OSRAM SFH 320, SFH 320 FA Technical data
NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED
Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 320
SFH 320 FA
SFH 320 SFH 320 FA
®
-Gehäuse
®
-Package
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 380
880
• Hohe Linearität
• P-LCC-2 Gehäuse
• Gruppiert lieferbar
• Für alle Lötverfahren geeignet.
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
SFH 320 Q65110A2471 SFH 320 FA Q65110A2472
SFH 320-3 Q65110A2469 SFH 320 FA-3 Q65110A2470
nm bis 1150 nm (SFH 320) und bei
nm (SFH 320 FA)
Bestellnummer
Ordering Code
Features
• Especially suitable for applications from
nm to 1150 nm (SFH 320) and of 880 nm
380
320 FA)
(SFH
• High linearity
• P-LCC-2 package
• Available in groups
• Suitable for all soldering methods.
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 320-3/-4 Q65110A1781 SFH 320 FA-3/-4 Q65110A2475
SFH 320-4 Q65110A2510 SFH 320 FA-4 Q65110A1836
2005-05-12 1
Grenzwerte Maximum Ratings
SFH 320, SFH 320 FA
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Verlustleistung, TA = 25 ° C
Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 100 ° C
35 V
15 mA
75 mA
165 mW
450 K/W
2005-05-12 2
Kennwerte (TA = 25 ° C, λ = 950 nm)
Characteristics
SFH 320, SFH 320 FA
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
Bestrahlungsempfindliche Fläche
max
(∅
220 µm)
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
= 20 V, E = 0
CE
Symbol
Symbol
Wert
Value
SFH 320 SFH 320 FA
λ
S max
980 980 nm
λ 450 … 1150 750 … 1120 nm
A
L × B
0.038 0.038 mm
0.45 × 0.45 0.45 × 0.45 mm × m
L × W
ϕ ± 60 ± 60 Grad
C
I
CEO
CE
5.0 5.0 pF
1 (≤ 50) 1 (≤ 50) nA
Einheit
Unit
2
m
deg.
2005-05-12 3
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