OSRAM SFH 3219 Technical data
NPN-Silizium-Fototransistor in SMT-Gehäuse mit Linse
Silicon NPN Phototransistor in SMT-Package with lens
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 3219
Wesentliche Merkmale
• TOPLED mit Linse
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 430
• Hohe Linearität
• Für alle Lötverfahren geeignet
• Gehäusegleich mit SFH 4209, SFH 4219,
SFH
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
Typ
Type
SFH 3219 Q65110A2529
nm bis 1150 nm
4289
Bestellnummer
Ordering Code
Features
• TOPLED with lens
• Especially suitable for applications from
nm to 1150 nm
430
• High linearity
• Suitable for all soldering methods
• Same package as SFH 4209, SFH 4219,
4289
SFH
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
• Automotive technology
• Sensor technology
2005-04-29 1
Grenzwerte Maximum Ratings
SFH 3219
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Verlustleistung, TA = 25 ° C
Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 100 ° C
35 V
15 mA
75 mA
165 mW
450 K/W
2005-04-29 2
Kennwerte (TA = 25 ° C, λ = 950 nm)
Characteristics
SFH 3219
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm)
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
= 20 V, E = 0
CE
Fotostrom
Photo current
E
= 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V
e
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
= 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
C
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
= 20 µA
C
E
= 0.1 mW/cm
e
2
Symbol
Symbol
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
990 nm
λ 430 … 1150 nm
A
L × B
0.045 mm
0.45 × 0.45 mm × mm
2
L × W
ϕ ± 25 Grad
deg.
C
I
I
t
V
CE
CEO
PCE
, t
r
CEsat
f
5.0 pF
1 (≤ 50) nA
≥ 63 µA
7 µs
150 mV
2005-04-29 3
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