ON Semiconductor 2N6107, 2N6109, 2N6111, 2N6288, 2N6292 Specifications
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ON Semiconductor
Complementary Silicon Plastic
PNP
2N6107
Power Transistors
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching
applications.
• DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes
hFE = 30–150 @ IC
= 3.0 Adc — 2N6111, 2N6288
= 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc — All Devices
• Collector–Emitter Sustaining Voltage —
V
CEO(sus)
• High Current Gain — Bandwidth Product
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6288, 90, 92
= 10 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6107, 09, 11
• TO–220AB Compact Package
*MAXIMUM RATINGS
ООООООООО
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Base Current
Total Power Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
ООООООООО
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Rating
= 30 Vdc (Min) — 2N6111, 2N6288
= 50 Vdc (Min) — 2N6109
= 70 Vdc (Min) — 2N6107, 2N6292
CB
EB
I
I
2N6111
Î
2N6288
30
40
C
B
D
ОООООО
stg
Peak
ÎÎ
Symbol
V
CEO
V
V
P
ÎÎ
TJ, T
ÎÎ
2N6109
50
60
5.0
7.0
10
3.0
40
0.32
–65 to +150
2N6107
Î
2N6292
70
80
Î
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Watts
W/C
Î
C
2N6109
*
2N6111
NPN
2N6288
2N6292
*ON Semiconductor Preferred Device
7 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
30–50–70 VOLTS
40 WATTS
STYLE 1:
PIN 1. BASE
1
2
3
CASE 221A–09
TO–220AB
*
4
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
*Indicates JEDEC Registered Data.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 5
Symbol
R
θJC
Max
3.125
1 Publication Order Number:
Unit
C/W
2N6107/D
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
40
30
20
10
, POWER DISSIPATION (WATTS)
D
P
0
0 20 40 60 80 100 120 160
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
C
Figure 1. Power Derating
140
http://onsemi.com
2
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
= 25C unless otherwise noted)
C
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6111, 2N6288
ОООООООООООООООООООО
ОООООООООООООООООООО
2N6109
2N6107, 2N6292
Collector Cutoff Current
(VCE = 20 Vdc, IB = 0) 2N6111, 2N6288
ОООООООООООООООООООО
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6109
ОООООООООООООООООООО
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6107, 2N6292
Collector Cutoff Current
ОООООООООООООООООООО
(VCE = 40 Vdc, V
(VCE = 60 Vdc, V
ОООООООООООООООООООО
(VCE = 80 Vdc, V
(VCE = 30 Vdc, V
ОООООООООООООООООООО
(VCE = 50 Vdc, V
ОООООООООООООООООООО
(VCE = 70 Vdc, V
= 1.5 Vdc) 2N6111, 2N6288
EB(off)
= 1.5 Vdc) 2N6109
EB(off)
= 1.5 Vdc) 2N6107, 2N6292
EB(off)
= 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6111, 2N6288
EB(off)
= 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6109
EB(off)
= 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6107, 2N6292
EB(off)
Emitter Cutoff Current
ОООООООООООООООООООО
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
(IC = 2.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6107, 2N6292
ОООООООООООООООООООО
(IC = 2.5 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6109
ОООООООООООООООООООО
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6111, 2N6288
(IC = 7.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) All Devices
ОООООООООООООООООООО
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 7.0 Adc, IB = 3.0 Adc)
Base–Emitter On Voltage
ОООООООООООООООООООО
(IC = 7.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product (2)
(IC = 500 mAdc, VCE = 4.0 Vdc, f
ОООООООООООООООООООО
= 1.0 MHz) 2N6288, 92
test
2N6107, 09, 11
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Small–Signal Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 50 kHz)
*Indicates JEDEC Registered Data.
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
(2) fT = |hfe| • f
test
.
Symbol
V
CEO(sus)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
I
CEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
I
CEX
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
CE(sat)
V
BE(on)
ÎÎÎ
f
T
ÎÎÎ
C
ob
h
fe
Min
30
Î
50
Î
70
Î
—
—
Î
—
Î
—
—
Î
—
Î
—
—
Î
—
—
Î
30
Î
30
Î
30
2.3
Î
—
—
Î
4.0
Î
10
—
20
Max
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
ÎÎ
1.0
1.0
ÎÎ
1.0
ÎÎ
100
100
ÎÎ
100
ÎÎ
2.0
2.0
ÎÎ
2.0
1.0
ÎÎ
150
ÎÎ
150
ÎÎ
150
—
ÎÎ
3.5
3.0
ÎÎ
—
ÎÎ
—
250
—
Unit
Vdc
Î
Î
mAdc
Î
Î
µAdc
Î
Î
Î
mAdc
Î
mAdc
Î
—
Î
Î
Î
Vdc
Vdc
Î
MHz
Î
pF
—
3
http://onsemi.com
Loading...