ON Semiconductor MC14016B Technical data

MC14016B
Quad Analog Switch/ Quad Multiplexer
The MC14016B quad bilateral switch is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. Each MC14016B consists of four independent switches capable of controlling either digital or analog signals. The quad bilateral switch is used in signal gating, chopper, modulator, demodulator and CMOS logic implementation.
Features
Diode Protection on All Inputs
Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc
Linearized Transfer Characteristics
Low Noise − 12 nV/Cycle, f 1.0 kHz typical
Pin−for−Pin Replacements for CD4016B, CD4066B (Note improved
transfer characteristic design causes more parasitic coupling capacitance than CD4016)
For Lower R
The MC14066B
This Device Has Inputs and Outputs Which Do Not Have ESD
Protection. Antistatic Precautions Must Be Taken.
Pb−Free Packages are Available*
MAXIMUM RATINGS (Voltages Referenced to V
Symbol
V
Vin, V
I
T
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected.
1. Temperature Derating:
Plastic “P and D/DW” Packages: – 7.0 mW/C From 65C To 125C
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high−impedance circuit. For proper operation, V to the range V
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either V
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
DC Supply Voltage Range −0.5 to +18.0 V
DD
Input or Output Voltage Range
out
(DC or Transient)
I
Input Current (DC or Transient)
in
per Control Pin Switch Through Current ±25 mA
SW
P
Power Dissipation, per Package
D
(Note 1)
T
Ambient Temperature Range −55 to +125 °C
A
Storage Temperature Range −65 to +150 °C
stg
T
Lead Temperature
L
(8−Second Soldering)
, Use The HC4016 High−Speed CMOS Device or
ON
)
SS
Parameter Value Unit
−0.5 to VDD + 0.5 V
±10 mA
500 mW
260 °C
and V
(Vin or V
SS
or VDD). Unused outputs must be left open.
SS
) VDD.
out
in
should be constrained
out
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAMS
14
PDIP−14
P SUFFIX
CASE 646
SOIC−14
D SUFFIX
CASE 751A
SOEIAJ−14
F SUFFIX
CASE 965
A = Assembly Location WL, L = Wafer Lot YY, Y = Year WW, W = Work Week
MC14016BCP
AWLYYWW
1
14
14016B
AWLYWW
1
14
MC14016B
AWLYWW
1
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package dimensions section on page 2 of this data sheet.
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
February, 2005 − Rev. 5
1 Publication Order Number:
MC14016B/D
MC14016B
PIN ASSIGNMENT
1
IN 1
IN 2
2
3
4
OUT 1
OUT 2
CONTROL 2
CONTROL 3
6
7
V
SS
LOGIC DIAGRAM
(1/4 OF DEVICE SHOWN)
CONTROL
LOGIC DIAGRAM RESTRICTIONS
V
Vin V
SS
V
V
SS
DD
V
out
DD
14
13
12
11
105
9
8
V
DD
CONTROL 1
CONTROL 4
IN 4
OUT 4
OUT 3
IN 3
OUT
IN
BLOCK DIAGRAM
SS DD
IN 1
IN 2
IN 3
IN 4
13
2
1
OUT 1
5
3
4
OUT 2
6
9
8
OUT 3
12
10
11
V
= PIN 14
DD
V
= PIN 7
SS
OUT 4
Off On
CONTROL 1
CONTROL 2
CONTROL 3
CONTROL 4
Control Switch
0 = V 1 = V
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
MC14016BCP PDIP−14 500 Units / Tape & Ammo Box MC14016BCPG PDIP−14
500 Units / Tape & Ammo Box
(Pb−Free) MC14016BD SOIC−14 55 Units / Rail MC14016BDG SOIC−14
55 Units / Rail
(Pb−Free) MC14016BDR2 SOIC−14 2500 Units / Tape & Reel MC14016BDR2G SOIC−14
2500 Units / Tape & Reel
(Pb−Free) MC14016BFEL SOEIAJ−14 2000 Units / Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
2
MC14016B
ÎÎÎÎ
V
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to V
Characteristic
Input Voltage
Control Input
ООООООООО
ОООООООООÎÎÎÎÎ
Input Current Control Input Capacitance
ООООООООО
Control Switch Input
ООООООООО
Switch Output
ООООООООО
Feed Through
Quiescent Current
(Per Package)
ООООООООО
“ON” Resistance
ООООООООО
(V
= VDD, RL = 10 k)
C
(V
= + 5.0 Vdc)
in
ООООООООО
(V
= − 5.0 Vdc) VSS = − 5.0 Vdc
in
ООООООООО
(V
= ± 0.25 Vdc)
in
(3)
(Vin = + 7.5 Vdc) (V
= − 7.5 Vdc) VSS = − 7.5 Vdc
in
ООООООООО
(V
= ± 0.25 Vdc)
in
(Vin = + 10 Vdc) (V
= + 0.25 Vdc) VSS = 0 Vdc
ООООООООО
in
= + 5.6 Vdc)
(V
in
(Vin = + 15 Vdc)
ООООООООО
(V
= + 0.25 Vdc) VSS = 0 Vdc
in
= + 9.3 Vdc)
(V
in
ООООООООО
“ON” Resistance
Figure
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
1
2,3
4,5,6
Symbol
V
IL
ÎÎ
V
IH
I
in
C
in
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
I
DD
ÎÎ
R
ON
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
R
ON
DD
Vdc
5.0 10
Î
15
5.0 10
Î
15 15
Î
Î
Î
5.0 10
Î
15
Î
Î
Î
5.0
7.5
10
Î
15
Î
SS
)
Min
− 55C
Max
Î
Î
±0.1
Î
Î
Î
0.25
0.5
Î
1.0
Î
600
Î
600
Î
600 360
360
Î
360 600
600
Î
600 360
Î
360 360
Î
25C
Min
Î
3.0
8.0
Î
13
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
(2)
Typ
1.5
1.5
ÎÎ
1.5
2.0
6.0
ÎÎ
11
±0.00001
ÎÎ
5.0
5.0
ÎÎ
5.0
ÎÎ
0.2
0.0005
0.0010
ÎÎ
0.0015
ÎÎ
300
ÎÎ
300
ÎÎ
280 240
240
ÎÎ
180 260
310
ÎÎ
310 260
ÎÎ
260 300
ÎÎ
Max
0.9
0.9
Î
0.9
Î
±0.1
Î
Î
Î
0.25
0.5
Î
1.0
Î
660
Î
660
Î
660 400
400
Î
400 660
660
Î
660 400
Î
400 400
Î
Min
125C
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Between any 2 circuits in a common
ООООООООО
package (V
= VDD)
C
ООООООООО
(V
= ± 5.0 Vdc, VSS = − 5.0 Vdc)
in
ООООООООО
(V
= ± 7.5 Vdc, VSS = − 7.5 Vdc)
in
Input/Output Leakage Current
(V
= VSS)
C
ООООООООО
= + 7.5, V
(V
in
(V
= − 7.5, V
ООООООООО
in
= − 7.5 Vdc)
out
= + 7.5 Vdc)
out
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
5.0
7.5
7.5
7.5
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
±0.1 ±0.1
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
15
ÎÎ
10
ÎÎ
±0.0015 ±0.0015
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
±0.1 ± 0.1−−
Î
Î
Î
Î
Î
Î
NOTE: All unused inputs must be returned to VDD or VSS as appropriate for the circuit application.
2. Data labelled “Typ” is not to be used for design purposes but is intended as an indication of the IC’s potential performance.
3. For voltage drops across the switch (V current out of the switch may contain both V Maximum Ratings are exceeded. (See first page of this data sheet.) Reference Figure 14.
) > 600 mV ( > 300 mV at high temperature), excessive VDD current may be drawn; i.e., the
switch
and switch input components. The reliability of the device will be unaffected unless the
DD
Max
± 1.0
7.5 15 30
840 840 840
520 520 520
840 840 840
520 520 520
± 1.0 ± 1.0
Unit
Vdc
Î
Vdc
Î
Adc
pF
Î
Î
Î
Adc
Î
Ohms
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Ohms
Î
Î
Î
Adc
Î
Î
http://onsemi.com
3
MC14016B
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
(
C DD L
)
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
ОООООООООООООО
Propagation Delay Time (VSS = 0 Vdc)
V
to V
in
out
(VC = VDD, RL = 10 k)
ОООООООООООООО
Control to Output
(V
10 Vdc, RL = 10 k)
in
ОООООООООООООО
ОООООООООООООО
Crosstalk, Control to Output (VSS = 0 Vdc)
(V
= VDD, Rin = 10 k, R
C
ОООООООООООООО
f = 1.0 kHz)
Crosstalk between any two switches (VSS = 0 Vdc)
(R
= 1.0 k, f = 1.0 MHz,
L
ОООООООООООООО
crosstalk 20log
ОООООООООООООО
Noise Voltage (VSS = 0 Vdc)
(V
= VDD, f = 100 Hz)
C
ОООООООООООООО
(VC = VDD, f = 100 kHz)
ОООООООООООООО
Second Harmonic Distortion (VSS = – 5.0 Vdc)
ОООООООООООООО
(V
= 1.77 Vdc, RMS Centered @ 0.0 Vdc,
in
= 10 k, f = 1.0 kHz)
R
L
ОООООООООООООО
Insertion Loss (VC = VDD, Vin = 1.77 Vdc,
V
= − 5.0 Vdc, RMS centered = 0.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
SS
ОООООООООООООО
I
20log
loss
ОООООООООООООО
= 1.0 k)
(R
L
ОООООООООООООО
(R
= 10 k)
L
(R
= 100 k)
L
ОООООООООООООО
(R
= 1.0 M)
L
Bandwidth (− 3.0 dB)
(V
= VDD, Vin = 1.77 Vdc, VSS = − 5.0 Vdc,
ОООООООООООООО
C
RMS centered @ 0.0 Vdc)
ОООООООООООООО
(R
= 1.0 k)
L
= 10 k)
(R
ОООООООООООООО
L
(R
= 100 k)
L
ОООООООООООООО
(R
= 1.0 M)
L
OFF Channel Feedthrough Attenuation
= − 5.0 Vdc)
(V
SS
ОООООООООООООО
= VSS, 20 log
(V
C
ОООООООООООООО
(R
= 1.0 k)
L
ОООООООООООООО
(R
= 10 k)
L
= 100 k)
(R
L
ОООООООООООООО
(R
= 1.0 M)
L
Characteristic
V
10
V
V
out
)
10
V
in
V
10
V
out
out1 out2
out
in
= 10 k,
)
–50dB)
(4)
(C
= 50 pF, TA = 25C)
L
Figure
10,11
12,13
Symbol
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
7
Î
8
Î
Î
9
Î
Î
Î
t
PLH
t
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PHL
PZL
,
,
,
,
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
12
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
BW
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
DD
Vdc
5.0 10 15
5.0 10 15
5.0 10 15
5.0
5.0 10 15
5.0 10 15
5.0
5.0
5.0
5.0
Min
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
(5)
Typ
ÎÎ
15
7.0
6.0
ÎÎ
34
ÎÎ
20 15
ÎÎ
30 50
ÎÎ
100
– 80
ÎÎ
ÎÎ
24 25
ÎÎ
30 12
12
ÎÎ
15
0.16
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
2.3
ÎÎ
0.2
ÎÎ
0.1
0.05
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
54 40
ÎÎ
38
ÎÎ
37
ÎÎ
ÎÎ
1250
140
ÎÎ
18
ÎÎ
2.0
Max
Î
45 15 12
Î
90
Î
45 35
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
4. The formulas given are for typical characteristics only at 25C.
5. Data labelled “Typ” is not to be used for design purposes but is intended as an indication of the IC’s potential performance.
Unit
ÎÎ
ns
ÎÎ
ns
ÎÎ
ÎÎ
mV
ÎÎ
dB
ÎÎ
ÎÎ
nV/Cycle
ÎÎ
ÎÎ
%
ÎÎ
ÎÎ
dB
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
MHz
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
kHz
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
http://onsemi.com
4
MC14016B
V
C
I
S
VIL: VC is raised from VSS until VC = VIL.
V
: at VC = VIL: IS = ±10 A with Vin = VSS, V
IL
: When VC = VIH to VDD, the switch is ON and the RON specifications are met.
V
IH
V
DD
I
D
V
V
PULSE
GENERATOR
P
= VDD x I
D
TO ALL 4 CIRCUITS
f
c
D
DD
V
SS
out
CONTROL
INPUT
V
in
Figure 2. Quiescent Power Dissipation
Test Circuit
V
in
V
out
= VDD or Vin = VDD, V
out
Figure 1. Input Voltage Test Circuit
10,000
= 25°C
T
µW)
1000
A
100
10 k
, POWER DISSIPATION (P
10
D
1.0
Figure 3. Typical Power Dissipation per Circuit
= VSS.
out
VDD = 15 Vdc
, FREQUENCY (Hz)
f
c
(1/4 of device shown)
10 Vdc
5.0 Vdc
50M10M1.0M100k10k5.0k
TYPICAL RON versus INPUT VOLTAGE
700
600
500
400
VC = VDD = 5.0 Vdc V
= − 5.0 Vdc
SS
300
200
, ON" RESISTANCE (OHMS)R ON
100
0
− 10 − 8.0 −4.0 0 4.0 8.0 10 , INPUT VOLTAGE (Vdc)
V
in
Figure 4. VSS = − 5.0 V and − 7.5 V Figure 5. VSS = 0 V
RL = 10 k T
= 25°C
A
VC = VDD = 7.5 Vdc V
= − 7.5 Vdc
SS
700
VSS = 0 Vdc
600
R
L
T
A
500
400
VC = VDD = 10 Vdc
300
200
, ON" RESISTANCE (OHMS)R
VC = VDD = 15 Vdc
ON
100
0
0 2.0 6.0 10 14 18 20
, INPUT VOLTAGE (Vdc)
V
in
= 10 k
= 25°C
http://onsemi.com
5
MC14016B
V
out
R
C
L
L
V
in
V
out
R
V
C
V
in
L
20 ns 20 ns
t
PHL
90%
50%
V
in
t
PLH
V
out
10%
50%
V
DD
V
SS
Figure 6. RON Characteristics
Test Circuit
V
out
V
C
V
in
20 ns
t
t
50%
PZH
PZL
V
C
V
out
V
out
10%
90%
90%
10%
90%
10%
t
V
PHZ
t
PLZ
R
C
L
L
X
V
DD
V
SS
Vin = V Vx = V
Vin = V Vx = V
Figure 8. T urn−On Delay Time Test Circuit
and Waveforms
Figure 7. Propagation Delay Test Circuit
and Waveforms
V
out
V
C
DD
SS
V
in
10 k 15 pF
1 k
SS
DD
Figure 9. Crosstalk Test Circuit
35
30
VDD = 15 Vdc
25
10 Vdc
5.0 Vdc
VC = V
20
15
OUT
DD
IN
QUAN−TECH
MODEL
2283
OR EQUIV
10
NOISE VOLTAGE (nV/ CYCLE)
5.0
0
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 10. Noise Voltage Test Circuit Figure 11. Typical Noise Characteristics
http://onsemi.com
6
100 k10 k1.0k10010
2.0
0
− 2.0
− 4.0
− 6.0
− 8.0
TYPICAL INSERTION LOSS (dB)
−10
−12
Figure 12. Typical Insertion Loss/Bandwidth
RL = 1 M AND 100 k
10 k
1.0 k
f
, INPUT FREQUENCY (Hz)
in
Characteristics
− 3.0 dB (RL = 1.0 M )
− 3.0 dB (RL = 10 k )
− 3.0 dB (RL = 1.0 k )
CONTROL
SECTION
OF IC
MC14016B
100 M10 M1.0M100 k10 k
V
out
V
C
+ 2.5 Vdc
V
in
0.0 Vdc
− 2.5 Vdc
Figure 13. Frequency Response Test Circuit
ON SWITCH
R
L
V
SOURCE
Figure 14. V Across Switch
LOAD
http://onsemi.com
7
MC14016B
APPLICATIONS INFORMATION
Figure A illustrates u se o f t he A nalog S witch. T he 0 −to−5 V
Digital Control signal is used to directly control a 5 V
p−p
analog signal.
The digital control logic levels are determined by V
and VSS. The VDD voltage is the logic high voltage; the V
DD
SS
voltage is logic low. For the example, VDD = +5 V logic high at the control inputs; VSS = GND = 0 V logic low.
The maximum analog signal level is determined by V
DD
and VSS. The analog voltage must not swing higher than VDD or lower than VSS.
+5 V
V
SS
SWITCH
+5 V
EXTERNAL
CMOS
DIGITAL
CIRCUITRY
5 V
p−p
ANALOG SIGNAL
0−TO−5 V DIGITAL
CONTROL SIGNALS
SWITCH
IN
V
DD
MC14016B
OUT
The example shows a 5 V
margin at either peak. If voltage transients above V
signal which allows no
p−p
DD
and/or below VSS are anticipated on the analog channels, external diodes (D
) are recommended as shown in Figure
x
B. These diodes should be small signal types able to absorb the maximum anticipated current surges during clipping.
The absolute maximum potential difference between VDD and VSS is 18.0 V. Most parameters are specified up to 15 V which is the recommended maximum difference between V
ANALOG SIGNAL
5 V
DD
p−p
and VSS.
+ 5.0 V
+ 2.5 V
GND
Figure A. Application Example
V
DD
D
x
SWITCH
IN
D
x
V
SS
SWITCH
OUT
V
DD
D
D
V
SS
Figure B. External Germanium or Schottky Clipping Diodes
x
x
http://onsemi.com
8
−T−
SEATING PLANE
14 8
17
N
HG
MC14016B
PACKAGE DIMENSIONS
PDIP−14
P SUFFIX
CASE 646−06
ISSUE N
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
B
A
F
L
C
D
14 PL
0.13 (0.005)
K
J
M
M
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS WHEN FORMED PARALLEL.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.715 0.770 18.16 18.80 B 0.240 0.260 6.10 6.60 C 0.145 0.185 3.69 4.69 D 0.015 0.021 0.38 0.53 F 0.040 0.070 1.02 1.78 G 0.100 BSC 2.54 BSC H 0.052 0.095 1.32 2.41 J 0.008 0.015 0.20 0.38 K 0.115 0.135 2.92 3.43 L
0.290 0.310 7.37 7.87
M −−− 10 −−− 10
N 0.015 0.039 0.38 1.01
MILLIMETERSINCHES

−T−
SEATING PLANE
SOIC−14
D SUFFIX
CASE 751A−03
ISSUE G
−A−
14
1
G
D 14 PL
0.25 (0.010) A
8
−B−
P
7 PL
M
0.25 (0.010) B
7
C
R X 45
K
M
S
B
T
S
M
M
J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE
DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
F
CONDITION.
DIM MIN MAX MIN MAX
A 8.55 8.75 0.337 0.344 B 3.80 4.00 0.150 0.157 C 1.35 1.75 0.054 0.068 D 0.35 0.49 0.014 0.019 F 0.40 1.25 0.016 0.049 G 1.27 BSC 0.050 BSC J 0.19 0.25 0.008 0.009 K 0.10 0.25 0.004 0.009 M 0 7 0 7
 
P 5.80 6.20 0.228 0.244 R 0.25 0.50 0.010 0.019
INCHESMILLIMETERS
http://onsemi.com
9
14 8
1
Z
D
e
b
0.13 (0.005)
M
E
7
A
0.10 (0.004)
H
A
1
E
VIEW P
MC14016B
PACKAGE DIMENSIONS
SOEIAJ−14
F SUFFIX
CASE 965−01
ISSUE O
L
E
Q
1
M
L DETAIL P
c
NOTES:
1 DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982. 2 CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3 DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE MEASURED
AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH OR
PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006)
PER SIDE. 4 TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY. 5 THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT
INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003)
TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER
RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE
BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD
TO BE 0.46 ( 0.018).
MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
−−− 2.05 −−− 0.081
A
A
0.05 0.20 0.002 0.008
1
0.35 0.50 0.014 0.020
b
0.18 0.27 0.007 0.011
c
9.90 10.50 0.390 0.413
D
5.10 5.45 0.201 0.215
E
1.27 BSC 0.050 BSC
e
H
7.40 8.20 0.291 0.323
E
0.50 0.85 0.020 0.033
0.50 L
1.10 1.50 0.043 0.059
E
0
M
Q
0.70 0.90 0.028 0.035
1
−−− 1.42 −−− 0.056
Z
INCHES
10
10
0
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
LITERATURE FULFILLMENT:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA
Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada Email: orderlit@onsemi.com
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free
USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051
Phone: 81−3−5773−3850
http://onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com Order Literature: http://www.onsemi.com/litorder
For additional information, please contact your local Sales Representative.
MC14016B/D
10
Loading...