OSRAM SFH 4235 Technical data
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (850 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4235
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
• IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad
• Chipgröße (emittierende Fläche) 1 x 1 mm2
• max. Gleichstrom 1 A
• niedriger Wärmewiderstand (9 K/W)
• Schwerpunktswellenlänge 850 nm
• ESD-sicher bis 2 kV nach JESD22-A114-E
• Erweiterte Korrosionsfestigkeit
(s.a. Abschnitt Maßzeichnung)
Anwendungen
• Infrarotbeleuchtung für Kameras
• Überwachungssysteme
• Fahrer-Assistenz Systeme
• Beleuchtung für Bilderkennungssysteme
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Features
• IR lightsource with high efficiency
• die-size (emitting area) 1 x 1 mm2
• max. DC-current 1 A
• Low thermal resistance (9 K/W)
• Center of spectral emission at 850 nm
• ESD safe up to 2 kV acc. to JESD22-A114-E
• Superior Corrosion Robustness
(see chapter package outlines)
Applications
• Infrared Illumination for cameras
• Surveillance systems
• Driver assistance systems
• Machine vision systems
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
Typ
Type
SFH 4235 Q65110A8900 ≥ 630 (typ. 950)
1)
gemessen mit Ulbrichtkugel / measured with integrating sphere
2010-05-18 1
Bestellnummer
Ordering Code
Gesamtstrahlungsfluss1) (IF = 1A, tp = 10 ms)
Total Radiant Flux
Φe (mW)
1)
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings
SFH 4235
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Stoßstrom, tp = 200 µs, D = 0
Surge current
Leistungsaufnahme
Power consumption
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle
Thermal resistance junction - soldering point
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics
Symbol
Symbol
Top , T
T
V
I
I
P
R
stg
J
R
F
FSM
tot
thJS
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 125 °C
+ 145 °C
1 V
1 A
5 A
3.4 W
9 K/W
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Centroid-Wellenlänge der Strahlung
Centroid wavelength
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I
IF = 1 A, t
Abstrahlwinkel
= 10 ms
p
max
max
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
λ
centroid
Wert
Value
Einheit
Unit
860 nm
850 nm
Δλ 30 nm
ϕ ± 60 Grad
deg.
A
L × B
1 mm
1 × 1 mm²
2
L × W
2010-05-18 2
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
SFH 4235
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
I
auf 10%,
= 5 A, RL = 50 Ω
F
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
I
90% to 10%,
= 5 A, RL = 50 Ω
F
Durchlassspannung
Forward voltage
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
I
= 5 A, tp = 100 µs
F
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 1 A, tp = 100 μs
F
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φ
Temperature coefficient of Ie or Φ
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Temperaturkoeffizient von V
Temperature coefficient of V
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
F
F
e
e
Temperaturkoeffizient von λ
Temperature coefficient of λ
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Symbol
Symbol
t
/ t
r
f
V
F
V
F
I
e typ
TC
I
TC
V
TC
λ,centroid
Wert
Value
Einheit
Unit
7 / 14 ns
3.0 (< 3.4)
3.5 (< 4.5)
V
V
320 mW/sr
– 0.3 %/K
– 2 mV/K
+ 0.3 nm/K
2010-05-18 3
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