Power Innovations BDX34D, BDX34C, BDX34B, BDX34 Datasheet

BDX34, BDX34A, BDX34B, BDX34C, BDX34D

● Transistor complémentaire conçut pour être utilisé avec

BDX33, BDX33A, BDX33B, BDX33C and BDX33D

Transistor de puissance PNP darlington

Boîtier TO-220

Vue de dessus

● 70 W à 25°C Température du boîtier

B

● 10 A Courant continu de collecteur

● Minimum h

of 750 at 3 V, 3 A

FE

C E

La broche 2 est en contact avec le boîtier

Valeurs limites absolues à une températeur boîtier de 25°C

Paramètres Symbole Valeur Unité

BDX34 BDX34A

Tension Collector-base (I

Tension Collector-emetteur (I

Tension Emetteur-base V Courant de collecteur en continu I Courant de base en continu I Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 1) P Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 2) P Température de fonctionnement à l'air libre T Tempétature de stockage T Température de fonctionnement à l'air libre T

NOTES: 1. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.56 W/°C.

2. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.

E

= 0)

B

= 0)

BDX34B BDX34C BDX34D BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D

V

CBO

CEO

EBO

C B tot tot

J

stg

A

1 2 3

MDTRACA

-45

-60

-80

-100

-120

-45

-60

-80

-100

-120

-5 V

-10 A

-0.3 A 70 W

2 W

-65 to +150 °C

V

BDX34, BDX34A, BDX34B, BDX34C, BDX34D Transistor de puissance PNP darlington

AUGUST 1993 - REVISED MARCH 1997

Caractéristiques électriques avec le boîtier à 25°C (sauf indication)

Paramètres Conditions MIN TYP MAX UNITE

BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D

BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D

V

(BR)CEO

I

CEO

I

CBO

I

EBO

h

V

BE(on)

V

CE(sat)

V

Tension de claquage Collecteur-emetteur

Courant de bloquage Collecteur-emetteur

Courant de bloquage au collecteur

Courant de bloquage à l'émetteur

Gain

FE

en courant

Tension Base-emitter

Tension de saturation Collecteur-emetteur

Courant direct dans

EC

la diode parallèle

VEB

= -100 mA IB = 0 (Voir Note 3)

I

C

V

CE

V

CE

V

CE

V

CE

V

CE

V

CE

V

CE

V

CE

V

CE

V

CE

V

CB

V

CB

V

CB

V

CB

V

CB

V

CB

V

CB

V

CB

V

CB

V

CB

= -30 V = -30 V = -40 V = -50 V = -60 V = -30 V = -30 V = -40 V = -50 V = -60 V = -45 V = -60 V = -80 V = -100 V = -120 V = -45 V = -60 V = -80 V = -100 V = -120 V

I

= 0

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

I

= 0

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

T

= 100°C

C

= 100°C

T

C

= 100°C

T

C

= 100°C

T

C

= 100°C

T

C

T

= 100°C

C

= 100°C

T

C

= 100°C

T

C

= 100°C

T

C

= 100°C

T

C

= -5 V IC = 0 -10 mA

V

= -3 V

CE

= -3 V

V

CE

= -3 V

V

CE

= -3 V

V

CE

= -3 V

V

CE

V

= -3 V

CE

= -3 V

V

CE

= -3 V

V

CE

= -3 V

V

CE

= -3 V

V

CE

I

= -8 mA

B

= -8 mA

I

B

= -6 mA

I

B

= -6 mA

I

B

= -6 mA

I

B

= -8 A IB = 0 -4 V

I

E

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

= -4 A = -4 A = -3 A = -3 A = -3 A = -4 A = -4 A = -3 A = -3 A = -3 A = -4 A = -4 A = -3 A = -3 A = -3 A

(Voir Notes 3 et 4)

NOTES: 3. Ces paramètres sont obtenus en utilisant des impulsions, tp = 300 µs, rapport cyclique ≤ 2%.

4. These parameters must be measured using voltage-sensing contacts, separate from the current carrying contacts.

-45

-60

-80

-100

-120

750 750 750 750 750

-0.5

-10

-1

-5

-2.5

V

mA

V

BDX34, BDX34A, BDX34B, BDX34C, BDX34D

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

thermal characteristics

PARAMETER MIN TYP MAX UNIT

R R

resistive-load-switching characteristics at 25°C case temperature

†

Voltage and current values shown are nominal; exact values vary slightly with transistor parameters.

Junction to case thermal resistance 1.78 °C/W

θJC

Junction to free air thermal resistance 62.5 °C/W

θJA

PARAMETER TEST CONDITIONS

Turn-on time IC = -3 A

t

on

t

Turn-off time 5 µs

off

V

BE(off)

= 3.5 V

I

B(on)

R

L

= -12 mA

= 10 Ω

†

I

= 12 mA

B(off)

= 20 µs, dc ≤ 2%

t

p

AUGUST 1993 - REVISED MARCH 1997

MIN TYP MAX UNIT

1 µs

PRODUCT INFORMATION

3