OSRAM SFH 4751 Technical data
OSTAR
®
- Lighting IR 6-fold with Optics (940nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4751
Wesentliche Merkmale
•3.1 W optische Leistung bei IF=1A
• Aktive Chipfläche 2.1 x 3.2 mm
2
• max. Gleichstrom 1 A
• niedriger Wärmewiderstand (3 K/W)
• Emissionswellenlänge 940 nm
• ESD-sicher bis 2 kV nach JESD22-A114-B
Anwendungen
• Infrarotbeleuchtung für Kameras
• Überwachungssysteme
• IR-Datenübertragung
• Verkehrsüberwachungssysteme
• Beleuchtung für Bilderkennungssysteme
• Nicht für Anwendungen im Automobilbereich
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Features
•3.1 W optical power at IF=1A
• Active chip area 2.1 x 3.2 mm2
• max. DC-current 1 A
• Low thermal resistance (3 K/W)
• Spectral emission at 940 nm
• ESD save up to 2 kV acc. to JESD22-A114-B
Applications
• Infrared Illumination for cameras
• Surveillance systems
• IR Data Transmission
• Intelligent Transportation Systems
• Machine vision systems
• Not released for automotive applications
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Strahlstärke1) (IF = 1A, tp = 20 ms)
Radiant intensity
1)
Ιe (mW/sr)
SFH 4751 Q65110A8867 > 630 (typ. 900)
1)
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr.
2010-02-15 1
SFH 4751
Grenzwerte T
1)
= 25 °C
B
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Stoßstrom, tp = 100 µs, D = 0
Surge current
Leistungsaufnahme,
Power consumption
Thermische Verlustleistung
Thermal power-dissipation
Symbol
Symbol
T
, T
B, op
T
J
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
P
th
B, stg
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 100 °C
+ 145 °C
0.5 V
1 A
5 A
12 W
10.3 W
Wärmewiderstand Sperrschicht / Bodenplatte
R
thJB
3 K/W
Thermal resistance Junction / Base plate
1)
T
= Temperatur auf der Rückseite der Metallkernplatine / Temperature at the backside of the base plate.
B
Kennwerte (TB = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950 nm
Wavelength at peak emission
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Schwerpunkts-Wellenlänge der Strahlung
λ
centroid
940 nm
Centroid wavelength
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I
IF = 1 A, t
= 10 ms
p
max
Abstrahlwinkel
max
Δλ 35 nm
ϕ ± 70 Grad
Half angle
Einheit
Unit
deg.
2010-02-15 2
Kennwerte (TB = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
SFH 4751
Bezeichnung
Parameter
Abmessungen der aktiven Chipfläche1)
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
I
auf 10%,
= 5 A, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
L × B
L × W
t
, t
r
f
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
I
90% to 10%,
Durchlassspannung
= 5 A, RL = 50 Ω
F
V
F
Forward voltage
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Gesamtstrahlungsfluss
Φ
e
Total radiant flux
I
= 1 A, tp = 100 μs
F
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φ
Temperature coefficient of Ie or Φ
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Temperaturkoeffizient von V
Temperature coefficient of V
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
e
F
F
Temperaturkoeffizient von λ
e
TC
TC
TC
I
V
λ,centroid
Temperature coefficient of λ
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
1)
Die aktive Chipfläche besteht aus 6 einzelnen Chips mit je 1 x 1 mm².
The active chip area consists of 6 single chips with 1 x 1 mm² each.
Wert
Value
Einheit
Unit
2.1 × 3.2 mm²
10, 10 ns
9.8 (< 12) V
3.1 W
– 0.3 %/K
– 12 mV/K
+ 0.3 nm/K
2010-02-15 3
Loading...