OSRAM SFH 4730, SFH 4740 Technical data
Ostar Observation
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4730, SFH 4740
SFH 4730
SFH 4730
• Schwarzer Rahmen zur Streulichtminimierung
•3 W optische Leistung
SFH 4740
• Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung
•3.6 W optische Leistung
Wesentliche Merkmale
• Aktive Chipfläche 2.1 x 5.4 mm
2
• max. Gleichstrom 1 A
• niedriger Wärmewiderstand (2.8 K/W)
• Emissionswellenlänge 850 nm
• ESD-sicher bis 2 kV nach JESD22-A114-B
• Augensicherheitsrichtlinien der IEC-Normen
60825-1 und 62471 müssen beachtet werden.
SFH 4740
SFH 4730
• Black frame to minimize scattered light
•3 W optical power
SFH 4740
• White frame to achieve high optical power
•3.6 W optical power
Features
• Active chip area 2.1 x 5.4 mm2
• max. DC-current 1 A
• Low thermal resistance (2.8 K/W)
• Spectral emission at 850 nm
• ESD save up to 2 kV acc. to JESD22-A114-B
• Eye safety precautions given in IEC 60825-1
and IEC
62471 have to be followed.
Anwendungen
• Infrarotbeleuchtung für CMOS Kameras
• Überwachungssysteme
• IR-Datenübertragung
• Fahrer-Assistenz Systeme
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Strahlstärke1) (IF = 1A, tp = 20 ms)
Radiant intensity
Applications
• Infrared Illumination for CMOS cameras
• Surveillance systems
• IR Data Transmission
• Driver assistance systems
1)
Ιe (mW/sr)
SFH 4730 Q65110A5452 typ.1000
SFH 4740 Q65110A6190 typ.1200
1)
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr.
2007-08-13 1
Grenzwerte Maximum Ratings
SFH 4730, SFH 4740
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom, T
1)
≤ 85 °C
B
Forward current
Stoßstrom, tp < 1 ms, D = 0.2, TB ≤ 85 °C
Surge current
Leistungsaufnahme, TB ≤ 85 °C
Power consumption
Thermische Verlustleistung, TB ≤ 85 °C
Thermal power-dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht / Bodenplatte
Thermal resistance Junction / Base plate
Symbol
Symbol
T
, T
B, op
T
J
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
P
th
R
thJB
B, stg
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 125 °C
+ 145 °C
0.5 V
1 A
2 A
24 W
21 W
2.8 K/W
1)
T
= Temperatur auf der Rückseite der Metallkernplatine / Temperature at the backside of the base plate.
B
2007-08-13 2
Kennwerte (TB = 25 °C) Characteristics
SFH 4730, SFH 4740
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Symbol
Symbol
λ
peak
Wavelength at peak emission
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Schwerpunkts-Wellenlänge der Strahlung
λ
centroid
Centroid wavelength
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I
IF = 1 A, t
= 10 ms
p
max
Abstrahlwinkel
max
∆λ 40 nm
ϕ ± 60 Grad
Half angle
Abmessungen der aktiven Chipfläche1)
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
I
auf 10%,
= 1 A, RL = 50 Ω
F
L × B
L × W
t
, t
r
f
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
I
90% to 10%,
Durchlassspannung
= 1 A, RL = 50 Ω
F
V
F
Forward voltage
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
SFH 4730
SFH 4740
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φ
Temperature coefficient of Ie or Φ
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Temperaturkoeffizient von V
Temperature coefficient of V
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
e
F
F
Temperaturkoeffizient von λ
e
Φ
Φ
TC
TC
TC
e
e
I
V
λ,centroid
Temperature coefficient of λ
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
1)
Die aktive Chipfläche besteht aus 10 einzelnen Chips mit je 1 x 1 mm².
The active chip area consists of 10 single chips with 1 x 1 mm² each.
Wert
Value
Einheit
Unit
850 nm
845 nm
deg.
2.1 × 5.4 mm²
10 ns
18 (≤ 24) V
3
3.6
W
W
– 0.5 %/K
– 2 mV/K
+ 0.2 nm/K
2007-08-13 3
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