OSRAM BP 104 F, BP 104 FS Technical data

Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT
Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT

Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

BP 104 F
BP 104 FS

BP 104 F BP 104 FS

Wesentliche Merkmale

• Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm

• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

• DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

• BP 104 FS: geeignet für Vapor-Phase Löten
und IR-Reflow Löten

Anwendungen

• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen

• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb

Typ
Type

BP 104 F Q62702-P0084

BP 104 FS Q62702-P2627

Bestellnummer
Ordering Code

Features

• Especially suitable for applications of 950 nm

• Short switching time (typ. 20 ns)

• DIL plastic package with high packing density

• BP 104 FS: suitable for vapor-phase and
IR-reflow soldering

Applications

• IR remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, dimmers, remote controls of
various equipment

• Photointerrupters

2005-03-14 1

Grenzwerte
Maximum Ratings

BP 104 F, BP 104 FS

Bezeichnung
Parameter

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrspannung
Reverse voltage

Verlustleistung,

T

= 25 ° C

A

Total power dissipation

Kennwerte (T

= 25 ° C, λ = 950 nm)

A

Characteristics

Bezeichnung
Parameter

Fotostrom
Photocurrent

V

= 5 V, Ee = 1 mW/cm

R

2

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

V

R

P

tot

Symbol
Symbol

I

P

λ

S max

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 … + 100 ° C

20 V

150 mW

Wert
Value

Einheit
Unit

34 (≥ 25) µA

950 nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area

Halbwinkel
Half angle

Dunkelstrom,

V

= 10 V

R

Dark current

Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity

Quantenausbeute
Quantum yield

Leerlaufspannung,

E

= 0.5 mW/cm

e

2

Open-circuit voltage

λ 800 … 1100 nm

A

L × B

× W

L

4.84 mm

2.20 × 2.20 mm × mm

2

ϕ±60 Grad

deg.

I

R

S

λ

2 (≤ 30) nA

0.70 A/W

η 0.90 Electrons

Photon

V

O

330 (≥ 250) mV

2005-03-14 2

Kennwerte (TA = 25 ° C, λ = 950 nm)
Characteristics (cont’d)

BP 104 F, BP 104 FS

Bezeichnung
Parameter

Kurzschlussstrom, Ee = 0.5 mW/cm

2

Short-circuit current

Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent

R

= 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA

L

Durchlassspannung,

I

= 100 mA, E = 0

F

Forward voltage

Kapazität,

V

R

= 0 V,

= 1 MHz, E = 0

f

Capacitance

Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of V

Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of I

V

O

O

I

SC

SC

Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power

V

= 10 V

R

Nachweisgrenze, VR = 10 V
Detection limit

Symbol
Symbol

I

SC

t

, t

r

f

V

F

C

0

TC

V

TC

I

NEP

Wert
Value

17 µA

20 ns

1.3 V

48 pF

– 2.6 mV/K

0.18 %/K

3.6 × 10

D* 6.1 × 10

–14

12

Einheit
Unit

W

-----------­Hz

cm Hz×

--------------------------­W

2005-03-14 3