OSRAM SFH 4230 Technical data
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (850 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4230
Wesentliche Merkmale
• Punktlichtquelle mit hohem Wirkungsgrad bei
geringer Baugröße
• Chipgröße (emittierende Fläche) 1 x 1 mm2
• max. Gleichstrom 1 A
• niedriger Wärmewiderstand (15 K/W)
• Emissionswellenlänge 850 nm
• ESD-sicher bis 2 kV nach JESD22-A114-B
Anwendungen
• Infrarotbeleuchtung für CMOS Kameras
• Überwachungssysteme
• IR-Datenübertragung
• Fahrer-Assistenz Systeme
• Maschinensicherheit
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm 60825-1 / 62471
behandelt werden.
Features
• Point lightsource with high efficiency and small
package
• die-size (emitting area) 1 x 1 mm2
• max. DC-current 1 A
• Low thermal resistance (15 K/W)
• Maximum of spectral emission at 850 nm
• ESD save up to 2 kV acc. to JESD22-A114-B
Applications
• Infrared Illumination for CMOS cameras
• Surveillance systems
• IR Data Transmission
• Driver assistance systems
• Machine security
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 / 62471.
Typ
Type
SFH 4230 Q65110A4023 typ. 440
1)
gemessen mit Ulbrichtkugel / measured with integrating sphere
2006-08-03 1
Bestellnummer
Ordering Code
Gesamtstrahlungsfluss1) (IF = 1A, tp = 100 µs)
Total Radiant Flux
Φe (mW)
1)
Grenzwerte Maximum Ratings
SFH 4230
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Stoßstrom, tp < 1 ms, D = 0.2, TA = 25 °C
Surge current
Leistungsaufnahme, TA = 25 °C
Power consumption
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Symbol
Symbol
Top , T
T
V
I
I
P
R
stg
J
R
F
FSM
tot
thJS
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 100 °C
+ 125 °C
1 V
1 A
2 A
2.4 W
15 K/W
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Centroid-Wellenlänge der Strahlung
Centroid wavelength
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I
IF = 1 A, t
Abstrahlwinkel
= 10 ms
p
max
max
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
λ
centroid
Wert
Value
Einheit
Unit
850 nm
845 nm
∆λ 40 nm
ϕ ± 60 Grad
deg.
A
L × B
1 mm
1 × 1 mm²
2
L × W
2006-08-03 2
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
SFH 4230
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
I
auf 10%,
= 1 A, RL = 50 Ω
F
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
I
90% to 10%,
= 1 A, RL = 50 Ω
F
Durchlassspannung
Forward voltage
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe
Temperature coefficient of Ie or Φe
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Temperaturkoeffizient von V
F
Temperature coefficient of VF
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Temperaturkoeffizient von λ
Temperature coefficient of λ
I
= 1 A, tp = 10 ms
F
Symbol
Symbol
t
, t
r
f
V
F
I
e typ
TC
I
TC
V
TC
λ,centroid
Wert
Value
Einheit
Unit
10 ns
1.8 (< 2.4) V
170 mW/sr
– 0.5 %/K
– 0.2 mV/K
+ 0.2 nm/K
2006-08-03 3
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