PARA L-51ROPT1D2, L-51ROPT1C, L-51ROPT1D1 Datasheet
L-51ROPT1XX 5.0mm PHOTOTRANSISTOR
◆
◆ABSOLUTE MAXIMUN RATING: (Ta=25℃℃℃℃)
◆◆
◆PACKAGE DIMENSIONS
P
Part No.
（mw） V（
D
L-51ROPT1XX 10 30
PARAMETER
Power Dissipation
Reverse break down
BR）CEO
Voltage
（V）
Topr Tstg
-35℃ to 85℃ -35℃ to 85℃
Operating T emperature
Range
Storage Temperature Range
Lead Soldering Temperature { 1.6mm ( 0.063 inch ) From Body } 250℃±5℃For 3 Seconds
◆
◆ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS: (Ta=25℃℃℃℃)
◆◆
Part No.
L-51ROPT1C 30 5 100 0.4 15/15 1.8 2.4 6.4 400 1050
L-51ROPT1D1 30 5 100 0.4 15/15 1.7 2.2 6.4 900 940
L-51ROPT1D2 30 5 100 0.4 15/15 1.7 2.2 6.4 800 870
TEST
CONDITION
BVCEO（V） BVECO（V） ICEO（nA） VCE(S)（V） tR/tF（uS） IC（mA） CCB（pF） △λ（nm）
Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Min Peak Max
=100uA
I
C
Ee=0mW/cm
2
Ee=0mW/cm
=100uA
I
E
2
Ee=0mW/cm
V
CE
= 20V
2
Ee=0.5mW/cm
IC = 2mA
2
VCE = 5V
I
= 1mA
C
RL= 1000Ω
Ee=0.1mW/cm
V
CE
= 5V
2
Ee=0mW/cm
f =1MHZ
=3V
V
CB
2
PARAMETER
COLLECT OR-
EMITTER
BREAKDOWN
VOL T AG E
EMITTER-
COLLECT OR
BREAKDOWN
VOL T AG E
COLLECT OR
DARK
CURRENT
COLLECT OR-
EMITTER
SA TURA TION
VOL T AG E
D1,D2＝BLACK
1. All dimension are in millimeter (inches).
2. Tolerance is ±0.25mm( 0.01”)unless otherwise specified.
RISE/FALL
TIME
ON STATE
COLLE CTOR
CURRENT
COLLECTOR
BASE
CAP A CITANCE
SPECTRAL
SENSITIVITY
WAVELEN GTH
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