OSRAM SFH 3410 Technical data
NPN-Si-Fototransistor mit V
Charakteristik
λ
Silicon NPN Phototransistor with V
SFH 3410
Characteristics
λ
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 350 nm bis 970 nm
V
• Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (
)
λ
• SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet
für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
(JEDEC level 4)
• Nur gegurtet lieferbar
Anwendungen
• Umgebungslicht-Detektor
• Beleuchtungsmesser
• Dimmungssensor für Hintergrundbeleuchtung
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Fotostrom
Photocurrent
Ipce (
SFH 3410
SFH 3410 -1/2
SFH 3410 -2/3
SFH 3410 -3/4
Q62702-P5160
Q65110A0049
Q65110A0050
Q65110A0051
>3.2
3.2…10
5…16
8…25
Features
• Especially suitable for applications from
350 nm to 970 nm
• Adapted to human eye sensitivity (
V
λ
• SMT package without base connection,
suitable for vapor phase an d IR reflow soldering
(JEDEC level 4)
• Only available on tape and reel
Applications
• Ambient light detector
• Exposure meter for daylight and artificial light
• Sensor for Backlight-Dimming
• For control and drive circuits
tSilicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics
E
= 20 lx, Standard light A, VCE = 5 V
v
µA)
)
2002-12-18 1
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
SFH 3410
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
T
Kennwerte (
= 25 °C)
A
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
CE
I
C
V
EC
Symbol
Symbol
λ
Smax
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 100 °C
5.5 V
20 mA
0.5 V
Wert
Value
Einheit
Unit
570 nm
λ 350 … 970 nm
A
0.29 mm
2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
L × B
L
ϕ± 60 Grad.
Half angle
Kapazität,
V
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CE
C
Capacitance
Dunkelstrom
I
Dark current
V
= 5 V
R
Fotostrom
I
Photocurrent
E
= 20 lx, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V
v
2002-12-18 2
× W
CE
CEO
PCE
0.75 × 0.75 mm × mm
deg.
16 pF
3 (< 50) nA
>3.2 µA
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