OSRAM SFH 4050 Technical data
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (850 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4050
Für Neuentwicklungen / for new designs
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
• Sehr kleines Gehäuse:
(LxBxH) 1.7 mm x 0.8 mm x 0.65 mm
• Emissionswellenlänge typ. 850 nm
• Gegurtet lieferbar
• Sehr hohe Gesamtleistung
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Features
• Very small package:
(LxWxH) 1.7 mm x 0.8 mm x 0.65 mm
• Peak wavelength typ. 850 nm
• Available on tape and reel
• High optical total power
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For drive and control circuits
• Sensor technology
• Alarm and safety equipment
• IR free air transmission
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
Typ
Type
SFH 4050 Q65110A6460 ≥ 4 (typ. 7)
1)
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
ATTENTION - Observe Precautions For Handling - Electrostatic Sensitive Device
2007-04-02 1
Bestellnummer
Ordering Code
Strahlstärkegruppierung1) (IF = 100 mA, tp = 20 ms)
Radiant Intensity Grouping
Ie (mW/sr)
1)
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings
SFH 4050
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Stoßstrom, tp = 200 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 5 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
2
on PC-board (FR4), padsize 5 mm
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Symbol
Symbol
Top , T
V
I
I
P
R
stg
R
F
FSM
tot
thJA
R
thJS
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 100 °C
5 V
100 mA
1 A
180 mW
450
250
K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I
max
max
IF = 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
850 nm
∆λ 35 nm
ϕ ± 80 Grad
deg.
A
L × B
0.09 mm
0.3 × 0.3 mm²
2
L × W
2007-04-02 2
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
SFH 4050
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
I
auf 10%, bei
= 100 mA, RL = 50 Ω
F
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
I
90% to 10%,
= 100 mA, RL = 50 Ω
F
Kapazität,
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Durchlassspannung
Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom
Reverse current
V
= 5 V
R
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
I
= 100 mA
F
Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA
Symbol
Symbol
t
, t
r
f
C
o
V
F
V
F
I
R
Φ
e typ
TC
I
Wert
Value
Einheit
Unit
12 ns
15 pF
1.5 (< 1.8)
2.4 (< 3.0)
not designed for
V
V
µA
reverse
operation
50 mW
– 0.5 %/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
TC
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
TC
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
2007-04-02 3
V
λ
– 0.7 mV/K
+ 0.2 nm/K
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