OSRAM SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503 Technical data
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode
High Power Infrared Emitter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
SFH 4501
SFH 4502 SFH 4503
Wesentliche Merkmale
• Leistungsstarke GaAs-LED (40mW)
• Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen
• Typische Peakwellenlänge 950nm
• SFH 4501 -03: Unterschiedliche Halbwinkel
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Sensorik
• Diskrete Lichtschranken
• IR-Scheinwerfer für Kameras
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Strahlstärkegruppierung 1) (IF = 100mA, tp = 20 ms)
Radiant intensity grouping
Ie (mW/sr)
Features
• High Power GaAs-LED (40mW)
• High Efficiency at low currents
• Typical peak wavelength 950nm
• SFH 4501 - 03: different half angles
Applications
• IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
• Remote control for steady and varying intensity
• Sensor technology
• Discrete interrupters
• IR spotlight for cameras
1)
SFH 4501 Q62702P5061 110 (>63)
SFH 4502 Q62702P5062 60 (>25)
SFH 4503 Q62702P5305 250 (>63)
1)
gemessen bei einem Raumw ink el Ω = 0.01 sr (SFH4503 Ω = 0.001 sr)
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr (SFH4503 Ω = 0.001 sr)
2004-12-16 1
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlänge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and PCB
max. 10 mm
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
R
I
(DC) 100 mA
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
Wert
Value
– 40 … + 100 °C
3 V
2.2 A
180 mW
375 K/W
Einheit
Unit
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I
IF = 100 m A, t
= 20 ms
p
max
max
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 4501
SFH 4502
SFH 4503
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
950 nm
∆λ 40 nm
ϕ
Grad
deg.
± 7
± 18
± 4
A
L × B
0.09 mm
0.3 × 0.3 mm
L × W
2
2004-12-16 2
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
= 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Ω
F
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
I
90% to 10%,
= 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Ω
F
Kapazität
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom,
Reverse current
V
= 3 V
R
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
I
= 100 mA
F
Temperature coefficient of Ie or Φe,
I
= 100 mA
F
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Symbol
Symbol
t
, t
r
f
C
o
V
F
V
F
I
R
Φ
e
TC
I
TC
V
Wert
Value
Einheit
Unit
10 ns
35 pF
1.5 (≤ 1.8)
3.2 (≤ 4.3)
V
V
0.01 (≤ 10) µA
40 mW
– 0.44 %/K
– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
TC
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
2004-12-16 3
λ
+ 0.2 nm/K
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