OSRAM SFH 4250 Technical data
Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared LED
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4250
preliminary data / vorläufige Daten
Wesentliche Merkmale
• Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung
• Emissionswellenlänge typ. 850nm
• Hohe Bestromung bei hohen Temperaturen
möglich
Anwendungen
• Infrarotbeleuchtung für CMOS Kameras
• IR-Datenübertragung
• Sensorik
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt
werden.
Features
• High Power Infrared LED
• Peak wavelength typ. 850nm
• High forward current allowed at high
temperature
Applications
• Infrared Illumination for CMOS cameras
• IR Data Transmission
• optical sensors
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
Typ
Type
SFH 4250 Q65110A2465 ≥ 10 (typ. 15)
1)
gemessen bei einem Raumwi nkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
ATTENTION - Observe Precautions For Handling - Electrostatic Sensitive Device
2005-02-21 1
Bestellnummer
Ordering Code
Strahlstärkegruppierung1) (IF = 100mA, tp = 20 ms)
Radiant Intensity Grouping
Ie (mW/sr)
1)
Vorläufige Daten / Preliminary Data SFH 4250
Grenzwerte Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom, TA ≤ 65 °C
Forward current
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0, TA = 25 °C
Surge current
Verlustleistung TA = 25 °C
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht/Umgebung
Junction/ambient
Sperrschicht/Lötpad
Junction/soldering point
Montage auf PC-Board FR 4
2
(Padgröße
≥ 16 mm
)
mounted on PC board FR 4 (pad size ≥ 16 mm 2)
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJS
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 100 °C
– 40 … + 100 °C
3 V
100 mA
1.5 A
180 mW
300
140
K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I
max
max
Symbol
Symbol
λ
∆λ 35 nm
IF = 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
2005-02-21 2
ϕ ± 60 Grad
A
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
850 nm
deg.
0.09 mm
2
Vorläufige Daten / Preliminary Data SFH 4250
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
I
auf 10%, bei
= 100 mA, RL = 50 Ω
F
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
I
90% to 10%,
= 100 mA, RL = 50 Ω
F
Durchlassspannung
Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom
Reverse current
V
= 3 V
R
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
I
= 100 mA
F
Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA
Symbol
Symbol
L × B
L × W
t
, t
r
f
V
F
V
F
I
R
Φ
e
TC
I
Wert
Value
Einheit
Unit
0.3 × 0.3 mm
12 ns
1.5 (< 1.8)
2.4 (< 3.0)
V
V
0.01 (≤ 10) µA
40 mW
– 0.5 %/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
TC
TC
V
λ
– 0.7 mV/K
+ 0.2 nm/K
2005-02-21 3
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