OSRAM SFH 325, SFH 325 FA Technical data
NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED
Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 325
SFH 325 FA
SFH 325 SFH 325 FA
®
-Gehäuse
®
-Package
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 450 nm bis 1120 nm (SFH 325) und bei
750 nm bis 1120 nm (SFH 325 FA)
• Hohe Linearität
• P-LCC-2 Gehäuse
• Gruppiert lieferbar
• Nur für Reflow IR-Lötung geeignet.
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
SFH 325
SFH 325-3
SFH 325-3/-4
SFH 325-4
SFH 325 FA
1)
1)
1)
1)
1)
SFH 325 FA-3
SFH 325 FA-3/-4
SFH 325 FA-4
1)
1)
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A2486 > 16
Q65110A2488 25-50
Q65110A2491 25-80
Q65110A2484 40-80
Q65110A2487 > 16
Q65110A2482 25-50
1)
Q65110A2490 25-80
Q65110A2485 40-80
Features
• Especially suitable for applications from
450 nm to 1120 nm (SFH 325) and from
750 nm to 1120 nm (SFH 325 FA)
• High linearity
• P-LCC-2 package
• Available in groups
• Suitable only for reflow IR soldering.
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Fotostrom , (Ee=0,1mW/cm
2
,λ=950nm V
Photocurrent
µA)
Ipce (
= 5 V)
CE
1)
Gruppierung erfolgt in Halbgruppen (siehe Seite 4), Verpackungseinheit = nur eine Halbgruppe / binning in half
groups (see page 4), packing unit = only one half group
2005-07-12 1
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 325, SFH 325 FA
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
= 25 ° C
A
Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 100 ° C
35 V
15 mA
75 mA
165 mW
450 K/W
2005-07-12 2
Kennwerte (TA = 25 ° C, λ = 950 nm)
Characteristics
SFH 325, SFH 325 FA
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
Bestrahlungsempfindliche Fläche
max
(∅
220 µm)
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
V
Kapazität,
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CE
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
= 20 V, E = 0
CE
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 325 SFH 325 FA
λ
S max
980 980 nm
λ 450 … 1120 750 … 1120 nm
A
L × B
× W
L
0.038 0.038 mm
0.45 × 0.45 0.45 × 0.45 mm × mm
ϕ±60 ±60 Grad
deg.
C
I
CEO
CE
5.0 5.0 pF
1 (≤ 50) 1 (≤ 50) nA
2
2005-07-12 3
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