P L N S-1000N44-N4T1x P L 5
S-1000N29-N4T1x P L O S-1000N45-N4T1x P L 6
S-1000N30-N4T1x P L P S-1000N46-N4T1x P L 7
(2)
产品名
(3)
（1）～（3） ：产品简称（请参阅产品名和产品简称的对照表）
产品简称
（1） （2） （3）
Rev.3.0 _00
产品名
产品简称
（1） （2） （3）
（b）CMOS 输出产品
产品名
S-1000C15-N4T1x P K A S-1000C31-N4T1x P K Q
S-1000C16-N4T1x P K B S-1000C32-N4T1x P K R
S-1000C17-N4T1x P K C S-1000C33-N4T1x P K S
S-1000C18-N4T1x P K D S-1000C34-N4T1x P K T
S-1000C19-N4T1x P K E S-1000C35-N4T1x P K U
S-1000C20-N4T1x P K F S-1000C36-N4T1x P K V
S-1000C21-N4T1x P K G S-1000C37-N4T1x P K W
S-1000C22-N4T1x P K H S-1000C38-N4T1x P K X
S-1000C23-N4T1x P K I S-1000C39-N4T1x P K Y
S-1000C24-N4T1x P K J S-1000C40-N4T1x P K Z
S-1000C25-N4T1x P K K S-1000C41-N4T1x P K 2
S-1000C26-N4T1x P K L S-1000C42-N4T1x P K 3
S-1000C27-N4T1x P K M S-1000C43-N4T1x P K 4
S-1000C28-N4T1x P K N S-1000C44-N4T1x P K 5
S-1000C29-N4T1x P K O S-1000C45-N4T1x P K 6
S-1000C30-N4T1x P K P S-1000C46-N4T1x P K 7
备注 1. 用户需要上述以外的产品时，请向本公司营业部咨询。
2. x: G 或 U
3. 用户需要 Sn 100%、无卤素产品时，请选择环保标记为“U”的产品。
24
产品简称
（1） （2） （3）
精工电子有限公司
产品名
产品简称
（1） （2） （3）
Page 25
Rev.3.0_00
（2）SOT-23-5
5 4
(1) (2) (3) (4)
SOT-23-5
Top view
超小型 高精度电压检测器
（1）～（3） ：产品简称（请参照产品名和产品简称的对照表）
（4） ：批号
S-1000 系列
1 3 2
产品名和产品简称的对照表
（a）N 沟道开路漏极输出产品
产品名
S-1000N15-M5T1x P L A S-1000N31-M5T1x P L Q
S-1000N16-M5T1x P L B S-1000N32-M5T1x P L R
S-1000N17-M5T1x P L C S-1000N33-M5T1x P L S
S-1000N18-M5T1x P L D S-1000N34-M5T1x P L T
S-1000N19-M5T1x P L E S-1000N35-M5T1x P L U
S-1000N20-M5T1x P L F S-1000N36-M5T1x P L V
S-1000N21-M5T1x P L G S-1000N37-M5T1x P L W
S-1000N22-M5T1x P L H S-1000N38-M5T1x P L X
S-1000N23-M5T1x P L I S-1000N39-M5T1x P L Y
S-1000N24-M5T1x P L J S-1000N40-M5T1x P L Z
S-1000N25-M5T1x P L K S-1000N41-M5T1x P L 2
S-1000N26-M5T1x P L L S-1000N42-M5T1x P L 3
S-1000N27-M5T1x P L M S-1000N43-M5T1x P L 4
S-1000N28-M5T1x P L N S-1000N44-M5T1x P L 5
S-1000N29-M5T1x P L O S-1000N45-M5T1x P L 6
S-1000N30-M5T1x P L P S-1000N46-M5T1x P L 7
（b）CMOS 输出产品
产品名
S-1000C15-M5T1x P K A S-1000C31-M5T1x P K Q
S-1000C16-M5T1x P K B S-1000C32-M5T1x P K R
S-1000C17-M5T1x P K C S-1000C33-M5T1x P K S
S-1000C18-M5T1x P K D S-1000C34-M5T1x P K T
S-1000C19-M5T1x P K E S-1000C35-M5T1x P K U
S-1000C20-M5T1x P K F S-1000C36-M5T1x P K V
S-1000C21-M5T1x P K G S-1000C37-M5T1x P K W
S-1000C22-M5T1x P K H S-1000C38-M5T1x P K X
S-1000C23-M5T1x P K I S-1000C39-M5T1x P K Y
S-1000C24-M5T1x P K J S-1000C40-M5T1x P K Z
S-1000C25-M5T1x P K K S-1000C41-M5T1x P K 2
S-1000C26-M5T1x P K L S-1000C42-M5T1x P K 3
S-1000C27-M5T1x P K M S-1000C43-M5T1x P K 4
S-1000C28-M5T1x P K N S-1000C44-M5T1x P K 5
S-1000C29-M5T1x P K O S-1000C45-M5T1x P K 6
S-1000C30-M5T1x P K P S-1000C46-M5T1x P K 7
备注 1. 用户需要上述以外的产品时，请向本公司营业部咨询。
2. x: G 或 U
3. 用户需要 Sn 100%、无卤素产品时，请选择环保标记为“U”的产品。
产品简称
（1） （2） （3）
产品简称
（1） （2） （3）
产品名
产品名
产品简称
（1） （2） （3）
产品简称
（1） （2） （3）
精工电子有限公司
25
Page 26
超小型 高精度电压检测器
S-1000 系列
（3）SNT-4A
产品名和产品简称的对照表
（a）N 沟道开路漏极输出产品
SNT-4A
Top view
1
(1) (2) (3)
2
产品名
S-1000N15-I4T1x P L A S-1000N31-I4T1x P L Q
S-1000N16-I4T1x P L B S-1000N32-I4T1x P L R
S-1000N17-I4T1x P L C S-1000N33-I4T1x P L S
S-1000N18-I4T1x P L D S-1000N34-I4T1x P L T
S-1000N19-I4T1x P L E S-1000N35-I4T1x P L U
S-1000N20-I4T1x P L F S-1000N36-I4T1x P L V
S-1000N21-I4T1x P L G S-1000N37-I4T1x P L W
S-1000N22-I4T1x P L H S-1000N38-I4T1x P L X
S-1000N23-I4T1x P L I S-1000N39-I4T1x P L Y
S-1000N24-I4T1x P L J S-1000N40-I4T1x P L Z
S-1000N25-I4T1x P L K S-1000N41-I4T1x P L 2
S-1000N26-I4T1x P L L S-1000N42-I4T1x P L 3
S-1000N27-I4T1x P L M S-1000N43-I4T1x P L 4
S-1000N28-I4T1x P L N S-1000N44-I4T1x P L 5
S-1000N29-I4T1x P L O S-1000N45-I4T1x P L 6
S-1000N30-I4T1x P L P S-1000N46-I4T1x P L 7
4
3
（1）～（3） ：产品简称（请参照产品名和产品简称的对照表）
产品简称
（1） （2） （3）
Rev.3.0 _00
产品名
产品简称
（1） （2） （3）
（b）CMOS 输出产品
产品名
S-1000C15-I4T1x P K A S-1000C31-I4T1x P K Q
S-1000C16-I4T1x P K B S-1000C32-I4T1x P K R
S-1000C17-I4T1x P K C S-1000C33-I4T1x P K S
S-1000C18-I4T1x P K D S-1000C34-I4T1x P K T
S-1000C19-I4T1x P K E S-1000C35-I4T1x P K U
S-1000C20-I4T1x P K F S-1000C36-I4T1x P K V
S-1000C21-I4T1x P K G S-1000C37-I4T1x P K W
S-1000C22-I4T1x P K H S-1000C38-I4T1x P K X
S-1000C23-I4T1x P K I S-1000C39-I4T1x P K Y
S-1000C24-I4T1x P K J S-1000C40-I4T1x P K Z
S-1000C25-I4T1x P K K S-1000C41-I4T1x P K 2
S-1000C26-I4T1x P K L S-1000C42-I4T1x P K 3
S-1000C27-I4T1x P K M S-1000C43-I4T1x P K 4
S-1000C28-I4T1x P K N S-1000C44-I4T1x P K 5
S-1000C29-I4T1x P K O S-1000C45-I4T1x P K 6
S-1000C30-I4T1x P K P S-1000C46-I4T1x P K 7
备注 1. 用户需要上述以外的产品时，请向本公司营业部咨询。
2. x: G 或 U
3. 用户需要 Sn 100%、无卤素产品时，请选择环保标记为“U”的产品。
26
产品简称
（1） （2） （3）
精工电子有限公司
产品名
产品简称
（1） （2） （3）
Page 27
2.0±0.2
1.3±0.2
43
0.05
1
2
0.16
+0.1
-0.06
0.3
+0.1
-0.05
0.4
+0.1
-0.05
TITLE
No.
SCALE
UNIT
No. NP004-A-P-SD-1.1
SC82AB-A-PKG Dimensions
NP004-A-P-SD-1.1
mm
Seiko Instruments Inc.
Page 28
ø1.5
+0.1
-0
4.0±0.1
2.0±0.05
2.2±0.2
(0.7)
4.0±0.1
1.1±0.1
0.2±0.05
ø1.05±0.1
12
34
Feed direction
TITLE
No.
SCALE
UNIT
No. NP004-A-C-SD-3.0
SC82AB-A-Carrier Tape
NP004-A-C-SD-3.0
mm
Seiko Instruments Inc.
Page 29
4.0±0.1
2.0±0.1
ø1.5
+0.1
-0
1.1±0.1
0.2±0.05
4.0±0.1
34
ø1.05±0.1
2.3±0.15
12
Feed direction
TITLE
No.
SCALE
UNIT
No. NP004-A-C-S1-2.0
SC82AB-A-Carrier Tape
NP004-A-C-S1-2.0
mm
Seiko Instruments Inc.
Page 30
12.5max.
Enlarged drawing in the central part
(60°)
9.0±0.3
ø13±0.2
(60°)
No. NP004-A-R-SD-1.1
TITLE
No.
SCALE
UNIT
SC82AB-A-Reel
NP004-A-R-SD-1.1
QTY.
mm
Seiko Instruments Inc.
3,000
Page 31
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95±0.1
5
123
4
0.4±0.1
0.16
+0.1
-0.06
No. MP005-A-P-SD-1.2
TITLE
No.
SCALE
UNIT mm
SOT235-A-PKG Dimensions
MP005-A-P-SD-1.2
Seiko Instruments Inc.
Page 32
4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2)
ø1.5
3.2±0.2
+0.1
-0
2.0±0.05
ø1.0
+0.2
-0
0.25±0.1
4.0±0.1
1.4±0.2
123
45
Feed direction
No. MP005-A-C-SD-2.1
TITLE
No.
SCALE
UNIT mm
SOT235-A-Carrier Tape
MP005-A-C-SD-2.1
Seiko Instruments Inc.
Page 33
12.5max.
Enlarged drawing in the central part
(60°) (60°)
ø13±0.2
No. MP005-A-R-SD-1.1
TITLE
No.
SCALE
UNIT mm
9.0±0.3
SOT235-A-Reel
MP005-A-R-SD-1.1
QTY. 3,000
Seiko Instruments Inc.
Page 34
1.2±0.04
4
1
0.65
3
+0.05
2
0.48±0.02
0.08
-0.02
0.2±0.05
TITLE
No.
SCALE
UNIT
No. PF004-A-P-SD-4.0
SNT-4A-A-PKG Dimensions
PF004-A-P-SD-4.0
mm
Seiko Instruments Inc.
Page 35
ø1.5
+0.1
-0
1.45±0.1
5°
4.0±0.1
4.0±0.1
0.25±0.05
0.65±0.05
2.0±0.05
+0.1
ø0.5
-0
2
1
3
4
Feed direction
No. PF004-A-C-SD-1.0
TITLE
No.
SCALE
UNIT mm
SNT-4A-A-Carrier Tape
PF004-A-C-SD-1.0
Seiko Instruments Inc.
Page 36
12.5max.
Enlarged drawing in the central part
(60°) (60°)
ø13±0.2
TITLE
No.
SCALE
UNIT
9.0±0.3
No. PF004-A-R-SD-1.0
SNT-4A-A-Reel
PF004-A-R-SD-1.0
QTY. 5,000
mm
Seiko Instruments Inc.
Page 37
0.52
1.16
0.52
0.3
Caution Making the wire pattern under the package is possible. However, note that the package
may be upraised due to the thickness made by the silk
resist on the pattern because this package does not have the standoff.
0.35
0.3
screen printing and of a solder
No. PF004-A-L-SD-3.0
TITLE
SNT-4A-A-Land Recommendation
No.
SCALE
UNIT mm
Seiko Instruments Inc.
PF004-A-L-SD-3.0
Page 38
www.sii-ic.com
• 本资料内容，随着产品的改进，可能会有未经预告的更改。
•
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出口许可。
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器械及车载器械等对人体产生影响的器械或装置部件使用。
•
本公司致力于提高质量与信赖性，但是半导体产品有可能会有一定的概率产生故障或误工作。为防止因故障或误工作而产
生的人身事故、火灾事故、社会性损害等，请注意冗长设计、火势蔓延对策设计、防止误工作设计等安全设计。
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