OSRAM SFH 421, SFH 426 Technical data

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäu se GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 421 SFH 426
SFH 421 SFH 426

Wesentliche Merkmale

GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Oberflächenmontage geeignet
Gegurtet lieferbar
•SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320 SFH 426 Gehäusegleich mit SFH 325

Anwendungen

Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
Industrieelektronik
„Messen/Steuern/Regeln“
Automobiltechnik
Sensorik
Alarm- und Sicherungssysteme
IR-Freiraumübertragung

Features

Very highly efficient GaAIAs-LED
Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents
DC (with modulation) or pulsed operations are possible
High reliability
High pulse handling capability
Suitable for surface mounting (SMT)
Available on tape and reel
•SFH 421 same package as SFH 320 SFH 426 same package as SFH 325

Applications

Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For drive and control circuits
Automotive technology
Sensor technology
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
Typ Type
SFH 421 Q65110A1218 SFH 426 Q65110A2512 SIDELED
2005-02-21 1
Bestellnummer Ordering Code
Gehäuse Package
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke cathode marking: bevelled edge TOPLED
®
®

Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings

SFH 421, SFH 426
Bezeichnung Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range
Sperrspannung Reverse voltage
Durchlassstrom Forward current
Stoßstrom, τ = 10 µs, D = 0 Surge current
Verlustleistung Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
2
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block
Symbol Symbol
T
; T
op
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJS
Wert Value
Einheit Unit
– 40 + 100 °C
5 V
100 mA
2.5 A
180 mW
450
200
K/W
K/W
2005-02-21 2

Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics

SFH 421, SFH 426
Bezeichnung Parameter
Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50% von I Spectral bandwidth at 50% of I
max
max
IF = 100 m A
Abstrahlwinkel Half angle
Aktive Chipfläche Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimensions of the active chip area
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
I
auf 10%, bei Switching times, Ιe from 10% to 90% and from 90% to 10%,
Kapazität Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Durchlassspannung Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom Reverse current
V
= 5 V
R
Gesamtstrahlungsfluss Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
I
= 100 mA
F
Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA
= 100 mA, RL = 50
F
I
= 100 mA, RL = 50
F
Symbol Symbol
λ
peak
Wert Value
Einheit Unit
880 nm
∆λ 80 nm
ϕ ± 60 Grad
deg.
A
L × B
0.09 mm
0.3 × 0.3 mm
2
L × W t
, t
r
C
V V
I
R
Φ
TC
f
o
F F
e
I
0.5 µs
15 pF
1.5 ( 1.8)
3.0 ( 3.8)
V V
0.01 ( 1) µA
23 mW
– 0.5 %/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
TC
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
TC
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
2005-02-21 3
V
λ
– 2 mV/K
+ 0.25 nm/K
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