OSRAM SFH 4550 Technical data
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (850 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4550
Wesentliche Merkmale
• Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
• Enger Abstrahlwinkel ± 3°
• Sehr hohe Strahlstärke
• Emissionswellenlänge typ. 850 nm
Anwendungen
• Infrarotbeleuchtung für CMOS Kameras
• Sensorik
• Datenübertragung
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Features
• High Power Infrared LED
• Narrow emission angle ± 3°
• Very high radiant intensity
• Peak wavelength typ. 850 nm
Applications
• Infrared Illumination for CMOS cameras
• Sensor technology
• Data transmission
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
Typ
Type
SFH 4550 Q65110A1772 ≥ 400 (typ. 700)
1)
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.001 sr
ATTENTION - Observe Precautions For Handling - Electrostatic Sensitive Device
2007-03-29 1
Bestellnummer
Ordering Code
Strahlstärkegruppierung1) (IF = 100 mA, tp = 20 ms)
Radiant Intensity Grouping
Ie (mW/sr)
1)
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings
SFH 4550
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Stoßstrom, tp = 10 μs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
2
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
each
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics
Symbol
Symbol
Top , T
V
I
I
P
R
stg
R
F
FSM
tot
thJA
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 100 °C
5 V
100 mA
1.5 A
180 mW
450
K/W
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I
max
max
IF = 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
= 100 mA, RL = 50 Ω
F
I
= 100 mA, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
850 nm
Δλ 35 nm
ϕ ± 3 Grad
deg.
A
L × B
0.09 mm
0.3 × 0.3 mm²
2
L × W
t
, t
r
f
12 ns
2007-03-29 2
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
SFH 4550
Bezeichnung
Parameter
Durchlassspannung
Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom
Reverse current
V
= 5 V
R
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
I
= 100 mA
F
Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
Symbol
Symbol
V
F
V
F
I
R
Φ
e typ
TC
I
TC
V
TC
λ
Wert
Value
1.5 (< 1.8)
2.4 (< 3.0)
not designed for
Einheit
Unit
V
V
μA
reverse
operation
50 mW
– 0.5 %/K
– 0.7 mV/K
+ 0.2 nm/K
2007-03-29 3
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