Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon PIN Photodiode
SFH 206 K
0.8
0.4
34
32
0.6x0.5
0.4x0.3
1.8
1.2
Radiant sensitive area
Cathode
5.1
spacing
2.54 mm
4.7
4.1
3.7
GEO06647
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
● Short switching time (typ. 20 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Area not flat
6.9
6.3
0.8
4.0
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
● 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
feo06647
Anwendungen
● Computer-Blitzlichtgeräte
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Applications
● Computer-controlled flashes
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
SFH 206 K Q62702-P129
Semiconductor Group 1 1999-02-04
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 206 K
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
T
S
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
P
tot
Total power dissipation
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 100 °C
230 °C
32 V
150 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
S
λ
S max
80 (≥ 50) nA/Ix
850 nm
λ 400 ... 1100 nm
A 7.00 mm
L × B
L
× W
H
ϕ±60 Grad
I
R
2.65 × 2.65 mm × mm
1.2 ... 1.4 mm
deg.
2 (≤ 30) nA
2
Semiconductor Group 2 1999-02-04
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d)
SFH 206 K
Bezeichnung
Description
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
L
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage
Kapazität, VR= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von V
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von I
Temperature coefficient of I
O
O
SC
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
= 10 V, λ = 850 nm
R
Nachweisgrenze, VR= 10 V, λ = 850 nm
Detection limit
Symbol
Symbol
S
λ
Wert
Value
Einheit
Unit
0.62 A/W
η 0.90 Electrons
Photon
V
O
I
SC
t
, t
r
V
F
C
0
TC
TC
NEP
f
V
I
365 (≥ 310) mV
80 µA
20 ns
1.3 V
72 pF
– 2.6 mV/K
0.18 %/K
4.2 × 10
– 14
W
√Hz
D* 6.3 × 10
12
cm · √Hz
W
Semiconductor Group 3 1999-02-04
SFH 206 K
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
100
S
rel
%
80
60
40
20
0
400
500 600 700 800 900 nm 1100
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
OHF00078
λ
Photocurrent IP= f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage V
= f (Ev)
O
Capacitance
C= f (V
), f = 1 MHz, E = 0
R
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
160
mW
P
tot
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20 40 60 80 ˚C 100
Dark current
I
= f (TA), VR= 10 V, E = 0
R
3
10
nA
Ι
R
2
10
OHF00394
T
A
OHF00082
Directional characteristics S
40 30 20 10
50
60
70
80
90
= f (ϕ)
rel
1
10
0
10
-1
10
0
ϕ
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
OHF01402
20 40 60 80 ˚C 100
0
T
A
100
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
0
Semiconductor Group 4 1999-02-04
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