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Gabellichtschranke
Slotted Interrupter
SFH 9300
Wesentliche Merkmale
• Kompaktes Gehäuse
• GaAs-IR-Sendediode (950 nm)
• Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
• Einfache Unterscheidbarkeit von Sender
(transparentes Gehäuse) und Empfänger
(schwarzes Gehäuse)
Anwendungen
• Geschwindigkeitsüberwachung
• Motorsteuerung
• Überwachung des Papiervorschubs in
Druckern, Kopier- und Faxgeräten
• Speicherlaufwerke
• Steuerung des Druckkopfes in Druckern
• Münzdetektion
• Optoelektronische Schalter
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
• Compact type
• GaAs infrared emitter (950 nm)
• Silicon phototransistor detector with
daylight-cutoff filter
• Easy identification of emitter (clear component
package) and transistor (black component
package)
Applications
• Speed control
• Motor control
• Monitoring of paper feed in printers, copiers,
facsimiles
• Disk drives
• Control of print head in printers
• Coin detection
• Optoelectronic switches
Gehäuse
Package
SFH 9300 Q62702-P5019 Schwarzes Polykarbonat Plastikgehäuse, Anschlüsse
im 2,54-mm Raster
Polycarbonate plastic material housing, solder tabs
2.54-mm (1/10”) spacing
2001-02-22 1
Grenzwerte TA = 25 °C
Maximum Ratings
SFH 9300
Bezeichnung
Parameter
Sender (GaAs-Diode)
Emitter (GaAs Diode)
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Empfänger (Si-Fototransistor)
Detector (Silicon Phototransistor)
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-emitter voltage
Symbol
Symbol
V
R
I
(DC) 60 mA
F
P
tot
R
thJA
V
CE
Wert
Value
5V
100 mW
280 K/W
30 V
Einheit
Unit
Kollektor-Emitter-Spannung, (
Collector-emitter voltage, (
t ≤ 2 min)
Emitter-Kollektor-Spannung
Emitter-collector voltage
Kollektorstrom
Collector current
Verlustleistung
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
t ≤ 2 min)
V
CE
V
EC
I
C
P
tot
R
thJA
70
7
50 mA
150 mW
280 K/W
2001-02-22 2
SFH 9300
Grenzwerte
T
= 25 °C
A
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Gabellichtschranke
Slotted Interrupter
Lagertemperatur
Storage temperature range
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Elektrostatische Entladung
Electrostatic discharge
Kennwerte
T
= 25 °C
A
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
T
stg
T
op
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 85 °C
– 40 … + 85
ESD 2 kV
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Sender (GaAs-Diode)
Emitter (GaAs Diode)
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of peak emission
Durchlaβspannung
Forward voltage
I
= 20 mA, tp = 20 ms
F
Sperrstrom
Reverse current
V
= 5 V
R
Kapazität
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
λ
V
I
C
peak
F
R
0
950 nm
1.2 (≤ 1.4) V
0.01 (≤ 1) µA
16 pF
2001-02-22 3