应用指南
LinkSwitch
V
RCABLE
V
DOUT
V
RSEC
R
SEC
0.15 Ω
R
CABLE
0.3 Ω
D
OUT
0.7 V/
1.1 V
SD
C
I
O
Load
V
O
V
SEC
C
OUT
NP:N
S
V
OR
V
LEAK
R
LF
100 Ω
D
CLAMP
1N4937
I
SEC(RMS)
2 x I
O
I
SEC(PEAK)
4 x I
O
V
FB
C
CLAMP
0.1 µF, 100 V
C
CP
0.22 µF/1 µF,
10 V
U1
I
DCT
R
FB
AC INPUT
+
+
+
+
C1+C2
3 µF/W
or 1 µF/W
RF1
10 Ω
Fusible
D1-D4
IN4005
1 A, 600 V
L1
680 µH - 2.2 mH,
≥80 mA RMS
+
+
+
+
~
~
~
~
L
P
PI-2957-081602
AN-35
®
LinkSwitch
设计指南
介绍
集成的开关电源技术提供了体积小、重量轻及宽电压输入
工作的特点,在低功率的应用当中开关电源可以较低的性
价比来替代使用线性变压器的电源。LinkSwitch将电池充
电器和交流适配器的成本降低至线性变压器电源的水平。
LinkSwitch同时很容易满足世界范围内所要求的待机和空
载能耗规范要求,比如美国总统的1 W待机行政令及欧盟
2005年关于300 mW空载功率消耗的要求。
与其它方案相比LinkSwitch提供如下优势:
• 成本最低及元件数目最少的恒压恒流(CV/CC)解决方案
• 极为简单的电路 – 一个可生产的设计方案仅仅需要
14个元件
• 初级侧的CV/CC解决方案,可节省10至20个元件,系
统成本更低
• 电源重量减轻了75%,降低了运输成本
• 用于短路和开环故障保护的完全集成的自动重启动
• 42 kHz的工作频率简化了EMI滤波器的设计
• 3 W的输出采用EE13磁芯,成本更低体积更小
LinkSwitch可用于实现一个具有近似CV/CC输出特性的
电源,如图2所示。在充电器应用当中,放电后的电池工
作于曲线的CC部分,直到电池几乎完全充满电时自然地
转换至曲线的CV部分。输出电压低于约2 V时(相当于电
池出现故障),电源进入自动重启动工作方式,将电源的
平均输出电流降低至标称值约8%的水平。
在交流适配器应用中,仅在曲线的CV部分进行正常工
作,CC部分用于提供过载保护及自动重启动短路保护。
LinkSwitch为固定频率的PWM控制器件,设计用于非连续
工作的反激式变换器。在曲线的CV部分,器件使用电压模
式控制工作,而在曲线的CC部分,器件转换至电流限制
模式工作。在峰值功率点处,系统总的CV精度典型值为
±10%。其中包括器件容差及输入电压变化的影响。系统
总的CC精度典型值为±20% (LNK501)、±25% (LNK500)和
±24% (LNK520)。
CV工作时,在初级侧对输出电压进行检测并控制占空比。
对于LNK500/501器件,如图1所示器件位于直流电压的高
压端。这样使得器件可以直接检测反射的输出电压(VOR),
无需对输入电压成分进行额外的相减运算。对于LNK520
器件,如附录B中的图B1所示,器件位于低压端,使用
辅助/偏置绕组检测输出电压。
3
图
1. 初始LinkSwitch
设计的关键参数
August 2006
应用指南
AN-35
CC工作时,占空比由峰值漏极限流点(I
)控制。器件
LIM
的限流点与反射电压具有函数关系,使得负载端阻抗降
低时负载电流维持近似恒定。当输出电压下降至标称值
的约30%时(通常与失效电池有关),LinkSwitch进入自
动重启动工作方式,以安全地对平均故障电流加以限制
(通常为输出电流IO的8%)。
对于非连续工作的设计,最大输出功率与输入电压无关,
而仅仅与初级电感量、初级峰值电流的平方和开关频率
成简单的函数关 系(公式6) 。LinkS witch利用I2f参数
项控制并抵消了通常由频率和峰值电流所引起的变化。
因此用户很容易完成一个对CV模式向CC模式转换点有所
要求的设计。
范围
本应用指南用于帮助工程师利用LinkSwitch的LNK500/501
或者LNK520器件,设计一个工作于非连续模式的反激
式AC-DC电源。本文主要集中讨论LNK500/501器件。
然而,由于很多信息也同时适用于LNK520,因而建议
在阅读本文时不必考虑设计中具体使用了哪个 器 件 。
LNK500与LNK520的详细比较请见表B2。附录A对使用
LNK500/501的设计容差进行了详细分析,而附录B则针
对LNK520器件的设计提供了设计指导。
LNK500/501
图1所示为产生一个初始
设计速成
LinkSwitch
设计所需的关键参数及
元件。在初始设计评估时可采用如下参考的参数值。
1) 设定VOR为50 V。
2) 根据公式5确定变压器圈数比。如果没有更好的预
估值或测量结果,则对于肖特基二极管采用0.7 V
的V
R
2 × IO,而I
,对于PN结二极管采用1.1 V的V
DOU T
选定0.3 Ω,R
CABLE
SEC(PEAK)
等于0.15 Ω,I
SEC
等于4 × IO。其中IO为所要求的
SEC(RMS)
DOU T
等于
。
CC输出电流,VO为在CV/CC转换点所要求的输
出电压。
3) 根据公式13计算P
。作为初始估计值,P
O(EFF)
CORE
选
取0.1 W。
4) 根据公式14计算LP值。根据公式15、16、17、
18和19计算变压器的其它参数。
5) 根据公式20、21、22、23和24计算反馈电阻RFB的
数值。所用电阻应为1/4 W、1%的电阻。
3
LinkS w i tch设计用来 替 代 线性变压器 电 源 ,因而其输
出特性为近似的CV特性,同时与同等的线性变压器电
源相比,具有更好的输入电压调整率和负载调 整 率 。
LinkSwitch电路极其简单的特性使得仅使用简单的设计公
式即可快速完成一个初始的草稿设计。然后再对原型电
源加以调整,选择外部元件,从而调整出所需要的电路
性能。
本文列举了一些关键设计参数并提供了变压器圈数比、
初级电感量及箝位/反馈元件数值的计算表达式。这样,
设计者可以构建一个可以工作的原型样板,通过迭代调整
得到最终所要求的设计。
如果读者希望尽快得到一个设计,设计速成表(表1对应
于LNK500/501器件,表B1对应LNK520器件)中包含有
足够的信息用来产生一个初始的原型样板。
本文没有涉及到变压器结构的设计。请参见LinkSwitch
的DAK工程原 型 报告,其中例举了典型 的 变压器结构
技术。关于支持工具的详细信息及本文的更新情况可在
www.powerint.com找到。
6) 箝位电容C
使用0.1 mF、100 V的金属塑料薄
CLAMP
膜电容。
7) 箝位电阻RLF为100 Ω的1/4 W电阻。
8) 控制引脚电容CCP,对于电池负载采用0.22 mF、10 V
的电容;对于阻性负载使用1 mF、10 V的电容。
9) 选择输入和输出元件。参见图3及相关部分的说明。
10) 制作原型样板。
11) 迭代调整设计 (参见提示和技巧部分)。
表
1. LNK500/501
CV/CC
设计速成
电路设计
图3所示的LinkSwitch电路为一个CV/CC充电器的例子,
用于说明LinkSwitch的设计方法。额定输出电压为5.5 V,
额定CC输出电流为500 mA。
LinkSwitch的设计方法非常简单。变压器圈数比及反馈元
件的数值是按照额定峰值功率点处的输出电压VO选取的。
2
版本D 08/06
AN-35
1000 200 300 400 500 600 700
Output Current (mA)
Output Voltage (V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
115 VAC
230 VAC
Limits
Auto-restart
PI-2956-072402
应用指南
图
而变压器的初级电感量则由总的输出功率计算得到。只有
很少的元件需要计算,其余的元件都根据本文所包含的建
议值进行选取。
从变压器开始,每个元件的设计及选择的原则 都 将 涉
及到。一旦变压器设计完成,变压器参数和特性即可用
于设计箝位、偏置及反馈元件,以达到合适的电源工作
状态。然后才可以确定输出电容和输入电路。
变压器
T1
变压器设计时,首先选取反射的输出电压(VOR)。对于大多
数的LinkSwitch设计,VOR位于40 V至60 V之间。较好的初
始值可以选取50 V,后续可以再对其进行优化调整。
高于60 V的VOR数值仅仅用于空载功耗允许高于300 mW
的应用。
为了计算变压器的圈数比,首先要计算次级绕组两端所
需要的电压V
输出电压VO、次级绕组压 降V
降V
成函数关系。图1中显示了次级侧压降的来源。
DOUT
2. 使用LinkSwitch LNK500/501
。该电压与输出电缆压降V
SEC
和输出二极管 正向压
RSE C
实现的
5.5 V、0.5 A
、额定
RCAB LE
充电器的典型输出特性(包括规格要求)
由于C
电压,因而V
时来确定。输出电缆压降V
充电至VOR的峰值数值再加上漏感引起的误差
CLAMP
RSE C和VDOU T
的数值按照流过峰值次级电流
RCABLE
IO处来加以确定。
在二极管制造商的数据手册中可以找到V
之间的曲线关系。峰值次级电流可计算如下:
(1)
I
PRI (PEAK )
型值。
由于仅仅为初始估算,I
一旦首个原型样板制作完成,由于知道了最终的圈数比,
的数值等于LinkSwi tch数据手册中I
SEC(PEAK)
则可以对该数值再进行精确调整,二极管的峰值正向电压
也可使用示波器直接测量得到。
(2)
(3)
(4)
则按照额定CC输出电流
和瞬态电流
DOUT
参数的典
LIM
可以近似地认为等于4 × IO。
3
版本D 08/06
应用指南
C1
4.7 µF
400 V
C2
4.7 µF
400 V
RF1
10 Ω 1 W
Fusible
L1
1 mH
R1
20.5 kΩ
1%
R2
100 Ω
D5
1N4937
C4
0.1 µF
100 V
116 T
#34 AWG
EE13
LP = 2.55 mH
15 T
#30 AWG
TIW
3
4
1
5
T1
6
D6
11DQ06
C5
470 µF
10 V
85-265
VAC
U1
LinkSwitch
5.5 V,
500 mA
RTN
BR1
1 A, 600 V
PI-3476-032403
PERFORMANCE SUMMARY
Output Power: 2.75 W
Efficiency: ≥72%
No Load
Consumption: 260 mW, 230 VAC
200 mW, 115 VAC
C3
0.22 µF
50 V
D
S
C
AN-35
3
图
3.
典型的
LinkSwitch
充电器原理举例
变压器圈数比由下式给出:
(5)
如果没有适用的估计值或测量值,变压器次级绕组的电
阻R
可以采用0.15 Ω的初始值。使用肖特基二极管时的
SEC
正向电压(V
向电压取1.1 V的数值。电缆电阻R
)取0.7 V的数值,而使用PN结二极管时正
DOUT
可以取0.3 Ω的初
CABLE
始值。
变压器设计的下一个步骤就是计算标称初级电感量LP。
LP的容差应该在 ± 1 0%以内( 以 满 足 峰值功率点 处 使 用
LNK501时±20%的CC容差以及使用LNK500时±25%的
CC容差)。LinkSwitch简单的反馈电路仅适用于非连续工
作模式。连续工作模式会引起控制环路的不稳定,因而
不建议使用。为实现正确的CC工作,LinkSwitch变压器的
设计必须保证在所有输入电压及负载条件下电源都工作于
非连续工作方式。
在峰值功率点,磁芯所处理的功率或者P
给出:
(6)
O(E FF)
可由下式
据手册中是以I2f系数来加以规定的,等于 的乘积,
且按照I
比为30%时控制极引脚的电流)的规定,I
的电流加以规定。通过对该系数在I
DCT
DCT
容差的影响
DCT
(占空
已经包括在内,不再需要单独考虑其影响。因而输出功
率的大小主要依赖于变压器初级电感量的容差 (低成本大
批量生产时的典型值为±10%)。
如上图所示,等效输出功率P
根据储存在变压器中
O(E FF)
的总能量加以计算,因而等于实际输出功率PO加上如
下所列的一些损耗。这些损耗包括:电缆损耗 的 功 率
P
、二极管损耗的功率P
CABLE
LinkSwitch控制引脚所需的功率)、变压器次级铜损P
变压器磁芯损耗P
(7)
(8)
(9)
(10)
(11)
CORE
。
、偏置功率损耗P
DIODE
BIAS
(驱动
S(CU)
及
LP为变压器初级电感量的 标称值,IP等于Link Swit ch的
I
参数,fS为开关频率。注意,IP和fS在LinkSwitch的数
LIM
4
版本D 08/06
R
为总的电缆直流阻抗,IO为额定的CC输出电流,
CABL E
V
为输出二极管的正向电压降,VOR为反射的输出电压,
DOUT
AN-35
PI-3148-081502
Flux Density (mT)
100
80
ŋ
Area compensated ŋ
by ∆
L
term
250
330
Primary Inductance (%)
I
为次级RMS电流,RSE为输出绕组的直流阻抗,VE为
SEC(RMS)
磁芯等效体积,K
样,如果没有适用的估计值或测量值,R
的初 始 值 。使用肖特基二极管时的正向 电 压 ( V
0.7 V的数值,而使用PN结二极管时正向电压取1.1 V的
数值。R
VE和K
可以取0.3 Ω的初始值。I
CABLE
可以在铁氧体磁芯制造商的材料曲线上查询
COR E
得到。为查询K
续工作模式,交流磁通密度BAC等于BM:
为每单位体积磁芯的损耗。同以前一
CORE
可以采用0.15 Ω
SEC
等于4 x IO。
SEC(PEAK)
,需要知道磁芯磁通摆幅BM。在非连
CORE
DO UT
)取
应用指南
电流的函数。在峰值磁通密度位于3300 高斯至3500 高斯
(330 mT至350 mT)之间时建议的最小气隙长度为0.08 mm
(3.2 密耳)。
使用很小的E型磁芯时次级圈数在次级绕组两端通常为每
伏特2至3圈(包括电缆、次级绕组和二极管的电压降)。
实际圈数都经过调整,以满足气隙尺寸和磁通 密 度 的
限定。
(12)
由于反激式变压器中磁芯的激励是非对称的,而磁芯损
耗曲线往往是假定激励为对称的,因而P
要除以二。
K
则可以从所用磁芯材料的磁芯损耗曲线上在LinkSwitch
CORE
开关频率点(典型值为42 kHz)处直接读取。BM可以采
用约3300 高斯(330 mT)的初始估计值。P
以采用0.1 W。
P
可从下式计算得到:
O(EFF)
(13)
这里的PO为负载端看到的输出功率。注意,磁芯损耗项除以
二,因为仅在关断期间传输至输出的能量才会造成磁芯损
耗,而这部分损耗需要在变压器初级电感量上加以补偿。
初级电感量的标称值L
(14)
使用数据手册中I2f系数的典型值来替代公式中的I2fS项,
这样即可确定在标称输出峰值功率点处所需要的标称初
级电感量。
如图4所示,随着磁通密度的增加,由于磁芯材料BH特
性的原因,电感量会略微下降。利用ΔL因子通过增加零
磁通密度时的电感量,可以对此感量降低的情 况 加 以
补偿。对于常用低成本的铁氧体材料,该因子的范围为
1至1.05之间。通过增加气隙尺寸、降低磁通密度或者使
用饱和磁通密度较高的铁氧体材料的方法可以减小这种
感量降低的影响。
影响变压器电感量容差的最重要因素在于变压器磁芯的气
隙长度。电感量还必须随温度的变化维持稳定,而且是
P(NOM)
可计算为:
的表达式中
CORE
的预估值可
CORE
一旦确定了预估次级圈数NS,即可算出初级圈数:
(15)
图
4.
使用很小的E型磁芯且气隙尺寸很小时电感量随磁通密度
的降低情况
至此,即可选择磁芯尺寸。适合于LinkSwitch设计的常用
磁芯尺寸包括EE13、EF12.6、EE16和EF16。已知所用的
磁芯和变压器圈数,则可利用磁芯等效截面积Ae (cm2)、
初级电感量(mH)和LinkSwitch峰值限流点I
LIM(MA X)
(A)计算
出磁芯的峰值磁通密度BP (高斯):
(16)
BP应该在3000高斯至3500高斯(300 mT至350 mT)的
范围。
为了估算气隙长度Lg,必须计算出磁芯未开气隙时的相对磁
导率。利用磁芯参数Ae (cm2)、等效磁路长度Le (cm)及未开
气隙的等效电感量AL (nH/t2)可以计算出相对磁导率mr:
(17)
5
版本D 08/06
应用指南
AN-35
气隙长度Lg为变压器磁芯中心柱研 磨 以 后 的 空气间隙
的长度。研磨容差及AL的精度要求Lg有约0.08 mm的最
小限定要求。如果Lg小于此数值,则或者要 求 增 大 磁
芯尺寸(Ae),或者增加NP的圈数。Lg (mm)可以利用初级圈
数NP、磁芯等效截面积Ae (cm2)、初级电感量LP (mH)、等
效磁路长度Le (cm)及相对磁导率mr计算得出:
(18)
变压器制造商所要求的未开气隙的等效电感量ALG (nH/t2)可
利用初级电感量LP (mH)和初级圈数NP计算得出:
(19)
箝位,偏置,旁路和反馈
由 R
F B
、 C
C L AM P
和 D
组 成 的 R C D 箝 位 ( 图 1 ) , 将
C L AM P
LinkSwitch关断期间由变压器漏感引起的初级电压安全
地限定在低于LinkSwitch内部MOSFET的击穿电压B
VDSS
以下。前沿电压尖峰( 由变压器的漏感引起)由RLF和
C
进行滤波,这样一来C
CLAMP
被有效地充电至变压器
CLAMP
反射电压的电压水平。
测得的次级二极管的正向电压降为0.7 V,次级绕组阻
抗为0.15 Ω,电缆阻抗为0.23 Ω。因此V
SEC
为:
(21)
利用V
可以计算出VOR的精确值为:
SEC
(22)
一个1%、0.25 W的RFB电阻将箝位电压转换为LinkSwitch的
偏置和控制电流。
反馈电压VFB可由VOR和漏感引起的误差电压V
LEA K
计算
出来。
3
反馈来自于变压器的反射电压,约等于变压器次级绕组输
出电压(图1中的V
响(漏感引起峰值充电),计算得到的VOR可能与C
)乘以变压器的变比。由于漏感的影
SEC
CLAMP
两
端实际测量得到的电压会有少许不同。由于LinkSwitch位
于直流总线的高压端,反射电压的信息只以LinkSwitch的
源极引脚作为参考,而不依赖于输入电压的高低。
反射电压直接由RFB转换为LinkSwitch控制引脚的电流,
用于占空比控制及偏置供电。控制引脚电容CCP提供旁路
滤波、控制环路补偿,并储存在开机和自动重启动期间
所需的能量。
反馈电阻
(RFB)
箝位和反馈电路的设计首先要考虑反射电压。以图3中的
原理图为例,如果初级圈数NP = 116,次级圈数NS = 15,
按照公式20可以计算出次级峰值电流。其中I
LinkSwitch限流点的典型值I
LIM(TYP)
。
PRI(PEA K)
等于
(20)
V
数值的变化依赖于漏感的大小、箝位电容的大小以
LEAK
及所使用的箝位二极管的类型。对于50 mH的漏感来讲,
可以采用5 V的初始预估值。
(23)
一旦制作完成了一个原型样板,VFB的数值可以通过在电
源输出达到峰值输出功率点时测量C
两端的电压直
CLA MP
接得到。测量时使用电池供电的数字电压表。这样可以
充分地对共模信号加以抑制,防止受开关波形的影响,
从而得到精确的结果。所测得的电压即为VFB。该电压减
去VOR后所得的数值即为V
数值。对于图3的设计,V
,可作为将来设计的预估
LEAK
的数值为5.6 V,所测得的
LEAK
VFB为56.7 V。
RFB的初始值可由反馈电压VFB、控制引脚电压V
C(ID CT)
和
LinkSwitch数据手册中规定的CC/CV转换点处的控制引脚
电流I
计算出来。
DCT
(24)
6
版本D 08/06