OSRAM BP 104 S Technical data
Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon PIN Photodiode
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
BP 104 S
BP 104 S
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 400 nm bis 1100 nm
• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
• Geeignet für Vapor-Phase Löten und
IR-Reflow-Löten
•SMT-fähig
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• IR-Fernsteuerungen
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
BP 104 S Q65110A2626
Bestellnummer
Ordering Code
Features
• Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
• Short switching time (typ. 20 ns)
• Suitable for vapor-phase and IR-reflow
soldering
• Suitable for SMT
Applications
• Photointerrupters
• IR remote controls
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
2005-03-02 1
Grenzwerte
Maximum Ratings
BP 104 S
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
= 25 ° C
A
Total power dissipation
T
Kennwerte (
Characteristics (
= 25 ° C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
T
= 25 ° C, standard light A, T = 2856 K)
A
Bezeichnung
Parameter
V
Fotostrom
= 5 V
R
Photocurrent
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
R
P
tot
Symbol
Symbol
I
P
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
–40…+100 ° C
20 V
150 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
55 (≥ 40) nA/lx
850 nm
λ 400 … 1100 nm
A 4.84 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
L × B
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
L
ϕ±60 Grad
Half angle
Dunkelstrom,
V
= 10 V
R
I
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ =850nm
S
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ =850nm
η 0.90 Electrons
Quantum yield
Leerlaufspannung,
E
=1000lx
V
V
Open-circuit voltage
2005-03-02 2
× W
R
λ
O
2.20 × 2.20 mm × mm
deg.
2 (≤ 30) nA
0.62 A/W
Photon
360 (≥ 280) mV
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