OSRAM SFH 9202 Technical data
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Reflexlichtschranke
Reflective Interrupter
SFH 9202
Wesentliche Merkmale
• Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm
• IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination
mit einem Si-NPN-Fototransistor
• Tageslichtsperrfilter
• Geringe Sättigungsspannung
• Sender und Empfänger galvanisch getrennt
• Lötmethode: IR-Reflow Löten
• Vorbehandlung nach JEDEC Level 4
Anwendungen
• Positionsmelder
• Endabschalter
• Drehzahlüberwachung
• Bewegungssensor
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
• Optimal operating distance 1 mm to 5 mm
• IR-GaAs-emitter in combination with a Silicon
NPN phototransistor
• Daylight cut-off filter
• Low saturation voltage
• Emitter and detector electrically isolated
• Soldering Methode: IR Reflow Soldering
• Preconditioning acc. to JEDEC Level 4
Applications
• Position reporting
• End position switch
• Speed monitoring
• Motion transmitter
I
[mA]
CE
(I
= 10 mA, VCE = 5 V, d = 1 mm)
F
SFH 9202 Q62702P5039 0.063 … 0.8
SFH 9202-2/3 Q62702P5009 0.063 … 0.2
SFH 9202-3/4 Q62702P5010 0.10 … 0.32
SFH 9202-4/5 Q62702P5472 0.16 … 0.50
SFH 9202-5/6 Q62702P5435 0.25 … 0.80
2004-09-23 1
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 9202
Bezeichnung
Parameter
Sender (GaAs-Diode)
Emitter (GaAs diode)
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Verlustleistung
Power dissipation
Empfänger (Si-Fototransistor)
Detector (silicon phototransistor)
Dauer-Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Continuous collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, (
Collector-emitter voltage, (
t ≤ 1 min)
t ≤ 1 min)
Symbol
Symbol
V
R
I
F
P
tot
V
CE
V
CE
Wert
Value
Einheit
Unit
5V
50 mA
80 mW
16 V
30
Emitter-Kollektor-Sperrspannung
V
EC
7
Emitter-collector voltage
Kollektorstrom
I
C
10 mA
Collector current
Verlustleistung
P
tot
100 mW
Total power dissipation
Reflexlichtschranke
Light Reflection Switch
Lagertemperatur
T
stg
– 40 … + 100 °C
Storage temperature range
Umgebungstemperatur
T
A
– 40 … + 100
Ambient temperature range
Verlustleistung
P
tot
150 mW
Power dissipation
Elektrostatische Entladung
ESD 2 KV
Electrostatic discharge
Umweltbedingungen / Environment conditions 3 K3 acc. to EN 60721-3-3 (IEC 721-3-3)
2004-09-23 2
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
SFH 9202
Bezeichnung
Parameter
Sender (GaAs-Diode)
Emitter (GaAs diode)
Durchlaβspannung
Forward voltage
I
= 50 mA
F
Sperrstrom
Reverse current
V
= 5 V
R
Kapazität
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Wärmewiderstand
Thermal resistance
1)
1)
Empfänger (Si-Fototransistor)
Detector (silicon phototransistor)
Symbol
Symbol
V
F
I
R
C
O
R
thJA
Wert
Value
Einheit
Unit
1.25 (≤ 1.65) V
0.01 (≤ 1) µA
25 pF
270 K/W
Kapazität
Capacitance
V
= 5 V, f = 1 MHz
CE
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitter leakage current
V
= 20 V
CE
Fotostrom (Fremdlichtempfindlichkeit)
Photocurrent (outside light density)
V
= 5 V, Ev = 1000 Lx
CE
Wärmewiderstand
Thermal resistance
1)
1)
C
I
CEO
I
P
R
CE
thJA
5pF
1 (≤ 50) nA
1mA
270 K/W
2004-09-23 3
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