OSRAM LE ATB A2A Technical data

OSTAR - Projection

Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

LE ATB A2A

Vorläufige Daten / Preliminary Data

Besondere Merkmale

• Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in
Multi-Chip on Board Technologie;
planvergossen

• Besonderheit des Bauteils: extrem hohe
Helligkeit dank Oberflächenemission und
niedrigem

R

th

Vorbereitet für den Einsatz mit zus. Optik

• Wellenlänge: 617 nm (amber),
525

nm (true green), 464 nm (blau)

• Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°)

• Abstrahlende Fläche: typ. 2.1 x 2.1 mm²

• Technologie: Thinfilm InGaAlP (amber),

®

ThinGaN

(true green, blau)

• Leuchtdichte: 18*106 cd/m² (amber),

6

14*10

cd/m² (true green), 3,5*106 cd/m² (blau)

• max. optischer Wirkungsgrad:
51

lm/W (amber), 86 lm/W (true green),
lm/W (blau) bei 100 mA mit Linse

17

• Montierbarkeit: verschraubbar

• Stecker: 10 Pin JST BM 10B-SRSS-TB

• ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach
JESD22-A114-B

• Verpackungseinheit: 25 St. pro Box
=

Verpackungseinheit

Features

• package: compact lightsource in multi chip on
board technology planar sealed

• feature of the device: outstanding luminance
due to pure surface emission and low R

th

prepared for additional optics

• wavelength: 617 nm (amber),
525

nm (true green), 464 nm (blue)

• viewing angle: Lambertian Emitter (120°)

• light emitting surface: typ. 2.1 x 2.1 mm²

• technology: Thinfilm InGaAlP (amber),

®

ThinGaN

(true green, blue)

• Luminance: 18*106 cd/m² (amber),

6

14*10

cd/m² (true green), 3.5*106 cd/m² (blue)

• max. optical efficiency: 51 lm/W (amber),
86 lm/W (true green), 17 lm/W (blue) at 100
mA with lens

• mounting methode: screw holes

• connector: 10 Pin JST BM 10B-SRSS-TB

• ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to
JESD22-A114-B

• method of packing: 25 pcs. per tray
=

packing unit

Anwendungen

• Projektoren

• Medizintechnik: Operationslampen

• Mikroskopbeleuchtung

• Scheinwerfer

• Verkehrszeichen

• Hochwertige Blitzlichter

2006-09-27 1

Applications

•projectors

• medical lighting: surgery light

• microscope illumination

• spotlights

• VMS (variable message signs)

• high end strobe light

Bestellinformation Ordering Information

Typ

Emissionsfarbe

Color of Emission

Type

LE ATB A2A

1)

Seite 17

Lichstärke pro Farbe

Luminous Intensity per Color

I

= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)

F

Ι

(cd)

V

amber true green blue
min. typ. min. typ. min. typ.

1)

page 17

LE ATB A2A amber

true green (2 Chips)
blue

Typ

Type

Emissionsfarbe

Color of Emission

LE ATB A2A amber

true green (2 Chips)
blue

Bestellinformation Ordering Information

Typ
Type

12 18

Lichtfluss pro Farbe

23

2)3)

Seite 17

28

2

3.5

2)3)

page 17

Luminous Flux per Color

I

= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)

F

Φ

(lm)

V

amber true green blue
min. typ. min. typ. min. typ.

(37) (55)

(71)

(86)

(6)

(10.5)

Bestellnummer
Ordering Code

LE ATB A2A Q65110A3646

2006-09-27 2

Grenzwerte Maximum Ratings

LE ATB A2A

Bezeichnung
Parameter

Betriebstemperatur*
Operating temperature range*

Lagertemperatur
Storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Durchlassstrom pro Chip DC
Forward current per chip DC
(T

board

=25°C)

Stoßstrom pro Chip DC
Surge current per chip DC

t ≤ 10 µs, D = 0.1; T

=25°C

A

Sperrspannung pro Chip DC
Reverse voltage per chip DC
(T

board

=25°C)

Sperrstrom
Reverse current

V

= 0.5 V

R

Leistungsaufnahme pro Farbe
Power consumption per Color
(T

board

=25°C)

* Eine Betauung des Moduls muss vermieden werden.
Condensation on the module has to be avoided.

Symbol
Symbol

T

board, op

T

board, stg

T

j

I

F

I

FM

V

R

I

R

P

tot

Werte
Values

amber true

green

blue

Einheit
Unit

– 40 … + 85 °C

– 40 … + 85 °C

125 °C

750 700 mA

2000 2000 2000 mA

0.5 V

10 mA

2.55 6.0 3.0 W

Kennwerte Charakteristics

Bezeichnung
Parameter

Wärmewiderstand des gesamten Moduls
Thermal resistance of the module
Sperrschicht / Bodenplatte
Junction / base plate

2006-09-27 3

Symbol
Symbol

R

th JB

Werte
Values

amber true

green

Einheit
Unit

blue

5

K/W

Kennwerte
Characteristics

(T

board

= 25 °C)

Bezeichnung
Parameter

Symbol
Symbol

Werte
Values

LE ATB A2A

Einheit
Unit

Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission

I

= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)

F

4)

Dominantwellenlänge
Dominant wavelength

I

= 750 mA (A) / 500 mA (T, B) (max.)

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % Φ
Spectral bandwidth at 50 % Φ

I

= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)

F

Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 % Ι

Durchlassspannung
Forward voltage

I

= 750 mA (A) / 500 mA (T, B) (max.)

F

5)

Temperaturkoeffizient von λ
Temperature coefficient of λ

I

= 750 mA (A) / 500 mA (T, B); –10°C ≤ T ≤ 100°C

F

Temperaturkoeffizient von λ
Temperature coefficient of λ

I

= 750 mA (A) / 500 mA (T, B); –10°C ≤ T ≤ 100°C

F

Seite 17

4)

page 17

rel max

rel max

(Vollwinkel) (typ.)

Ι

V

V

5)

Seite 17

page 17

(typ.)

pro Chip (typ.)

peak

per chip

peak

pro Chip (typ.)

dom

per chip

dom

(min.)

(typ.)

(typ.)

(min.)

Temperaturkoeffizient von VF pro Chip (typ.)
Temperature coefficient of VF per chip

I

= 750 mA (A) / 500 mA (T, B); –10°C ≤ T ≤ 100°C

F

Optischer Wirkungsgrad ohne Linse
Optical efficiency without Lens (typ.)

I

= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)

F

6)

max. Optischer Wirkungsgrad mit Linse

6)

max. Optical efficiency with Lens

I

= 100 mA (R, T, B)

F

page 17

Seite 17

(typ.)

Abstrahlende Fläche (typ.)
Radiating Surface

λ

λ
λ
λ

peak

dom
dom
dom

amber true

green

627 521 460 nm

613
617
625

517
525
534

blau

458
464
469

∆λ 20 44 24 nm

2

ϕ

V

F

V

F

V

F

TC

TC

TC

η

opt

η

opt max.

A

Color

λpeak

λdom

V

120 120 120 Grad

2.1

2.9

3.4

2.9

3.5

4.0

2.9

3.5

4.0

0.14 0.05 0.05 nm/K

0.08 0.01 0.02 nm/K

– 2.5 – 4.0 – 4.0 mV/K

25

51

1.0 2.0 1.0

25

86

6

17

nm
nm
nm

deg.
V

V
V

lm/W

lm/W

mm²

Leuchtdichte
Luminance (typ.)

I

= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)

F

2006-09-27 4

L

V

18*10

6

14*10

6

3.5*10

6

cd/m²

SMD NTC Thermistors SMD NTC Thermistors

LE ATB A2A

R

25

[Ω]

No. of R/T
characteristics*

B

[K]

25/50

B

[K]

25/85

Resistance
Tolerance

∆ RN/R

N

B value
Tolerance

∆ B/B
10k EPCOS 8502 3940 3980 ± 5% ± 3%
* for further information please visit www.epcos.com

1

1

---

------–

T

T

N

R

⎛⎞

B

⋅

⎝⎠

T

R

e

⋅=

N

RT = NTC resistance in Ω at temperature T in K
RN = NTC resistance in Ω at rated temperature TN

in K (T

= 298 K for test condition)

N

T, TN = temperature in K
e = base of the natural logarithm (e = 2.71828)

B = B value, material specific constant of the NTC thermistor

2) 7)

page 17

OHL02609

Seite 17

BB

NT⁄

TT

⋅

N

----------------

TT

–

N

Typische Thermistor Kennlinie

R

N

-------

ln⋅==

R

T

Typical Thermistor Graph

I

= f (VF); T

F

10000

Ω

board

= 25 °C

2) 7)

R

2006-09-27 5

7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000

0

0˚C

10 20 30 40 50 60 70 90

T

NTC

2)

Seite 17

Relative spektrale Emission
Relative Spectral Emission

2)

page 17

V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit / Standard eye response curve

Φ

= f (λ), T

rel

Φ

100

rel

= 25 °C, IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B)

board

%

80

60

40

20

V

λ

blue
true green
amber

LE ATB A2A

OHL02471

0

400

Abstrahlcharakteristik2)
Radiation Characteristic

Φ

= f (ϕ); T

rel

50˚

60˚

70˚

80˚

90˚

board

= 25 °C

Seite 17

2)

page 17

550450 500 600

0˚10˚20˚40˚ 30˚

ϕ

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

650 nmλ700

OHL01660

100˚

1.0 0.8 0.6 0.4

0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚

2006-09-27 6