OSRAM SFH 4289 Technical data
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAlAs Infrared Emitter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4289
Wesentliche Merkmale
• TOPLED mit Linse
• GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
• Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Oberflächenmontage geeignet
• Gegurtet lieferbar
•SFH 4289 Gehäusegleich mit SFH 3219
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Features
• TOPLED with lens
• Very highly efficient GaAIAs-LED
• Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents
• DC (with modulation) or pulsed operations are
possible
• High reliability
• High pulse handling capability
• Suitable for surface mounting (SMT)
• Available on tape and reel
•SFH 4289 same package as SFH 3219
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For drive and control circuits
• Automotive technology
• Sensor technology
• Alarm and safety equipment
• IR free air transmission
Typ
Type
SFH 4289 Q65110A2519 > 6.3 (typ. 17)
1)
gemessen bei einem Rau mwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid ang le of Ω = 0. 01 sr
2005-02-23 1
Bestellnummer
Ordering Code
Strahlstärkegruppierung1) (IF = 100 mA, tp = 20 ms)
Radiant Intensity Grouping
Ie (mW/sr)
1)
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings
SFH 4289
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlassstrom
Forward current
Stoßstrom, τ = 10 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
2
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJS
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 100 °C
5 V
100 mA
2.5 A
180 mW
450
≈ 200
K/W
K/W
2005-02-23 2
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics
SFH 4289
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I
max
max
IF = 100 m A
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
I
auf 10%, bei
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
90% to10%,
Kapazität,
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Durchlassspannung
Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom,
Reverse current
V
= 5 V
R
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
I
= 100 mA
F
Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA
= 100 mA, RL = 50 Ω
F
I
= 100 mA, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
880 nm
∆λ 80 nm
ϕ ± 25 Grad
deg.
A
L × B
0.09 mm
0.3 × 0.3 mm
2
L × W
t
, t
r
C
V
V
I
R
Φ
TC
f
o
F
F
e
I
0.5 µs
15 pF
1.5 (≤ 1.8)
3.0 (≤ 3.8)
V
V
0.01 (≤ 1) µA
23 mW
– 0.5 %/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
TC
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
TC
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
2005-02-23 3
V
λ
– 2 mV/K
+ 0.25 nm/K
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