OSRAM SFH 4231IR Technical data

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (940 nm)

Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

SFH 4231

Vorläufige Daten / Preliminary Data

Wesentliche Merkmale

• Punktlichtquelle mit hohem Wirkungsgrad bei
geringer Baugröße

• Chipgröße (emittierende Fläche) 1 x 1 mm2

• max. Gleichstrom 1 A

• niedriger Wärmewiderstand (15 K/W)

• Emissionswellenlänge 940 nm

• ESD-sicher bis 2 kV nach JESD22-A114-B

Anwendungen

• Infrarotbeleuchtung für CMOS Kameras

• Überwachungssysteme

• IR-Datenübertragung

• Fahrer-Assistenz Systeme

• Maschinensicherheit

Sicherheitshinweise

Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot­Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits­richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.

Features

• Point lightsource with high efficiency and small
package

• die-size (emitting area) 1 x 1 mm2

• max. DC-current 1 A

• Low thermal resistance (15 K/W)

• Maximum of spectral emission at 940 nm

• ESD save up to 2 kV acc. to JESD22-A114-B

Applications

• Infrared Illumination for CMOS cameras

• Surveillance systems

• IR Data Transmission

• Driver assistance systems

• Machine security

Safety Advices

Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.

Typ
Type

SFH 4231 Q65110A4808 typ. 500

1)

gemessen mit Ulbrichtkugel / measured with integrating sphere

2007-03-29 1

Bestellnummer
Ordering Code

Gesamtstrahlungsfluss1) (IF = 1A, tp = 100 µs)
Total Radiant Flux

Φe (mW)

1)

Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings

SFH 4231

Bezeichnung
Parameter

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Vorwärtsgleichstrom
Forward current

Stoßstrom, tp < 1 ms, D = 0.2
Surge current

Leistungsaufnahme
Power consumption

Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block

Symbol
Symbol

Top , T

T

V

I

I

P

R

stg

J

R

F

FSM

tot

thJS

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 … + 100 °C

+ 125 °C

1 V

1 A

2 A

2.4 W

15 K/W

Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics

Bezeichnung
Parameter

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 1 A, tp = 10 ms

F

Centroid-Wellenlänge der Strahlung
Centroid wavelength

I

= 1 A, tp = 10 ms

F

Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I

IF = 1 A, t

Abstrahlwinkel

= 10 ms

p

max

max

Half angle
Aktive Chipfläche

Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche

Dimension of the active chip area

Symbol
Symbol

λ

peak

λ

centroid

Wert
Value

Einheit
Unit

940 nm

935 nm

∆λ 45 nm

ϕ ± 60 Grad

deg.

A

L × B

1 mm

1 × 1 mm²

2

L × W

2007-03-29 2

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)

SFH 4231

Bezeichnung
Parameter

Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%

I

auf 10%,

= 1 A, RL = 50 Ω

F

Switching times, Ιe from 10% to 90% and from

I

90% to 10%,

= 1 A, RL = 50 Ω

F

Durchlassspannung
Forward voltage

I

= 1 A, tp = 100 µs

F

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 1 A, tp = 100 µs

F

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe
Temperature coefficient of Ie or Φe

I

= 1 A, tp = 10 ms

F

Temperaturkoeffizient von VF
Temperature coefficient of VF

I

= 1 A, tp = 10 ms

F

Temperaturkoeffizient von λ
Temperature coefficient of λ

I

= 1 A, tp = 10 ms

F

Symbol
Symbol

t

, t

r

f

V

F

I

e typ

TC

I

TC

V

TC

λ,centroid

Wert
Value

Einheit
Unit

20 ns

1.8 (< 2.4) V

200 mW/sr

– 0.5 %/K

– 1 mV/K

+ 0.2 nm/K

2007-03-29 3