OSRAM SFH 4000 Technical data
Schnelle IR-Lumineszenzdiode
High Speed Infrared Emitter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4000
Wesentliche Merkmale
• Hohe Ausgangsleistung: 35 mW
• Sehr kleines Gehäuse:
(LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm
• Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns)
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• IR Reflow Löten geeignet
• Gegurtet lieferbar
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
• High output power: 35 mW
• Very small package:
(LxWxH) 1.7 mm x 0.8 mm x 0.65 mm
• Very short switching times (10 ns)
• High pulse handling capability
• Suitable for IR reflow soldering
• Available on tape and reel
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For drive and control circuits
• Sensor technology
• Alarm and safety equipment
• IR free air transmission
Strahlstärkegruppierung 1) (IF = 100 mA, tp = 20 ms)
Radiant Intensity Grouping
Ie (mW/sr)
1)
SFH 4000 Q65110A2649 > 1.6 (typ. 4.5)
1)
gemessen bei einem Raumw ink el Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
2005-02-23 1
Grenzwerte (TA = 25 ° C) Maximum Ratings
SFH 4000
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlassstrom
Forward current
Stoßstrom, τ = 10 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
2
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJS
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 100 ° C
3 V
100 mA
2.2 A
180 mW
450
≈ 250
K/W
K/W
2005-02-23 2
Kennwerte (TA = 25 ° C) Characteristics
SFH 4000
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I
max
max
IF = 100 m A
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
I
auf 10%, bei
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
90% to 10%,
Kapazität
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Durchlassspannung
Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom
Reverse current
V
= 3 V
R
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
I
= 100 mA
F
Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA
= 100 mA, RL = 50 Ω
F
I
= 100 mA, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
950 nm
∆λ 40 nm
ϕ ± 80 Grad
deg.
A
L × B
0.09 mm
0.3 × 0.3 mm
2
L × W
t
, t
r
C
V
V
I
R
Φ
e
TC
f
o
F
F
I
10 ns
15 pF
1.5 (≤ 1.8)
3.2 (≤ 4.3)
V
V
0.01 (≤ 1) µA
35 mW
– 0.44 %/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
TC
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
TC
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
2005-02-23 3
V
λ
– 1.5 mV/K
+ 0.2 nm/K
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