OSRAM SFH 3710 Technical data
NPN-Si-Fototransistor mit V
Silicon NPN Phototransistor with V
Charakteristik
λ
Characteristics
λ
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 3710
Wesentliche Merkmale
• Sehr kleines SMT Gehäuse
• Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
Anwendungen
• Umgebungslicht-Detektor
• Beleuchtungsmesser
• Dimmungssensor für Hintergrundbeleuchtung
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
SFH 3710 Q65110A3107 2.5…12.5
SFH 3710-2/3 Q65110A3512 2.5…8.0
SFH 3710-3/4 Q65110A3511 4.0…12.5
Einzelgruppen auf Anfrage / single bins on request
Bestellnummer
Ordering Code
Fotostrom , Ee = 10 µW/cm², λ = 560 nm, VCE = 5 V
Photocurrent
Ipce (µA)
Features
• Very small SMT package
• Adapted to human eye sensitivity (Vλ)
Applications
• Ambient light detector
• Exposure meter for daylight and artificial light
• Sensor for Backlight-Dimming
• For control and drive circuits
t
2007-11-14 1
Grenzwerte (TA = 25 ° C) Maximum Ratings
SFH 3710
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Kennwerte (TA = 25 ° C) Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
CE
I
C
V
EC
Symbol
Symbol
λ
Smax
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 85 ° C
5.5 V
20 mA
0.5 V
Wert
Value
Einheit
Unit
570 nm
λ 350 … 950 nm
A
0.29 mm
2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
L × B
L × W
ϕ ± 60 Grad.
Half angle
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
C
Capacitance
Dunkelstrom
I
Dark current
V
= 5 V
R
Temperturkoeffizient
Temperature Coefficient
Normlicht A / Standard Light A
λ = 550 nm
2007-11-14 2
TK
TK
CE
CEO
550 nm
0.75 × 0.75 mm × mm
deg.
4 pF
3 (< 50) nA
0.9
0.78
%/K
%/K
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