Power Integrations LNK362, LNK364 User Manual

LNK362-364

DC

Output

Wide Range

HV DC Input

LNK362

PI-4086-081005

+

+

LinkSwitch-XT

D

S

BP

FB

DC

Output

Wide Range

HV DC Input

LNK363-364

PI-4061-081005

+

+

LinkSwitch-XT

D

S

BP

FB

®

LinkSwitch-XT 产品系列

高效率、低功率离线式开关IC

产品特色

通过性能优化实现最低的系统成本

• 采用专利技术的IC参数调整及变压器绕制技术令
LNK362实现无箝位

成本、更少的外围元件数目及更高的效率

• 完全集成的自动重启动功能用于短路及开环故障保护

• 自供电电路–省去变压器的辅助绕组及相关的偏置供

电电路元件

• 频率调制极大地降低了EMI

• 无论在PCB板上还是在封装上都保证高压漏极与其它

所有引脚之间满足高压爬电距离要求

• 外围元件数目最少的开关器件方案

优于线性变压器及RCC的出色特性

• 精确的迟滞热关断保护–自动恢复功能提高了应用

 的可靠性

• 通用输入电压范围可在全世界范围内使用

• 简单的开/关控制，无需环路补偿

• 无需偏置绕组-更简单及更低成本的变压器

• 外围元件数目很少–更高的可靠性，只需单面印刷电路

板

• 自动重启动功能在短路及开环电路故障状况下可将输

 出功率降低95%以上

• 高带宽提供快速的无过冲启动及出色的瞬态负载响应

EcoSmart®– 极高效率

• 无需任何附加元件，轻松满足全球所有的节能标准

• 在265 VAC输入时无偏置绕组状况下的空载能耗 <300 mW
(有偏置绕组时<50 mW)

• 开/关控制在极轻负载时仍可提供恒定的效率–是满

足强制性CEC的理想选择

应用

• 手机或无绳电话、PDA、数码相机、MP3或便携式音频
设备、剃须刀等使用的充电器及或适配器

• 电器、工业系统及仪表等使用的电源

详述

LinkSwitch-XT

MOSFET、振荡器、简单的开/关控制器、一个高压可切
换的电流源、频率调制器、逐个脉冲的电流限制器及热
关断电路。启动及工作时的功率直接来自于漏极引脚，
无需使用偏置绕组及相关电路。

在 一 片 IC上 包 括 了 一 个 7 0 0 V的 功 率

Clampless

™电路设计-更低的系统

a) 使用LNK362的无箝位反激式转换器

b) 使用 LNK363/4 的反激式转换器

图 1. LinkSwitch-XT的典型应用

(3)

产品

LNK362P 或 G 2.8 W 2.8 W 2.6 W 2.6 W
LNK363P 或 G 5 W 7.5 W 3.7 W 4.7 W
LNK364P 或 G 5.5 W 9 W 4 W 6 W

表

一

.注 释 : 1. 最 小 的 持 续输 出 功 率是 在 典型 的 无 风冷 密 闭
适配 器 中 、 环 境 温 度 为 50 °C的条 件 下 测 量 得 到的 。 2. 最
小 的 实 际 持 续 输 出 功 率 是 在 开 放 式 设 计 及 足 够 的 散 热 ，
环境 温 度在50 °C的条 件 下 测量得到的。 3. 封装: P: DIP-8B,

G: SMD-8B.

参考主要应用指南。

请参考订购信息。4.关于假设条件的详尽资料，请

230 VAC ±15% 85-265 VAC

适配器

输出功率表

(1)

开放式

(2)

(4)

适配器

(1)

开放式

(2)

December 2005

LNK362-364

VFB -V

TH

5.8 V

4.8 V

PI-3491-111903

FB

D

S

BP

S

S

S

P 封装 (DIP-8B)

G 封装 (SMD-8B)

8

5

7

1

4

2

3

图2.功能结构图

引脚功能描述

漏极(D)引脚:
功率MOSFET的漏极连接点。在开启及稳态工作时提供
内部操作电流。

旁路(BP)引脚:
一个 0.1 µF外部旁路电容的连接点，用于旁路内部产生的

5.8 V供电电源。如果使用一个外部偏置绕组电源，流向
BP引脚的电流不应超过1 mA。

反馈(FB)引脚:
在正常操作下，功率MOSFET的开关由此引脚控制。当
流向这个引脚的电流超过49 µA时，MOSFET开关就被
关闭。

源极(S)引脚:
这个引脚是功率MOSFET的源极连接点。它也是旁路和反
馈引脚的接地参考。

C
12/05

2

图3.引脚配置

LNK362-364

PI-4047-110205

0 5

10

0

100

200

400

500

600

300

V

DRAIN

136.5 kHz

127.5 kHz

Time (µs)

LinkSwitch-XT

LinkSwitch-XT

在一个器件上结合了一个高压功率 MOSFET

功能描述

开关及一个电源控制器。与通常的PWM(脉冲宽度调制)
控制器不同,它使用了一个简单的开/关控制器来调节输出
电压。这个控制器包括一个振荡器、反馈（检测及逻辑）
电路、5.8 V稳压器、旁路引脚欠压电路、过热保护、频率
调制、电流限流电路及前沿消隐电路，并与一个700 V的
功率MOSFET集成在一起。

LinkSwitch-XT

还包括用于自动

重启动的附加电路。

振荡器
典型的振荡器频率内部设置在132 kHz的平均水平。振荡
器生成了两个信号：最大占空比信号 (DC

) 及每个开

MAX

关周期开始的时钟信号。

振荡器的电路可产生轻微的频率调制，通常为9 kHz的峰
峰值用来降低EMI辐射。频率调制的调制频率设置在1.5
kHz的水平，目的是优化 EMI，降低其平均值及准峰值。
测量频率调制时应将示波器触发设定在漏极电压波形的下
降沿。图4的波形显示了频率调制状态。

反馈输入电路
在FB引 脚的反馈输入电路 包括了一个低阻抗 的 源极跟
随器，对于LNK362其引脚电压设置在 1.65 V，对于
LNK363/364其引脚电压设置在1.63 V。当流入到此引脚
的电流超过49 µA时,在反馈电路输出端产生了一个低逻
辑电平(禁止)。在每个周期开始时，在时钟信号的上升沿
对这一输出进行采样。如果高电平，功率MOSFET会在那
个周期导通(启用)，否则功率MOSFET仍将处于关闭状态
(禁止)。由于取样仅在每个周期的开始时进行，此周期
中随后产生的FB引脚电压或电流的变化对MOSFET状态
都不构成影响。

过热保护
热关断电路检测硅片的温度。阈值设置在142 °C并具备
75 °C的迟滞范围。当硅片温度超过这个阈值(142 °C)，功
率MOSFET关闭，直到硅片温度下降了75 °C，MOSFET才
会重新开启。

电流限制
电流限制电路检测功率MOSFET的电流。当电流超过内部
阈值(I

)时，在该周期剩余阶段会关断功率MOSFET。

LIMIT

在功率MOSFET开 启 后 ，前沿消隐电 路 会 在 短时间内
(t

)禁止电流限制比较器工作。通过设置前沿消隐时间，

LEB

可以防止由电容及整流管反向恢复时产生的电流尖峰引起
的开关脉冲的提前误关断。

自动重启动
一旦出现故障，例如在输出过载、输出短路或开环情
况下，

LinkSwitch-XT

进入自动重启动操作。每当FB引
脚电压被拉高时，一个由振荡器记时的内部记数器会
重新置位。如 果 在 40 ms内 FB引脚电压未被 拉 高 时 ，
功率MOSFET会 关 闭 800 ms。自动重启动电路使功率
MOSFET间断性的开通和关闭，直到故障排除为止。

5.8 V稳压器及6.3 V分路电压箝位
只要 MOSFET处在关闭状 态，5.8 V稳压器就会从漏极
吸 取 电 流 ， 将 连 接 到 旁 路 引 脚 的 旁 路 电 容 充 电 到
5 . 8 V 。旁路引脚是内部电源电压节点。当MOSFET导通
时，

LinkSwitch-XT

部电路的极低功耗使
流持续工作。一个0.1 µF的旁路电容就足够实现高频率的

依靠储存在旁路电容内的能量供电。内

LinkSwitch-XT

仅依靠从漏极吸收的电

图4.频率抖动

去耦及能量存储。

此外，当有电流通过一个外部的电阻提供给旁路引脚时，
芯片内部的一个6.3V分流稳压箝位电路会将旁路引脚电压
箝在6.3 V。这样就可方便地通过一个偏置绕组由外部向
器件供电，从而将空载能耗降低到50 mW以下。

旁路引脚欠压
旁路引脚欠压电路在旁路引脚电压下降到4.8 V以下时关
闭功率MOSFET。一旦旁路引脚电压下降到4.8 V之下，它
必需重新回到 5.8 V才可再次开启功率MOSFET。

12/05

C

3

LNK362-364

D

S

FB

B

P

D1

1N4005D21N4005

D5

1N4934

PI-4162-110205

D3

1N4005D41N4005

R1

3.9 k

1/8 W

R3
1 k

1/8 W

6.2 V,

322 mA

85-265

VRMS

J3

J4

J2

J1

L1

1 mH

L2

1 mH

C1

3.3 µF
400 V

CY1

100 pF

250 VAC

VR1

BZX79-

B5V1

5.1 V, 2%

T1

EE16

4

5

3

9

8

NC NC

C3

100 nF

50 V

U2

PC817A

U1

LNK362P

LinkSwitch-XT

图 5.使用LNK362的2 W通用输入电压范围CV适配器

应用范例

经整流及滤波的输入电压加在T1的初级绕组上。初级的另
一侧由集成在U1内的MOSFET驱动。由于LNK362内部电

一个 2 W CV (恒压输出) 的适配器
图5显 示 了一 个典 型 的通 用 输入 电 压范 围 、 输 出电 压

6.2 V ±7%、电流322 mA，使用LNK362的适配器电路。

流限制点的数值较低并具备严格公差，可以利用变压器初
级绕组电容对漏感引起的漏极电压尖峰进行足够的箝位，
因此无需使用初级箝位电路。

该电路使用了无箝位技术，无需初级箝位元件-既降低了
成本又简化了电路设计。

反激式变压器T1的次级由低成本及快速恢复的二极管D5整
流，并由一个低ESR电容C4滤波。VR1、R2及U2的LED上

拥有

EcoSmart

松满足所有目前及提议中的节能标准，包括加州节能委员
会（CEC）对产品平均工作效率所制定的强制性法规。

特性的

LinkSwitch-XT

产品系列令电源设计轻

的电压降决定了输出电压。当输出电压超过这一水平，电
流将流经U2的LED。当LED电流升高时，流入U1反馈引
脚的电流也随之升高，当达到关断阈值电流(~49 µA)时，
关断U1的开关周期。当满载时，几乎所有的开关周期都

AC输入经过D1到D4整流并由大容量储能电容C1及C2进行
滤波。电阻RF1是阻燃、可熔断、绕线式电阻，起到保险
丝及浪涌电流限制器的功能，同时它也连同由C1, C2, L1及

L2形成的π滤波器对差模噪音进行衰减。电阻R1抑制了由
L1及L2可能引起的振荡。

使用此简单的输入级电路，加上
制、一个小容量的Y1电容及在T1内部使用的PI
闭绕组技术，可使该设计满足传导及辐射EMI的要求并具
备大于10 dBµV的裕量。而一些适配器通常要求一个极低
的接触电流（流经CY1的交流输入频率的电流），往往低

LinkSwitch-XT

E-Shield

的频率调

™屏

于10 µA，那么使用小容量的CY1就比较重要。

将被使能;而在极轻负载时，几乎所有的开关周期都将被
关闭，使等效操作频率降低从而实现轻载的高效率及低
空载能耗。

电阻R3给VR1提供1 mA的电流,此偏置电流接近其测试
条件的水平。电阻R2可用来调节输出电压，以弥补在某
些设计中因稳压管稳压值不是理想值而造成的输出电压
偏差。因为稳压管的稳压值通常是在一个离散的电压范
围。要达到更高的输出电压精度，可使用一个电压调制
IC如TL431来替代稳压管。

C
12/05

4

LinkSwitch-XT

仅需要将一个小的陶瓷电容C3连接到旁路
引脚即可通过漏极引脚完全进行自供电。无需在变压器
上使用辅助绕组。

主要应用指南

LinkSwitch-XT

输出功率表
数据手册中最大输出功率表（表1）所给出的实际最大连
续输出功率，是在如下假设的条件下获得：

1. 85 VAC输入时，DC最小输入电压是90 V或更高，或者

当230 VAC输入或115 VAC输入并使用倍压整流时，最
小DC电压是240V或更高。对于AC输入设计，输入电
容值的选择应足够以满足这些设计准则。

2. 使用一个快速的PN二极管作为次级6 V输出整流。

3. 假设效率是70%。

4. 只是恒电压输出（无次级恒流电路）。

5. 非连续模式操作 (KP >1)。

6. 使用了初级箝位 (RCD 或 Zener)。

7. 器件安装在电路板上，其源极引脚焊接到PCB板足够大

的铜铂区域上，以使源极引脚温度保持或低于100 °C。

8. 对于敞开式设计的环境温度是50 °C，适配器设计的壳

体内温度是60 °C。

当KP值小于1时，KP是初级电流纹波部分与峰值部分的比
率。KP高于数值1时,KP是初级MOSFET关闭时间与次级
二级管导通时间的比率。由于有如下所述的对磁通密度的
要求，一个典型的
优点是可使用低成本的快速（而非超快速）输出二极管，
同时可以降低EMI。

无箝位

设计
无箝位设计完全依赖漏极节点电容来控制漏感引起的峰值
漏极-源极电压。因此最大AC输入电压、反射电压VOR的
数值、漏感能量(是漏感和初级峰值电流的函数)、以及初
级绕组电容决定了峰值漏极电压。与具备外部电压箝位的
设计相比，在没有任何功率耗散元件作为外部电压箝位的
情况下，较长时间的漏感振荡会导致EMI升高。

设计考量

LinkSwitch-XT

设计通常是不连续的，

LNK362-364

2.

对于输出功率小于或等于2 W的设计，初级绕组应采用
双层绕制的结构以确保初级匝间电容在25 pF到50 pF的
足够大范围内。

3. 对于输出功率小于等于2.5 W大于2 W的设计，应在变
压器中增加一个偏置绕组并使用普通恢复时间的整流
二极管，作为箝位功能使用。从偏置绕组电容连接一
个电阻到旁路引脚，可以从外部向器件供电。这样的
设计禁止了内部高压电流源的操作，降低了器件本身
功耗及电源空载功耗。

4. 对于输出功率大于2.5 W的设计，无箝位设计不可行，
需要使用外部RCD或Zener箝位电路。

5. 必须保证在最差高输入电压情况下，峰值漏极电压低
于内部MOSFET的BV
从而为设计留有裕量。

对于110 VAC单输入电压的设计，也可能采用LINK363来
实现较高功率的无箝位设计。但增强的漏电感振荡可能
会损害EMI的性能。

**VOR是在次级二极管导通期间输出电压与二极管正向导

通压降之和，通过变压器的变比反射到初级绕组上的电
压。直流总线电压、漏感尖峰电压以及VOR决定了峰值漏
极电压。

噪音
在

LinkSwitch-XT

中使用的丢导通周期模式能使变压器产生
音频噪音。为抑制噪音，应将变压器的峰值磁芯磁通密度
设计在低于1500高斯(150 mT)之下。按照这样的变压器设
计并使用标准的浸漆变压器制造技术，就能够消除噪音。
不要使用真空浸渍的变压器，因为真空浸渍变压器其初级
电容会增大从而导致更多的损耗。更高的磁通密度也是可
行的，然而必须仔细对变压器噪音进行评估,最好在设计
批准前使用批量生产中的变压器样品进行测试。

在箝位电路中使用象Z5U介质的陶瓷电容同样可能会产生
噪音。在这种情况下，尝试使用其他不同介质材料或结构
的电容，例如薄膜型电容。

规格，理想状况是低于650 V，

DSS

对于一个通用输入电压范围的设计或230 VAC输入的无箝
位设计，请参考如下建议：

1. 无箝位设计仅适用于输出功率小于或等于2.5 W，使用
LNK362并且反射电压VOR**≤ 90 V。

12/05

C

5

LNK362-364

+

+

HV DC
INPUT

-

-

DC

OUT

TOP VIEW

PI-4155-102705

T

r
a
n
s

f
o

r

m

e

r

Input Filter

Capacitor

C

BP

Output Filter

Capacitor

D

S

S

FB

BP

S

S

S

S

LinkSwitch-XT

Opto-

coupler

Y1-

Capacitor

图 6. LinkSwitch-XT在反激式转换器配置应用的推荐电路板布局

LinkSwitch-XT

参见图6.

LinkSwitch-XT

布局的注意事项

的推荐电路板布局

单点接地
在输入滤波电容与连接源极引脚的铜铂区域使用单点
接地。

旁路电容 C
旁路引脚电容应放置在距离旁路引脚和源极引脚最近的
地方。

初级环路面积
连接输入滤波电容、变压器初级及

BP

LinkSwitch-XT

环路面积应尽可能小。

初级箝位电路
使用箝位电路来限制MOSFET在关断时漏极引脚的峰值
电压。这可通过在初级绕组上使用一个RCD箝位或一个
Zener(~200 V)与一个二极管箝位来实现。在任何情况下，
为改善EMI，从箝位元件到变压器再到

LinkSwitch-XT

路路径应保证最小。

C
12/05

6

的初级

的电

散热考量

LinkSwitch-XT

之下铜铂区域不仅仅是一个接地点，而且还
起到一个散热片的作用。因它连接到安静的源极节点，应
将这个区域扩大以使

LinkSwitch-XT

实现良好的散热。此规

则同样适用于输出二极管的阴极。

Y 电容
应将Y电容直接放置在初级输入滤波电容正极和变压器次
级的共地/返回极接脚之间。这样放置会使高幅度的共模
浪涌电流远 离

LinkSwitch-XT

器件。注意：如果在输入
端使用了pi(C, L, C)型EMI滤波器，那么滤波器内的电感
应放置在输入滤波器电容的负极之间。

LNK362-364

光电耦合器
将光耦合器置于靠近

LinkSwitch-XT

的地方来缩短初级侧
铺铜走线的长度。令高电流、高电压的漏极及箝位电路
的铺铜走线远离光耦合器以避免噪声信号的干扰。

输出二极管
要达到最佳的性能，连接次级绕组、输出二极管及输出
滤波电容的环路区域面积应最小。此外，与二极管的阴
极和阳极连接的铜铂区域应足够大,以便用来散热。最好
在安静的阴极节点留有更大的铜铂区域。在阳极铺铜区
域过大会增加高频辐射EMI。

快速设计校验清单

对于任何使用

LinkSwitch-XT

的电源设计，都应经过全面测
试以确保在最差条件下元件的规格没有超过规定范围。因
此,建议设计人员一定要进行如下最少的测试项目：

1. 最大漏极电压-校验在最高输入电压和峰值（过载）输

出功率时VDS没有超过650 V。给700 V的BV

规格留

DSS

有50 V的裕量，使得在设计变更时留有一定的设计裕量，
尤其是在无箝位电路设计中。

2.

最大漏极电流-在最高环境温度、最大输入电压及峰
值输出(过载)功率情况下，检查漏极电流以确定变压
器是否出现饱和, 另外也要检测电源开启时是否出现
过高的前沿导通电流尖峰。在稳态工作下重复以上操
作，校验前沿电流尖峰在t

LEB(MIN)

结束时低于I

LIMIT(MIN)

。
在任何条件下，最大漏极电流应低于规定的绝对最大
额定值。

3. 热检测-在规定的最大输出功率、最小输入电压及最
高环境温度情况下，检查

LinkSwitch-XT

、变压器、
输出二极管及输出电容的温度是否超标。应有足够的
温度裕量以保证
间R
中关于R

的差异而引起过热问题出现，参见数据手册

DS(ON)

DS(ON)

率的情况下，

LinkSwitch-XT

不会因为元件与元件

的说明。建议在低压输入及最大输出功

LinkSwitch-XT

源极引脚的最高温度不高

于105°C，这样就可以适应上述参数的变化。

设计工具

有关设计工具的最新信息，请浏览Power Integrations的网站
www.powerint.com。

12/05

C

7

LNK362-364

绝对最大额定值

漏极电压 ........................................................ -0.3 V to 700 V

峰值漏极电流:LNK362.......................... 200 mA (375 mA)

LNK363/364................... 400 mA (750 mA)

反馈电压 ............................................................. -0.3 V to 9 V

反馈电流 ..................................................................... 100 mA

旁路电压.............................................................. -0.3 V to 9 V

贮存温度 ...................................................... -65 °C to 150 °C

工作结温度
引脚温度

(3)

............................................... -40 °C to 150 °C

(4)

.................................................................... 260 °C

(2)

(2)

热阻抗

热阻抗: P 或 G 封装:



条件

参数 符号

源极 = 0 V; TJ = -40 to 125 °C

参见图 7

(有另行说明除外)

(1,5)

注释:

1. 所有电压都是以TA = 25 °C时的源极为参考点。

2. 在漏极电压低于400 V时刻，可允许更高峰值漏极电流。

3. 通常由内部电路所限制。

4. 在距壳体1/16英寸处测量，持续时间5秒。

5. 在非重复性短时间内施加器件允许的最大额定值不会

 引起产品永久性的损坏。但长时间对器件施加允许的
 最大额定值时，会对产品的可靠性造成影响。


注释:

1. 在靠近塑料封装体表面的引脚2(源极)测量。

2. 焊在 0.36 平方英寸 (232 mm2), 2 盎司 (610 g/m2) 铜铂区域。

3. 焊在1 平方 (645 mm2), 2 盎司 (610 g/m2) 铜铂区域。

最小值 典型值 最大值 单位

控制功能

工作频率

最大占空比
反馈引脚关断阈值

电流

反馈引脚在关断阈
值电流时的电压

漏极供电电流

旁路引脚充电电流

旁路引脚电压
旁路引脚电压迟滞

f

DC

V

I

I

V

V

OSC

I

FB

FB

I

S1

I

S2

CH1

CH2

BP

BPH

MAX

TJ = 25 °C

S2 Open 60 %

TJ = 25 °C 30 49 68

TJ = 0 °C to

125 °C

VFB ≥2 V

(MOSFET Not Switching)

See Note A

FEEDBACK Open

(MOSFET

Switching)

VBP = 0 V, TJ = 25 °C

See Note C

VBP = 4 V, TJ = 25 °C

See Note C

Average 124 132 140

Peak-Peak Jitter 9

LNK362 1.55 1.65 1.75

LNK363-364 1.53 1.63 1.73

200 250

250 300

-5.5 -3.5 -1.8

-3.8 -2.3 -1.0

5.55 5.8 6.10 V

0.8 1.0 1.2 V

kHz

V

mA

C
12/05

8

参数 符号

控制功能 (cont)

条件

源极= 0 V; T

参见图7

(有另行说明除外)

= -40 to 125 °C

J

LNK362-364

最小值 典型值 最大值 单位

旁路引脚充电电流

电路保护

电流限制点

功率系数

前沿消隐时间

电流限制延迟

I

BPSC

I

LIMIT

(See Note

E)

I2f

t

LEB

t

ILD

TJ = 25 °C

See Note F

See Note D 68

TJ = 25 °C

See Note F

LNK362 130 140 150

LNK363 195 210 225

LNK364 233 250 268

LNK362 2199 2587

LNK363 4948 5821

LNK364 7425 8250

LNK362 300 375

LNK363/364 170 250

mA

A2Hz

ns

125 ns

热关断温度

热关断迟滞

输出

导通电阻

关断状态漏极漏
电流

T

R

T

SD

SHD

DS(ON)

I

DSS

See Note G 75 °C

LNK362

ID = 14 mA

LNK363

ID = 21 mA

LNK364

ID = 25 mA

VBP = 6.2 V, VFB ≥2 V,

VDS = 560 V,

TJ = 125 °C

135 142 150 °C

TJ = 25 °C 48 55

TJ = 100 °C 76 88

TJ = 25 °C 29 33

TJ = 100 °C 46 54

TJ = 25 °C 24 28

TJ = 100 °C 38 45

50

12/05

C

9

LNK362-364

参数 符号

输出 (cont)

条件

源极= 0 V; T

参见图7

(有另行说明除外)

= -40 to 125 °C

J

最小值 典型值 最大值 单位

击穿电压

漏极供电电压

输出导通延迟

输出禁止设置时间

自动重启动导通
时间

自动重启动占空比

BV

DC

DSS

t

EN

t

DST

t

AR

AR

VBP = 6.2 V, VFB ≥ 2 V,

See Note H, TJ = 25 °C

See Figure 9 10 µs

TJ = 25 °C
See Note I

700 V

50 V

0.5 µs

LNK362 40

ms

LNK363-364 45

5 %

注释:

A. 当反馈引脚电压≥2 V(MOSFET未开启)，总电流消耗是 IS1与I

总电流消耗是IS2及I

的总和。

DSS

的总和。当反馈引脚到源极短路(MOSFET开启)时，

DSS

B 由于输出MOSFET处于开关状态，因而很难将漏极的开关电流从供电电流中区分开来。但另一个选择是在旁路引脚

电压为6 V时测量旁路引脚电流。

C. 参考图14典型性能特性部分中旁路引脚启动时的充电波形。

D. 该电流仅是用来驱动旁路引脚与反馈引脚之间连接的光耦，不能用来给任何其它外部电路进行供电。

E. 关于在其它di/dt条件时的电流限制值请参考图13。

F. 此参数由设计来保证。

G. 此参数是通过电器性能校正得到的。

H. 可通过抬高漏极引脚电压，但不超过最小BV

的方式检查击穿电压。

DSS

I. 自动重启动状态时的导通时间与振荡器拥有同样的温度特性(与频率成反比)。

C
12/05

10

图 7. LinkSwitch-XT 通用测试电路

PI-3490-060204

50 V50 V

D

FB

SS

S

S

BP

S1

470 k

S2

0.1 F

470
5 W

PI-2048-033001

DRAIN

VOLTAGE

HV

0 V

90%

10%

90%

t

2

t

1

D =

t

1

t

2

PI-3707-112503

FB

t

P

t

EN

DC

MAX

tP =

1

f

OSC

V

DRAIN

(

internal signal

)

LNK362-364

图 8. LinkSwitch-XT 占空比测量

图 9. LinkSwitch-XT输出导通定时

C

12/05

11

LNK362-364

200

300

350

400

250

0

0 42 86 10 12 14 16 18 20

PI-4093-081605

50

150

100

25 °C

100 °C

Scaling Factors:
LNK362 0.5

LNK363 0.8
LNK364 1.0

1.1

1.0

0.9

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

ߏこ⬉

PI-2213-012301

6

5

4

3

2

1

0

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

PI-2240-012301

7

ᮕ䏃ᓩ㛮⬉ (V)

ᯊ䯈 (ms)

⏽ᑺ (°C)

PI-4091-081505

⬉⌕䰤⌕

(ᔦϔ࣪ࠄ 25 °C)

1.0

1.2

1.4

0.8

0.6

0.4

0.2

0

-50 0 50 100 150

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

-50 -25 0 25 50 75 100 125

㒧⏽ (°C)

PI-2680-012301

䕧ߎ乥⥛

(ᔦϔ࣪ࠄ 25 °C)

PI-4092-081505

1.0

1.2

1.4

0.8

0.6

0.4

0.2

0

1 2 3 4 5

LNK362
LNK363
LNK364

Normalized
Current
Limit = 1

140 mA
210 mA
250 mA

典型性能特性

图 10. 击穿电压与温度的特性曲线

图 12. 限流点与温度的特性曲线

图 11. 频率与温度的特性曲线

图 13. 限流点与di/dt的特性曲线

图14. 旁路引脚启动波形

C
12/05

12

图

15. 输出特性

ⓣᵕ⬉ (V)

ⓣᵕ⬉ᆍ (pF)

PI-4094-081605

0 100 200 300 400 500 600

1

10

100

1000

Scaling Factors:
LNK362 0.5

LNK363 0.8
LNK364 1.0

典型性能特性 (cont.)

LNK362-364

器件订购信息

LNK 364 G N - TL

图16. C

与漏极电压的曲线

OSS

LinkSwitch

产品系列
XT 系列号
封装信息

G

塑封表面贴 DIP

P

塑封直插式 DIP

无铅封装

纯镀锡封装(无铅)

N

带装&卷轴装及其它包装形式

空白

标准配置

TL

带装&卷轴装，至少 1000 个，仅适用G封装

12/05

C

13

LNK362-364

14

C
12/05

LNK362-364

12/05

C

15

LNK362-364

版本 注释

B

1)最终发布的数据手册

日期

11/05

C 2) 应用范例部分已经修改 12/05

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16

C
12/05