OSRAM SFH 3100 Technical data
NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 3100 F
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 840 nm bis 1080 nm
• Enge Empfangscharakteristik
• Geringe Außenabmessungen
• Gleiche Bauform wie IRED SFH 4110
• Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken mit
SFH 4110
• IR-Filter
• Leichte Unterscheidbarkeit zwischen
SFH 3100 F (schwarzes Gehäuse) und
SFH 4110 (klares Gehäuse)
Anwendungen
• Empfänger in Lichtschranken
• Bandende-Erkennung (z.B. Videorecorder)
• Datenübertragung
• Positionsüberwachung
• Barcode-Leser
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Münzzähler
Features
• Especially suitable for applications from
840 nm to 1080 nm
• Narrow half angle
• Small outline dimensions
• Same package as IRED SFH 4110
• High coupling factor in light barriers with
SFH 4110
• IR filter
• Easy identification of SFH 3100 F (black
package) and SFH 4110 (clear package)
Applications
• Detector in photointerrupters
• Tape end detection
• Data transmission
• Position sensing
• Barcode reader
• For control and drive circuits
• Coin counters
Typ
Type
SFH 3100 F
SFH 3100 F-2/3/4
2005-02-17 1
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702P5073
Q62702P5475
I
(mA)
PCE
(λ = 950 nm,
>0.4
0.63 ... 3.2
E
= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V)
e
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 3100 F
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
t < 10 µs
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Verlustleistung,
T
= 25 °C
A
Total power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
Thermal resistance junction - ambient
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
CE
V
(t <2min)3070
CE
I
C
I
CS
V
EC
P
tot
R
thJA
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 … + 85 °C
V
50 mA
100 mA
7V
150 mW
280 K/W
2005-02-17 2
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
SFH 3100 F
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
Abmessungen der Chip-Fläche
Dimension of chip area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Kapazität
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz, E =0
CE
V
= 5 V, f = 1 MHz, E =0
CE
Dunkelstrom,
V
CE
= 20 V
Dark current
Symbol
Symbol
λ
Smax
Wert
Value
Einheit
Unit
920 nm
λ 840 … 1080 nm
L × B
× W
L
0.55 × 0.55 mm × mm
A 0.11 mm
ϕ± 14 Grad
deg.
C
I
CEO
CE
6.5
pF
3.0
2 (≤ 50) nA
2
Fotostrom
Photocurrent
E
= 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V
e
I
PCE
>0.4 mA
2005-02-17 3
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