Sanyo 5HP01C Specifications

Ordering number : ENN6641

5HP01C

P-Channel Silicon MOSFET

5HP01C

Ultrahigh-Speed Switching Applications

Features

Package Dimensions

Low ON-resistance.

unit : mm

Ultrahigh-speed switching.

2091A

4V drive.

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

 

 

 

[5HP01C]

 

0.4

 

 

0.5

0.16

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0 to 0.1

 

 

 

 

1.5

2.5

1

0.95

0.95

2

0.5

 

 

1.9

 

1 : Gate

 

 

 

 

2.9

 

 

 

 

 

 

 

2 : Source

 

 

 

 

 

3 : Drain

 

 

 

 

0.8

1.1

 

 

 

 

 

SANYO : CP

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

 

 

 

 

 

Drain-to-Source Voltage

VDSS

 

--50

V

Gate-to-Source Voltage

VGSS

 

±20

V

Drain Current (DC)

ID

 

--0.07

A

Drain Current (Pulse)

IDP

PW£10ms, duty cycle£1%

--0.28

A

Allowable Power Dissipation

PD

 

0.25

W

Channel Temperature

Tch

 

150

°C

Storage Temperature

Tstg

 

--55 to +150

°C

 

 

 

 

 

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Parameter

Symbol

Conditions

 

Ratings

 

Unit

 

 

 

min

typ

max

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain-to-Source Breakdown Voltage

V(BR)DSS

ID=--1mA, VGS=0

--50

 

 

V

Zero-Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=--50V, VGS=0

 

 

--10

mA

Gate-to-Sourse Leakage Current

IGSS

VGS=±16V, VDS=0

 

 

±10

mA

Cutoff Voltage

VGS(off)

VDS=--10V, ID=--100mA

--1

 

--2.5

V

Forward Transfer Admittance

½yfs½

VDS=--10V, ID=--40mA

50

70

 

mS

Static Drain-to-Source On-State Resistance

RDS(on)1

ID=--40mA, VGS=--10V

 

17

22

W

RDS(on)2

ID=--20mA, VGS=--4V

 

23

32

W

 

 

Continued on next page.

Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using any SANYO products described or contained herein in such applications.

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72600 TS IM TA-1970 No.6641-1/4

Sanyo 5HP01C Specifications

5HP01C

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Parameter

Symbol

Conditions

 

Ratings

 

Unit

 

 

 

 

 

 

min

typ

max

 

 

 

 

 

 

 

 

Input Capacitance

Ciss

VDS=--10V, f=1MHz

 

6.2

 

pF

Output Capacitance

Coss

VDS=--10V, f=1MHz

 

4.0

 

pF

Reverse Transfer Capacitance

Crss

VDS=--10V, f=1MHz

 

1.3

 

pF

Turn-ON Delay Time

td(on)

See specified Test Circuit

 

13

 

ns

Rise Time

tr

See specified Test Circuit

 

10

 

ns

Turn-OFF Delay Time

td(off)

See specified Test Circuit

 

100

 

ns

Fall Time

tf

See specified Test Circuit

 

150

 

ns

Total Gate Charge

Qg

VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--70mA

 

1.32

 

nC

Gate Source Charge

Qgs

VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--70mA

 

0.17

 

nC

Gate Drain Charge

Qgd

VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--70mA

 

0.34

 

nC

Diode Forward Voltage

VSD

IS=--70mA, VGS=0

 

0.85

1.2

V

Marking : XC

Switching Time Test Circuit

VIN

VDD= --25V

0V

 

 

--10V

VIN

ID= --40mA

PW=10µs

RL=625Ω

D

VOUT

D.C.≤ 1%

 

 

 

G

 

 

 

5HP01C

P.G

50Ω

S

 

 

 

Drain Current, ID -- A

--0.07

--0.06

--0.05

--0.04

--0.03

--0.02

ID -- VDS

 

 

--

 

. 0V

 

 

8

.0V

 

 

 

 

6

 

 

.0V

 

--

 

10

 

 

--

 

 

 

 

 

 

 

.0V 4 --

--3.0V

 

--0.01

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS= --2.5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

--0.2

--0.4 --0.6

--0.8

--1.0

--1.2 --1.4

--1.6

--1.8

--2.0

 

 

 

 

 

 

Drain-to-Source Voltage, VDS

-- V

 

IT00103

 

50

 

 

 

 

 

 

RDS(on) -- VGS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ta=25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

45

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

--

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(on)

40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DS

35

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Source-to-DrainStatic Resistance,State-On R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

 

 

 

 

 

 

--40mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

ID= --20mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

--2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

 

 

--9

 

--10

 

 

 

 

 

 

Gate-to-Source Voltage, VGS

-- V

 

IT00105

 

--0.14

 

 

 

 

--0.12

 

A

--0.10

 

--

 

 

 

D

 

 

I

--0.08

 

Current,

 

--0.06

 

Drain

--0.04

 

 

--0.02

 

 

0

 

 

0

Ω

100

 

 

7

 

--

 

 

 

(on)

5

 

DS

 

 

 

-to-DrainStaticSource Resistance,State-On R

3

 

 

 

 

2

 

 

10

 

 

--0.01

ID -- VGS

 

C

 

VDS= --10V

 

 

 

 

 

°

 

 

 

 

25

 

C

 

 

--

 

 

 

 

°

 

Ta=

 

 

25

 

 

 

C

 

 

 

°

 

 

 

75

 

 

 

 

 

 

 

--1

--2

--3

--4

--5

--6

 

Gate-to-Source Voltage, VGS

-- V

IT00104

 

RDS(on)

-- ID

 

 

VGS= --10V

Ta=75°C

25°C

--25°C

2

3

5

7

--0.1

2

3

 

Drain Current, ID

-- A

IT00106

No.6641-2/4

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