OSRAM SFH 4203 Technical data
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode
High Power Infrared Emitter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4203
Wesentliche Merkmale
• Leistungsstarke GaAs-LED (35 mW)
• Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen
• Homogene Abstrahlung
• Typische Peakwellenlänge 950 nm
Anwendungen
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
SFH 4203 Q65110A2499 8 (> 4)
1)
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bestellnummer
Ordering Code
Strahlstärkegruppierung1) (IF = 100 mA, tp = 20 ms)
Radiant Intensity Grouping
Ie (mW/sr)
Features
• High Power GaAs-LED (35 mW)
• High Efficiency at low currents
• Homogeneous Radiation Pattern
• Typical peak wavelength 950 nm
Applications
• Industrial electronics
• For drive and control circuits
• Automotive technology
• Sensor technology
• Alarm and safety equipment
• IR free air transmission
1)
2005-02-23 1
Grenzwerte (TA = 25 ° C) Maximum Ratings
SFH 4203
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlassstrom
Forward current
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
2
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
R
I
(DC) 100 mA
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJS
Wert
Value
– 40 … + 100 ° C
3 V
1 A
180 mW
450
200
Einheit
Unit
K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 ° C) Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I
IF = 100 mA, t
= 20 ms
p
max
Abstrahlwinkel
max
Symbol
Symbol
λ
∆λ 40 nm
ϕ ± 65 Grad
Half angle
Aktive Chipfläche
A
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of the active chip area
2005-02-23 2
L × B
L × W
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
950 nm
deg.
0.09 mm
0.3 × 0.3 mm
2
Kennwerte (TA = 25 ° C)
Characteristics (cont’d)
SFH 4203
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
= 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Ω
F
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
I
90% to10%,
= 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Ω
F
Durchlassspannung
Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom
Reverse current
V
= 3 V
R
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
I
= 100 mA
F
Temperature coefficient of Ie or Φe,
I
= 100 mA
F
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Symbol
Symbol
t
, t
r
f
V
F
V
F
I
R
Φ
e
TC
I
TC
V
Wert
Value
Einheit
Unit
10 ns
1.5 (≤ 1.8)
3.2 (≤ 4.3)
V
V
0.01 (≤ 10) µA
35 mW
– 0.44 %/K
– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
TC
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Radiant Intensity Ie in Axial Direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Symbol Werte
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Strahlstärke
I
I
I
Radiant intensity
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
2005-02-23 3
λ
e min.
e typ.
e typ.
+ 0.2 nm/K
Einheit
Values
4
8
Unit
mW/sr
mW/sr
48 mW/sr
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